加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入
  • 正文
    • 1.什么是非易失性內(nèi)存
    • 2.非易失性內(nèi)存的類型
    • 3.非易失性內(nèi)存和永久性內(nèi)存的區(qū)別
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

非易失性內(nèi)存

2023/07/20
7614
閱讀需 6 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

非易失性內(nèi)存(Non-Volatile Memory,NVM)是一種特殊類型的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器,具有在斷電或掉電情況下仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)的能力。與傳統(tǒng)的易失性內(nèi)存(如DRAM)不同,非易失性內(nèi)存可以長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù),無(wú)需外部電源供電。這使得非易失性內(nèi)存在許多應(yīng)用中具有重要的作用,包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備等。

1.什么是非易失性內(nèi)存

非易失性內(nèi)存是一種存儲(chǔ)介質(zhì),它能夠在斷電或掉電的情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。與易失性內(nèi)存不同,非易失性內(nèi)存不需要持續(xù)的電源供電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)。這意味著即使在斷電后重新供電,非易失性內(nèi)存仍然可以恢復(fù)之前存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

非易失性內(nèi)存可以按照不同的工作原理和技術(shù)實(shí)現(xiàn),其中一些常見(jiàn)的類型包括閃存存儲(chǔ)器、磁盤(pán)存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器和阻變存儲(chǔ)器等。每種類型的非易失性內(nèi)存都有其特定的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。

2.非易失性內(nèi)存的類型

2.1 閃存存儲(chǔ)器

閃存存儲(chǔ)器是一種常見(jiàn)的非易失性內(nèi)存類型,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)和固態(tài)硬盤(pán)等領(lǐng)域。它基于電子浮動(dòng)門(mén)技術(shù),通過(guò)在晶體管中嵌入柵極上的電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。閃存存儲(chǔ)器具有高密度、低功耗和較長(zhǎng)的使用壽命等特點(diǎn)。

2.2 磁盤(pán)存儲(chǔ)器

磁盤(pán)存儲(chǔ)器是另一種常見(jiàn)的非易失性內(nèi)存類型,如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)。它使用磁化的表面來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),并通過(guò)讀取磁場(chǎng)來(lái)訪問(wèn)數(shù)據(jù)。磁盤(pán)存儲(chǔ)器具有較大的存儲(chǔ)容量和良好的可靠性,但相對(duì)于其他類型的非易失性內(nèi)存而言,速度較慢。

2.3 相變存儲(chǔ)器

相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory,PCM)利用物質(zhì)的相變特性實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和讀取。它使用一種特殊的材料,在不同的溫度下可以切換其物理狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。相變存儲(chǔ)器具有快速的讀寫(xiě)速度、較高的密度和較低的功耗等優(yōu)點(diǎn),被視為一種有潛力的非易失性內(nèi)存技術(shù)。

2.4 阻變存儲(chǔ)器

阻變存儲(chǔ)器(Resistive Random-Access Memory,RRAM)是一種基于阻變效應(yīng)的非易失性內(nèi)存技術(shù)。它使用特殊材料中的電阻狀態(tài)變化來(lái)存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)。阻變存儲(chǔ)器具有較快的速度、較高的密度和較低的功耗,被認(rèn)為是一種有前景的非易失性內(nèi)存解決方案。

3.非易失性內(nèi)存和永久性內(nèi)存的區(qū)別

非易失性內(nèi)存和永久性內(nèi)存這兩個(gè)概念在某些情況下可能會(huì)產(chǎn)生混淆。下面是非易失性內(nèi)存和永久性內(nèi)存的區(qū)別:

非易失性內(nèi)存(Non-Volatile Memory,NVM)是一種存儲(chǔ)技術(shù),可以在斷電或掉電情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。它通常用于存儲(chǔ)需要長(zhǎng)期保存的數(shù)據(jù),如操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶文件等。

永久性內(nèi)存則是一個(gè)更廣泛的概念,指的是在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中能夠永久保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)介質(zhì)。除了非易失性內(nèi)存之外,永久性內(nèi)存還包括其他類型的存儲(chǔ)介質(zhì),如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)、光盤(pán)和磁帶等。

以下是非易失性內(nèi)存和永久性內(nèi)存之間的主要區(qū)別:

  • 數(shù)據(jù)保存時(shí)間:非易失性內(nèi)存可以在斷電后仍然保存數(shù)據(jù),而永久性內(nèi)存則可以長(zhǎng)期保留數(shù)據(jù),甚至在多次斷電后也能恢復(fù)。
  • 供電需求:非易失性內(nèi)存不需要持續(xù)的電源供電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù),而永久性內(nèi)存可能需要電源供電才能訪問(wèn)或修改數(shù)據(jù)。
  • 存取速度:非易失性內(nèi)存通常擁有較快的存取速度,可以提供快速的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作,而某些永久性內(nèi)存介質(zhì)(如磁盤(pán)存儲(chǔ)器)可能讀寫(xiě)速度較慢。
  • 存儲(chǔ)容量:永久性內(nèi)存通常具有較大的存儲(chǔ)容量,可以容納更多的數(shù)據(jù),而非易失性內(nèi)存的存儲(chǔ)容量相對(duì)較小。
  • 使用場(chǎng)景:非易失性內(nèi)存主要用于需要快速訪問(wèn)和持久保存數(shù)據(jù)的應(yīng)用,如操作系統(tǒng)和緩存存儲(chǔ)等。而永久性內(nèi)存則適用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)和備份數(shù)據(jù),如文件存儲(chǔ)和歸檔等。

雖然非易失性內(nèi)存是一種重要的永久性內(nèi)存技術(shù),但它并不是唯一的解決方案。根據(jù)不同的需求和應(yīng)用場(chǎng)景,可以選擇合適的永久性內(nèi)存介質(zhì),以平衡存儲(chǔ)容量、速度和可靠性等因素。隨著技術(shù)的進(jìn)步和創(chuàng)新,未來(lái)還可能出現(xiàn)更多種類的永久性內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案。

推薦器件

更多器件
器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
CY62167EV30LL-45BVXI 1 Cypress Semiconductor Standard SRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PBGA48, VFBGA-48

ECAD模型

下載ECAD模型
$23.55 查看
ACS711ELCTR-12AB-T 1 Allegro MicroSystems LLC Hall Effect Sensor, Rectangular, Surface Mount, ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8

ECAD模型

下載ECAD模型
$2.39 查看
TJA1042T/1J 1 NXP Semiconductors TJA1042 - High-speed CAN transceiver with Standby mode SOIC 8-Pin

ECAD模型

下載ECAD模型
$1.57 查看

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