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一文帶你了解降壓型穩(wěn)壓芯片原理

2022/05/18
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電路系統(tǒng)設(shè)計中,總是離不開電源芯片的使用,林林總總的電源芯片非常多,比如傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器7805、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)、開關(guān)降壓穩(wěn)壓器(Buck DCDC)等,那么它們到底有什么區(qū)別呢?Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對各種降壓型穩(wěn)壓芯片的原理進(jìn)行了科普。

降壓型穩(wěn)壓芯片的主要分類

串聯(lián)線性穩(wěn)壓電路原理

串聯(lián)線性穩(wěn)壓電路主要思路來自于基本線性調(diào)整模型。在輸入直流電壓和負(fù)載之間串入一個三極管,其作用就是當(dāng)輸出阻抗發(fā)生變化引起輸出電壓同步變化時,通過某種反饋形式使三極管的發(fā)射極也隨之變化,從而調(diào)整輸出電壓值,以保持輸出電壓基本穩(wěn)定。由于串入的三極管是起著電壓調(diào)整作用的,所以,這個三極管也稱為調(diào)整管。
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圖1 LDO基本模型

基本線性調(diào)整管的輸出電壓,主要由穩(wěn)壓管的電壓來決定,無法實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。為了讓輸出電壓可以自由設(shè)定,從而不受穩(wěn)壓管影響,一般會加入運(yùn)算放大器,通過比例系數(shù)調(diào)節(jié)輸出電壓。
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圖2 可調(diào)LDO模型

LDO直流輸入電壓和負(fù)載調(diào)整率、輸入電壓和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、電源抑制比(PSRR)、輸出噪聲和精度在各種降壓型穩(wěn)壓器中,都是最優(yōu),對于高精度模擬前端應(yīng)用場合十分必要。所以,產(chǎn)品應(yīng)用的核心電源,都會采用高精度LDO供電。

圖3 LDO主要功耗模型

LDO也會面臨另一個問題,效率比較低。主要是穩(wěn)壓調(diào)整管所需擊穿飽和電流、運(yùn)放反饋回路電流、以及輸出電壓與壓差和電流產(chǎn)生的熱能損耗等等。一般來說,我們把輸入電流和Iin輸出電流Iout的差值,稱為接地電流(IGND),接地電流包括靜態(tài)電流(IQ),LDO的效率公式如下。

接地電流是影響LDO效率的一個因素,但是,相對于調(diào)整管的壓降來說,如同九牛一毛,可以忽略不計。真正影響LDO效率的是輸入輸出之間的電壓差。

一般來說,市面上常用的串聯(lián)線性穩(wěn)壓電路通常會采用五種常用的結(jié)構(gòu),大體分為:經(jīng)典NPN型結(jié)構(gòu)LDO(A)、基于PNP驅(qū)動的NPN輸出型低壓差結(jié)構(gòu)LDO(B)、PNP型低壓差結(jié)構(gòu)LDO(C)、P溝道低壓差LDO(D)、N溝道低壓差LDO(E)。

圖4 常見LDO產(chǎn)品架構(gòu)

初步分析:經(jīng)典NPN型結(jié)構(gòu)LDO,輸入輸出壓差基本要求滿足3V左右。基于PNP驅(qū)動的NPN輸出型低壓差結(jié)構(gòu)LDO,輸入輸出壓差需要達(dá)到1.5V。PNP型低壓差結(jié)構(gòu)LDO、P溝道低壓差LDO和N溝道低壓差LDO屬于真正的低壓差LDO,P溝道低壓差LDO對于散熱要求很高,N溝道低壓差LDO相對工藝復(fù)雜。PNP型低壓差結(jié)構(gòu)LDO相對簡單,輸入輸出壓差基本控制在0.3V——0.6V之間。市面上,選擇C和D方案作為LDO架構(gòu)的廠商較多。

