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    • 先進制程市占率上升
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2nm,硅芯片終極之戰(zhàn)?

2022/08/07
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盡管絕大部分半導體市場都被成熟制程占據(jù),多數(shù)應用領域并不需要用到更先進的2nm制程,但各企業(yè)還是競相追逐,甚至近日傳出日美兩大半導體大國要聯(lián)合研發(fā)2nm芯片的消息。“2nm現(xiàn)象”,值得深思。

先進制程市占率上升

不難看出,盡管如今半導體市場被成熟制程占據(jù),但先進制程舉足輕重。

隨著摩爾定律的不斷發(fā)展,在先進制程的發(fā)展之路上,荊棘重重。也因此,隨著技術研發(fā)難度越來越高,不少廠商開始選擇放棄先進制程的競爭,徹底投身于成熟制程的研發(fā)。例如,晶圓代工廠格芯曾在2020年公開表示放棄7nm以下的競爭。

然而,隨著人們對新興技術追求腳步的不斷加速,近年來市場對于先進制程的熱度只增不減,市占率不斷飆升。

IC Insights數(shù)據(jù)顯示,在2019年,10nm以下先進制程的市占率僅為4.4%,到2024年其比例將增長到30%,而10nm~20nm制程的市占率將從38.8%下降到26.2%,20nm~40nm制程的市占率將從13.4%下降到6.7%。

數(shù)據(jù)來源:IC Insights

臺積電2021年營收顯示,其主要的營收在于先進制程而并非成熟制程,臺積電7nm及以下制程的營收,在2021年全年達到了50%。此外,臺積電在其法說會上表示其資本支出中的80%將用于3nm、5nm及7nm等先進制程的研發(fā)。作為如今業(yè)內(nèi)唯二能制造出先進制程的晶圓代工廠商之一,其營收情況以及資本支出可以表明,市場對于先進制程的熱度只增不減。

數(shù)據(jù)來源:臺積電2021年年報

此外,除了手機、電腦等傳統(tǒng)意義上先進制程的典型應用領域外,一些曾經(jīng)以成熟制程為主的應用領域,如今也不難看到先進制程的身影。例如,已有部分企業(yè)在規(guī)劃更先進制程工藝的車規(guī)級芯片,如芯擎科技、恩智浦、高通、英偉達等,陸續(xù)發(fā)布7nm、5nm制程芯片。

硅芯片的最后一戰(zhàn)?

2nm或許是如今硅芯片領域的最后一戰(zhàn),也是關鍵一戰(zhàn)。而這一戰(zhàn),隨著臺積電、三星奮力尋求ASML高數(shù)值孔徑極紫外光刻機,也開始逐漸打響。

此前,新思科技的研究專家Victor Moroz表示,硅晶體管的能力有限,它很有可能只能安全微縮到2nm。此外,由于石墨烯等新材料仍處于起步階段,短時間內(nèi)難以在半導體領域替代硅材料。也因此,將2nm芯片制程視為硅芯片的最后一戰(zhàn),幾乎成為了業(yè)內(nèi)共識。

因此,全球所有的芯片大國和行業(yè)霸主,都在暗自較勁,要在2nm上“背水一戰(zhàn)”。

6月17日臺積電舉行的技術論壇上,這家晶圓代工龍頭首次披露,到2024年,臺積電將擁有ASML最先進的高數(shù)值孔徑極紫外光刻機,用于生產(chǎn)納米片晶體管(GAAFET)架構的2nm芯片,預計在2025年量產(chǎn)。據(jù)了解,高數(shù)值孔徑極紫外光刻機具備更高的光刻分辨率,能夠?qū)⑿酒w積縮小1.7倍,同時密度增加2.9倍。

幾乎同一時間,有報道稱三星電子從ASML獲得了十多臺EUV光刻機。而三星同樣表示其2nm芯片將于2025年量產(chǎn)。不難看出,三星也在為3年后的2nm芯片量產(chǎn)蓄力。

來源:三星

盡管量產(chǎn)2nm芯片還需時日,但此時此刻,臺積電、三星電子兩家芯片大廠不約而同地尋求下一代EUV光刻機,也意味著作為硅芯片的最后一戰(zhàn)——2nm之戰(zhàn)已經(jīng)打響。而究竟誰將會是最后的“贏家”,還難以預判。

2nm代表不了半導體的全部

毫無疑問,2nm制程已經(jīng)被龍頭半導體廠商們視為占領市場“制高點”的關鍵,然而,是否意味著擁有了2nm技術,就擁有了半導體制造業(yè)的控制權?

復旦大學微電子學院副院長周鵬表示,3nm、2nm甚至未來1nm先進工藝制程在推進的過程中,面臨的最大挑戰(zhàn)可能不在于技術研發(fā),而在于成本。28nm節(jié)點下的芯片設計成本僅為5130萬美元,而7nm、5nm節(jié)點下的芯片設計成本則分別躍升至2.978億美元和5.422億美元。

高昂的成本支出,是各大廠商不得不面臨的挑戰(zhàn),但高昂的投入也不意味著能順利換來芯片的量產(chǎn)。以光刻機為例,臺積電和三星為量產(chǎn)2nm芯片花重金購買了ASML的高數(shù)值孔徑極紫外光刻機,但這并不意味著擁有過了光刻機就可以高枕無憂。

周鵬表示,光刻機的精度直接決定了芯片制程的精度,但在2nm的制程工藝上,高數(shù)值孔徑的EUV技術以及光源、掩模工具等技術均亟待優(yōu)化。“除光刻機外,互聯(lián)金屬電阻的惡化、高精度沉積與刻蝕工藝的需求、電路的三維集成與封裝技術的開發(fā),都是2nm制程研發(fā)過程中必須解決的技術難題。”周鵬說。

可見,工藝制程的推進同樣伴隨著成本的大幅增加,導致半導體制造企業(yè)帶來的投入回報比可能并沒有想象中豐碩。因此,不能斷言掌握2nm技術就掌握了半導體制造的“制高權”,相比先進工藝制程帶來的密度、功耗等性能優(yōu)勢,直線上升的制造成本更值得關注,未來,需要在先進工藝的研發(fā)制造與成本支出之間找到一個平衡點,而這也并非易事。

雖然,在2nm的“背水一戰(zhàn)”中,很難有企業(yè)獲得最終的控制權,最終能站在制高點的企業(yè)也寥寥無幾,但這也并不意味著先進制程的研發(fā)并無意義。

周鵬表示:“摩爾定律每個工藝節(jié)點的突破,對于集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展都具有非凡的意義,也勢必改變整個半導體行業(yè)的市場格局,因此,先進工藝節(jié)點的研究對于代工廠商以及整個半導體行業(yè)的發(fā)展都至關重要。無論未來先進制程領域的引領者是誰,最終受益者都是整個集成電路行業(yè)以及享用高性能電子產(chǎn)品的每一個人。”

作者丨沈叢

編輯丨連曉東

美編丨馬利亞

監(jiān)制丨連曉東

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