短溝道效應(yīng)

短溝道效應(yīng)（Short Channel Effect）是指在微米尺度的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）中出現(xiàn)的一系列特殊效應(yīng)。由于晶體管不斷縮小，當(dāng)溝道長度縮短到與電子平均自由程相當(dāng)甚至更短時，短溝道效應(yīng)會顯著影響MOSFET的性能和可靠性。短溝道效應(yīng)是當(dāng)今集成電路設(shè)計中需要考慮和解決的重要問題之一。

1.什么是短溝道效應(yīng)

短溝道效應(yīng)是指在微米尺度的MOSFET中，當(dāng)溝道長度減小到與電子平均自由程相當(dāng)量級或更短時，出現(xiàn)的一系列特殊效應(yīng)。這些效應(yīng)包括：

• 漏電流增加：在短溝道MOSFET中，由于溝道長度變得很短，漏電流途徑縮小，導(dǎo)致了漏電流的明顯增加。這是因為電子在溝道中運動時會發(fā)生散射，從而導(dǎo)致電子的速度和能量增加，進而引起更多的漏電流。
• 閾值電壓偏移：短溝道效應(yīng)還會導(dǎo)致閾值電壓的偏移。由于溝道長度減小，通道的控制區(qū)域變窄，因此需要更高的門電場才能形成正常的溝道，并使MOSFET正常工作。
• 子閾值擺動：在短溝道MOSFET中，子閾值擺動效應(yīng)也會顯著增加。子閾值擺動是指當(dāng)溝道長度縮短時，由于電子在溝道中的散射和隧穿效應(yīng)，導(dǎo)致了子閾值電流的不穩(wěn)定性。

2.短溝道效應(yīng)的特點

短溝道效應(yīng)具有以下幾個顯著特點：

• 漏電流增加：短溝道效應(yīng)導(dǎo)致了漏電流的明顯增加。這是由于電子在短溝道中的散射和速度增加引起的。
• 閾值電壓偏移：短溝道效應(yīng)會導(dǎo)致閾值電壓的偏移。隨著溝道長度縮短，需要更高的門電場來控制和形成正常的溝道。
• 子閾值擺動：短溝道效應(yīng)引起了子閾值電流的擺動。由于溝道長度減小，散射和隧穿效應(yīng)導(dǎo)致了子閾值電流的不穩(wěn)定性。
• 限制頻率提高：由于短溝道MOSFET的特殊結(jié)構(gòu)和效應(yīng)，它們具有更高的響應(yīng)速度和更高的限制頻率。這使得它們在高頻應(yīng)用中具有重要的應(yīng)用價值。

閱讀更多行業(yè)資訊，可移步與非原創(chuàng)，行業(yè)數(shù)據(jù) | 中芯國際和臺積電多維度對比、本土MCU廠商多維度對比、電源管理芯片企業(yè)分析之一——芯朋微? ? ?等產(chǎn)業(yè)分析報告、原創(chuàng)文章可查閱。

3.短溝道效應(yīng)的原理

短溝道效應(yīng)的產(chǎn)生主要是由于以下原理：

• 電子散射：當(dāng)溝道長度縮短到與電子平均自由程相當(dāng)或更短時，電子在溝道中會發(fā)生散射現(xiàn)象。這些散射事件導(dǎo)致電子能量和速度增加，從而增加了漏電流。
• 隧穿效應(yīng)：在短溝道MOSFET中，由于溝道長度很短，電子可以通過隧穿效應(yīng)穿越壘壁，從源極隧穿到漏極。這會導(dǎo)致漏電流的進一步增加。
• 強限制效應(yīng)：短溝道MOSFET中的強限制效應(yīng)是指在溝道長度縮小的情況下，由于電場的非均勻分布，使得溝道的控制區(qū)域變窄。這需要更高的門電場來形成正常的溝道，導(dǎo)致閾值電壓的偏移。
• 數(shù)量擺動：在短溝道MOSFET中，電子在溝道中的數(shù)量擺動現(xiàn)象也會顯著增加。數(shù)量擺動是指電子在溝道中的數(shù)目有所波動，導(dǎo)致子閾值電流的不穩(wěn)定性。

為了克服短溝道效應(yīng)帶來的問題，工程師和研究人員采取了許多技術(shù)手段，如引入新材料、改進器件結(jié)構(gòu)、優(yōu)化工藝等。這些措施旨在提高短溝道MOSFET的性能、可靠性和抗短溝道效應(yīng)能力。

短溝道效應(yīng)是指在微米尺度的MOSFET中出現(xiàn)的一系列特殊效應(yīng)。它導(dǎo)致了漏電流的增加、閾值電壓的偏移、子閾值擺動和限制頻率的提高等特點。短溝道效應(yīng)的產(chǎn)生主要由電子散射、隧穿效應(yīng)、強限制效應(yīng)和數(shù)量擺動等原理所驅(qū)動。為了克服短溝道效應(yīng)帶來的問題，持續(xù)的研究和技術(shù)創(chuàng)新是必不可少的。