串聯(lián)開關(guān)穩(wěn)壓電路原理

前面我們提到,LDO有著較大的負(fù)載調(diào)整率、輸入電壓和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、電源抑制比(PSRR)、輸出噪聲和精度。但是由于效率太低,隨著節(jié)能減排、PCBA的布局布線等要求,在很多高壓差的場合,人們不得不尋求新的替代方案。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)和磁性材料的發(fā)展,通過調(diào)整開關(guān)管通斷、采用換能的方式,輸出相對穩(wěn)定的電壓的DCDC應(yīng)運(yùn)而生。

圖5 Buck DCDC基本拓?fù)?/p>

正常工作狀態(tài)下,BUCK型DCDC主要工作在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM),這種模式下,電感器上有連續(xù)電流,這種情況也稱為重載模式,DCDC主要是通過電感電壓伏秒平衡原理,來實現(xiàn)降壓功能。

圖6 Buck DCDC連續(xù)導(dǎo)通模式及輸出波形

從上圖來看,我們可以計算出BUCK型DCDC的輸出電壓和輸入電壓之間的關(guān)系,主要依賴于開關(guān)管的導(dǎo)通時間。

對于開關(guān)電源來說,影響開關(guān)電源功耗的因素,主要集中在開關(guān)管MOSEFET、門極驅(qū)動、電感磁芯損耗和線損上面。

圖7 Buck DCDC主要損耗因素

相對于線性穩(wěn)壓電源來說,開關(guān)穩(wěn)壓電源的效率可以達(dá)到90%以上,相對損耗幾乎忽略不計。所以,在很多應(yīng)用場合,特別是較大輸出壓差和較大輸出功率的情況下,工程師幾乎統(tǒng)一都是采用這種Buck電源。

開關(guān)電源Buck電路的控制方案

PWM脈沖調(diào)制技術(shù)

傳統(tǒng)電流模式的開關(guān)電源,采用的方式是將采樣電流與電壓反饋環(huán)路中誤差放大器的輸出進(jìn)行比較,以生成控制MOSFET的PWM脈沖。

圖8 PWM核心控制機(jī)理

電壓模式是PWM脈沖調(diào)制一種常用的調(diào)制方式,主要采用固定頻率三角波和誤差做比較,采用三角波和誤差幅值調(diào)整占空比。

圖9 電壓調(diào)整模式架構(gòu)

峰值電流模式是PWM脈沖調(diào)制的另一種常用的調(diào)制方式,占空比主要由電流環(huán)決定,電壓環(huán)決定電流信號參考。

圖10 峰值電流模式架構(gòu)

COT調(diào)制技術(shù)

PWM頻率恒定,其在整個負(fù)載頻率范圍內(nèi)的紋波電壓和輸出噪聲都是非常低的,每個開關(guān)管在切換的時候都會產(chǎn)生開關(guān)損耗,特別是其在輕負(fù)載時,還保持較高的開關(guān)頻率,開關(guān)損耗比重加大,效率會降低。

圖11 DCM模式電感電流環(huán)示意

我們知道,當(dāng)負(fù)載電流非常小時,或者說電感器的值小于臨界電感時,轉(zhuǎn)換器開關(guān)就會工作在不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)。極端情況下,假設(shè)負(fù)載為0,轉(zhuǎn)換器開關(guān)就會只轉(zhuǎn)換一次就不再工作。實際上,由于開關(guān)電源的ESR,反饋回路等等形成的阻抗產(chǎn)生電路損耗。此時,控制MOSFEET的PWM脈沖寬度明顯小于正常連續(xù)開通模式(CCM)的脈沖寬度。

圖12 DCM模式電感電壓與電流波形

同時,每個MOSFEET開關(guān)管的切換時間,總是存在相對固定的開通和關(guān)斷時間,這就是開關(guān)損耗。如果我們在DCM模式下,能降低開關(guān)切換頻率。就會降低開關(guān)損耗。

基于PFM的COT可以很好的解決上述難題,與傳統(tǒng)電壓/電流模式控制相比,恒定導(dǎo)通時間控制(COT)結(jié)構(gòu)則非常簡單,它通過反饋電阻來采樣輸出電壓,然后將輸出電壓紋波谷值直接與參考電壓進(jìn)行對比,生成固定的導(dǎo)通時間脈沖來導(dǎo)通上管MOSFET。

