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?半導(dǎo)體的基礎(chǔ)—PN結(jié)

2022/04/25
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為啥說(shuō)PN結(jié)是基礎(chǔ)呢?

因?yàn)锽JT是由PN結(jié)構(gòu)成的,MOS管也是基于PN結(jié)的。

那PN結(jié)又是由什么構(gòu)成的呢?

PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體構(gòu)成的。

 

那什么又是P型半導(dǎo)體呢?什么叫N型半導(dǎo)體呢?

像純硅,稱之為本征半導(dǎo)體,但是本征半導(dǎo)體里的載流子太少,沒(méi)啥用。

想要增加載流子濃度,就要摻雜。

那什么叫摻雜呢?

硅最外層有四個(gè)電子,稱為價(jià)電子。當(dāng)外層價(jià)電子數(shù)為8時(shí),原子最穩(wěn)定。

本征半導(dǎo)體上,一個(gè)硅原子周圍有4個(gè)硅原子,這4個(gè)硅原子分別出一個(gè)價(jià)電子與中間的硅原子的4個(gè)價(jià)電子結(jié)合,形成共價(jià)健。這樣,對(duì)每個(gè)硅原子來(lái)說(shuō),就有8個(gè)價(jià)電子。

就像我有個(gè)女兒,我朋友有個(gè)兒子,我女兒認(rèn)我朋友做干媽,我朋友兒子認(rèn)我做干媽,這樣,我和我朋友就都既有女兒又有兒子了。

硅形成的本征半導(dǎo)體也一樣,我拿出一個(gè)價(jià)電子,你拿出一個(gè)價(jià)電子,這樣,我們就都有兩個(gè)價(jià)電子了。

外圍都有8個(gè)價(jià)電子,穩(wěn)定是穩(wěn)定了,但是也是板磚一塊,沒(méi)啥用啊。

摻雜,就是用價(jià)電子數(shù)比硅多的原子或價(jià)電子數(shù)比硅少的原子來(lái)取代其中的一些硅原子。讓自由載流子數(shù)多起來(lái)。

比如說(shuō)P原子,有5個(gè)價(jià)電子。拿出4個(gè),與周圍的4個(gè)硅原子共享后,還多一個(gè)電子。這個(gè)電子就成為自由電子

再比如說(shuō)B原子,有3個(gè)價(jià)電子。那個(gè)周圍的4個(gè)硅原子,只有3個(gè)形成共價(jià)鍵了,還有一個(gè),只有孤零零的一個(gè)電子,旁邊空出來(lái)一個(gè)位置??昭ň彤a(chǎn)生了。

那PN結(jié)都有啥作用呢?

這就要看PN結(jié)處在什么狀態(tài)下了。一個(gè)PN結(jié),結(jié)的一頭是P型半導(dǎo)體,結(jié)的另一頭是N型半導(dǎo)體。P型的那頭,我們稱為陽(yáng)極,N型的那頭,我們稱為陰極

 

我們可以對(duì)PN結(jié)什么都不干,也可以給他施加正向電壓,也可以給他施加反向電壓

那如果不對(duì)PN結(jié)做什么,它會(huì)發(fā)生什么呢?

當(dāng)PN結(jié)外部沒(méi)有電壓時(shí)。表面看,好像什么都沒(méi)發(fā)生。但其實(shí)內(nèi)部也是風(fēng)起云涌。

想知道內(nèi)部發(fā)生什么,我們又需要先了解載流子的兩種運(yùn)動(dòng)方式。

一種,我們稱之為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),對(duì)應(yīng)形成的電流稱為擴(kuò)散電流。

擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是由濃度梯度引起的,就是說(shuō),載流子會(huì)自發(fā)的從高濃度地方向低濃度運(yùn)動(dòng)。

另一種,被稱之為飄移運(yùn)動(dòng),對(duì)應(yīng)形成的電流稱為飄移電流。

飄移運(yùn)動(dòng)是由電場(chǎng)引起的,載流子受到電場(chǎng)力的作用而運(yùn)動(dòng)。

外部無(wú)任何連接的PN結(jié),內(nèi)部主要是擴(kuò)散電流。

N型半導(dǎo)體中,載流子主要是電子,電子多,空穴少。

P型半導(dǎo)體中,載流子主要是空穴,空穴多,電子少。

電子會(huì)想從N型半導(dǎo)體處,流向P型半導(dǎo)體處??昭▌t是想從P型半導(dǎo)體流向N型半導(dǎo)體。從而形成擴(kuò)散電流。所謂空穴流動(dòng),其實(shí)也是電子的流動(dòng),因?yàn)榭昭ㄖ傅氖请娮恿鲃?dòng)出去,而形成的空的位置。

當(dāng)電子從N型半導(dǎo)體流出時(shí),就會(huì)留下陽(yáng)離子;而空穴從P型半導(dǎo)體流出,則會(huì)留下負(fù)離子。

這些正負(fù)離子,分布在PN結(jié)附近的兩邊,形成耗盡區(qū)。之所以稱其耗盡區(qū),是因?yàn)樵谶@區(qū)域,自由載流子都被耗盡了。

這個(gè)耗盡區(qū)則會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng),這個(gè)電場(chǎng)對(duì)載流子產(chǎn)生的力與載流子流動(dòng)的方向相反,所以會(huì)阻礙擴(kuò)散電流的形成。等兩者達(dá)到平衡時(shí),則PN結(jié)則處于無(wú)電流流動(dòng)的狀態(tài)。

那如果對(duì)PN結(jié)施加反向電壓呢,所謂反向電壓,即是在n端加正電壓,p端加負(fù)電壓。

 

因?yàn)橥饨与妷寒a(chǎn)生的電場(chǎng)與內(nèi)部PN結(jié)處的電場(chǎng)同向,所以會(huì)增強(qiáng)PN結(jié)處的內(nèi)電場(chǎng)。而內(nèi)電場(chǎng)的增強(qiáng),則需要更多的正負(fù)離子形成。所以耗盡區(qū)會(huì)變寬。

如果將n端和p端,看成兩個(gè)平板,而中間的正離子和負(fù)離子,則可看做平板上的電荷。此時(shí),PN結(jié)近似于一個(gè)電容。

耗盡區(qū)增寬,可以看作兩平板之間的距離拉大,即電容容值變小。

所以嘍,當(dāng)加反向電壓時(shí),雖然增強(qiáng)的電場(chǎng)會(huì)阻礙擴(kuò)散電流的流動(dòng),但是它確提供了一個(gè)重要的功能。

那就是,當(dāng)反向電壓變化時(shí),PN結(jié)呈現(xiàn)出來(lái)的容值也變化,這個(gè)特性就相當(dāng)于一個(gè)可調(diào)電容在手啊。

那如果PN結(jié)上施加正向電壓呢?

所謂正向電壓,就是p端加正電,n端加負(fù)電。

 

當(dāng)施加正電壓時(shí),外部電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)削弱內(nèi)部電場(chǎng),進(jìn)而使得擴(kuò)散電流的阻力減小,所以會(huì)有更多的載流子的流動(dòng),進(jìn)而產(chǎn)生大的擴(kuò)散電流。

這時(shí),兩端對(duì)應(yīng)的多子的濃度變化相對(duì)不太明顯,但是少子的濃度則迅速增加。

 

PN結(jié)兩端的正向電壓與電流呈如下關(guān)系:

 

當(dāng)施加在PN結(jié)兩端的正向電壓增加60mV時(shí),電流增加10倍。

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