肖特基勢壘

肖特基勢壘，又稱肖特基結(jié)，是一種重要的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，在電子學(xué)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。它由金屬和半導(dǎo)體材料之間形成的PN結(jié)與金屬之間的Schottky接觸組成。

1.肖特基勢壘是什么

肖特基勢壘是由金屬和半導(dǎo)體材料之間形成的PN結(jié)與金屬之間的Schottky接觸所構(gòu)成的一種器件結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中，通過調(diào)節(jié)材料選擇、摻雜濃度以及接觸面積等條件，可以形成具有高速開關(guān)、低壓降、低噪聲等優(yōu)點的電極，并被廣泛應(yīng)用于光電、微波、功率放大器和檢測器等領(lǐng)域。

2.肖特基勢壘的優(yōu)點

肖特基勢壘結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點：

• 快速響應(yīng)：肖特基勢壘結(jié)構(gòu)具有較快的響應(yīng)速度，適用于高速開關(guān)和調(diào)制器的應(yīng)用。
• 低壓降：肖特基勢壘結(jié)構(gòu)中，金屬和半導(dǎo)體之間的勢壘比PN結(jié)低，具有更小的正向電壓降，并且不會出現(xiàn)熱失真。
• 低噪聲：由于肖特基接觸沒有耗散，因此具有較低的噪聲水平。
• 穩(wěn)定性好：相比于普通的接面二極管，肖特基勢壘結(jié)構(gòu)的反向漏電流很小，具有更好的可靠性和長期穩(wěn)定性。

3.肖特基勢壘形成的物理過程

形成肖特基勢壘的關(guān)鍵是金屬與半導(dǎo)體材料之間的界面能量差異。當(dāng)金屬與p型半導(dǎo)體接觸時，雙方之間存在能量勢壘，被稱為"空間電荷區(qū)"（Schottky勢壘），這種勢壘會限制大量載流子的移動，形成一種內(nèi)部場。在外加電場作用下，少數(shù)載流子通過肖特基勢壘進(jìn)入金屬，并在內(nèi)部場的作用下運動，最終實現(xiàn)在半導(dǎo)體中的集成電路設(shè)計。