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中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》起草工作啟動會于 2020 年 11 月 11 日上午在國宏中晶集團(tuán)總部會議室順利召開。
《碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)由國宏中宇科技發(fā)展有限公司（下稱“國宏中宇”）牽頭，邀請?zhí)炜坪线_(dá)半導(dǎo)體股份有限公司和北京聚睿眾邦科技有限公司參與起草，聯(lián)盟副秘書長鄭紅軍女士、國宏中宇王錫銘副總工程師、聚睿眾邦總經(jīng)理閆方亮博士、國宏中宇高級技術(shù)主管劉素娟、天科合達(dá)工程師王大軍等 7 人參加了此次啟動會。會議由團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)項目負(fù)責(zé)人國宏中宇王錫銘副總工程師主持。?
啟動會現(xiàn)場
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首先王錫銘副總工程師向大家簡單介紹了公司的基本情況，以及公司在碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化方面取得的一些進(jìn)展。鄭紅軍副秘書長向大家介紹了聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的建設(shè)情況及意義。國宏中宇高級技術(shù)主管劉素娟向大家匯報了團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)工作小組的情況，以及項目的實施情況。會議針對《碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項項目的內(nèi)容進(jìn)行了討論，參加人員對這項標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容提出自己的想法和修改建議。通過討論，明確了標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容和實施細(xì)節(jié)，并制定了團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的實施計劃。會后，王錫銘副總工程師和鄭紅軍副秘書長與聚睿眾邦總經(jīng)理閆方亮博士就襯底和外延的產(chǎn)業(yè)驗證相關(guān)檢測技術(shù)問題進(jìn)行了更深入的交流。
碳化硅材料作為新一代半導(dǎo)體材料，具有很廣泛的應(yīng)用前景，所以，制定碳化硅材料和器件相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)具有重要意義，希望有更多的單位能夠參與到標(biāo)準(zhǔn)的起草工作中來。