圖13 COT核心控制機(jī)理

COT架構(gòu)無需傳統(tǒng)電壓/電流模式DC/DC控制中的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),只需要一個參考比較器輸出來觸發(fā)定時脈沖發(fā)生器。變換器的設(shè)計更加簡單,因為元器件變得更少,也無需花費(fèi)很多時間來調(diào)整補(bǔ)償值。COT 變頻控制結(jié)構(gòu)在輕載時,脈沖頻率得到了進(jìn)一步的降低,可以保持較高的效率。COT架構(gòu)也存在一些缺點:首先,每次導(dǎo)通時間固定,頻率會隨占空比發(fā)生變化,針對這種情況,我們一般在電路上調(diào)整假負(fù)載,控制頻率因素。其次,COT架構(gòu)的另一個缺點,需要依靠FB引腳上的紋波調(diào)整占空比,輸出紋波很大。

多相交錯并聯(lián)降壓技術(shù)

如果變換器的開關(guān)頻率一致,并且在各變換器之間加一定的相移,可以減少輸入輸出電流紋波,這種稱之為多相交錯并聯(lián)降壓技術(shù)。

圖14 多相交錯并聯(lián)移向技術(shù)架構(gòu)

多相交錯并聯(lián)Buck型DCDC變換器是由多個變換器并聯(lián),共同為負(fù)載提供電流。每個驅(qū)動信號頻率相同,相位錯開。

圖15多相交錯并聯(lián)移向電流紋波

用交錯并聯(lián)后電流由交錯電流疊加,如果疊加相位匹配控制得好,電流紋波會隨相位增加而降低,電壓紋波也會相應(yīng)降低。

多相交錯并聯(lián)COT架構(gòu)電源對于輕載、重載自由切換的大功率通信應(yīng)用場合意義十分重大,特別是5G通信電源,需要滿足超大射頻發(fā)射功率等應(yīng)用場景。

Microchip基于雙相交錯先進(jìn)COT Buck電源的解決方案

Excelpoint世健代理的產(chǎn)品線Microchip推出基于雙相交錯先進(jìn)恒定導(dǎo)通時間(COT)同步降壓控制器的MIC21LV33系列電源芯片。該芯片采用獨特的自適應(yīng)導(dǎo)通時間控制架構(gòu),支持超輕負(fù)載模式和切相功能??刂撇糠植捎贸咚倏刂破?,在中等負(fù)載至重負(fù)載條件下支持超快速瞬態(tài)響應(yīng)。支持從外部通過電容編程軟啟動,實現(xiàn)安全啟動進(jìn)入重載模式。該芯片還集成一個遠(yuǎn)程檢測放大器,用于精確控制輸出電壓。

MIC21LV33提供全套保護(hù)功能,確保在故障狀態(tài)期間保護(hù)芯片。包括:電源電壓跌落條件下正常工作的欠壓鎖定、降低浪涌電流可編程軟啟動、過壓放電、“打嗝”模式短路保護(hù)、以及熱關(guān)斷。

MIC21LV33產(chǎn)品主要特征:

  • 輸入電壓范圍:4.5V——36V
  • 輸出電壓、電流:0.6V——28V,最低0.6V,精度±1%。最大輸出電流:50A。
  • 開關(guān)頻率范圍:100kHz——1MHz/Phase
  • MIC21LV33集成遠(yuǎn)程檢測放大器,用于精確控制輸出電壓。
  • 封裝:32腳 5mm x 5mm VQFN
  • 溫度范圍:-40℃——125℃。

圖16 MIC21LV33 評估板

MIC21LV33該產(chǎn)品可應(yīng)用于:分布式電源系統(tǒng)、通信/網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、打印機(jī)、掃描儀、視頻設(shè)備、以及FPGA/CPU/MEM/GPU內(nèi)核電源。該產(chǎn)品可以支持最大8相堆疊,電流輸出高達(dá)200A。滿足各種應(yīng)用場景,Excelpoint世健可提供相應(yīng)技術(shù)指導(dǎo)及樣品支持。

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