和解才是臺(tái)積電與格芯專利戰(zhàn)的最終歸宿？

自格芯 2019 年 8 月 26 日在美國(guó)與德國(guó)提出對(duì)臺(tái)積電的侵權(quán)訴訟后，各界都在關(guān)注臺(tái)積電的應(yīng)對(duì)策略。而在美國(guó)時(shí)間 2019 年 9 月 26 日，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)正式基于格芯的侵權(quán)申訴，對(duì)包含臺(tái)積電在內(nèi)的 22 家半導(dǎo)體廠商啟動(dòng) 337 調(diào)查，似乎也促使臺(tái)積電加快應(yīng)對(duì)腳步，采取正式的法律手段以捍衛(wèi)自身權(quán)益。

2019 年 9 月 30 日臺(tái)積電正式對(duì)格芯提出侵權(quán)訴訟，至此，過(guò)去全球前二的晶圓代工廠或?qū)⒄綄?duì)簿公堂，掀起市場(chǎng)對(duì)雙方策略布局的諸多討論，讓晶圓代工產(chǎn)業(yè)再次增添話題性。

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臺(tái)積電祭出訴訟反擊格芯，然而和解方案或許對(duì)雙方影響最小

根據(jù)臺(tái)積電公布的新聞稿，臺(tái)積電于 2019 年 9 月 30 日在美國(guó)、德國(guó)及新加坡三地對(duì)格芯提出多項(xiàng)專利侵權(quán)訴訟，控告格芯侵犯臺(tái)積電涵蓋成熟及先進(jìn)制程技術(shù)核心功能的 25 項(xiàng)專利，涉及技術(shù)包括 FinFET 設(shè)計(jì)、淺溝槽隔離技術(shù)、雙重曝光方法、先進(jìn)密封環(huán)及閘極結(jié)構(gòu)，以及創(chuàng)新的接觸蝕刻停止層設(shè)計(jì)等，這些技術(shù)廣泛應(yīng)用在 40nm、28nm、22nm、14nm 及 12nm 等制程。

此外，臺(tái)積電此訴訟中亦要求法院核發(fā)禁制令，禁止格芯生產(chǎn)及銷售侵權(quán)之半導(dǎo)體產(chǎn)品，以及對(duì)非法使用臺(tái)積電半導(dǎo)體專利技術(shù)與銷售侵權(quán)產(chǎn)品之格芯尋求實(shí)質(zhì)性的損害賠償。

對(duì)臺(tái)積電而言，提出侵權(quán)訴訟舉動(dòng)不單是臺(tái)面上的反擊，更有機(jī)會(huì)迫使格芯評(píng)估彼此在冗長(zhǎng)訴訟過(guò)程可能造成的損失。

目前臺(tái)積電未公布確切侵權(quán)的專利號(hào)碼，但從專利包含的技術(shù)層面來(lái)看，與格芯提出的頗有些相似之處，因此在侵權(quán)判斷上可能會(huì)依循相同的邏輯或判斷原則，代表若一項(xiàng)專利侵權(quán)勝訴，相對(duì)應(yīng)或類似的另一項(xiàng)專利也有勝訴可能，反之亦然。

如此一來(lái)，或許較難定義出絕對(duì)的勝利者。假使這類情況出現(xiàn)，不管對(duì)格芯或臺(tái)積電都將會(huì)是兩面刃，損傷對(duì)方戰(zhàn)力的同時(shí)卻不一定能利己，有鑒于此，雙方尋求和解或互相撤銷告訴的機(jī)會(huì)就可能增加，將彼此的損失做最小化處理方為上策。

臺(tái)積電與格芯訴訟涉及重點(diǎn)制程，若出現(xiàn)利益?zhèn)t競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手或有受惠可能

分析雙方提出訴訟涉及的制程范圍來(lái)看，格芯瞄準(zhǔn)臺(tái)積電主要極具產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的制程，即 28nm、16nm、12nm、10nm 及 7nm，在 2019 年第二季占比達(dá) 45%，尤其臺(tái)積電 7nm 業(yè)績(jī)良好，產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)增，估計(jì) 28nm 以下制程營(yíng)收占比將持續(xù)上升，是格芯瞄準(zhǔn)能牽制臺(tái)積電的重要目標(biāo)。

此外，格芯是目前市場(chǎng)上極力推廣 SOI 相關(guān)產(chǎn)品的廠商之一，在臺(tái)積電鮮少著墨 SOI 技術(shù)的情況下，或許也希望藉由專利侵權(quán)訴訟效果來(lái)提升自家的 FD-SOI 技術(shù)市占率。

另一方面，臺(tái)積電訴訟涉及的制程范圍雖影響不到格芯的 FD-SOI 相關(guān)產(chǎn)品，但范圍擴(kuò)及格芯的成熟制程 40nm，且在格芯停止研發(fā) 7nm 制程后，轉(zhuǎn)而力求優(yōu)化 12nm 制程效能表現(xiàn)，因此臺(tái)積電提出有關(guān) FinFET 閘極設(shè)計(jì)、雙重曝光方法及接觸蝕刻停止層設(shè)計(jì)等相關(guān)專利，對(duì)格芯也就有著不小的潛在可能影響；倘若專利証實(shí)侵權(quán)，等于又進(jìn)一步抑制格芯在晶圓代工第二梯隊(duì)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

值得一提的是，雙方瞄準(zhǔn)的制程范圍影響層面廣且重要性之高，或許也會(huì)讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手尋找得利的機(jī)會(huì)點(diǎn)。無(wú)論從技術(shù)發(fā)展或營(yíng)收來(lái)看，Samsung 與聯(lián)電正好是臺(tái)積電與格芯最主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，若此番訴訟的結(jié)果讓雙方互傷元?dú)猓赡芙o予 Samsung 與聯(lián)電追趕的契機(jī)，尤其聯(lián)電與格芯在技術(shù)與營(yíng)收上相近，加上聯(lián)電在日本完成的收購(gòu)計(jì)劃與格芯 2020 年將交割廠房，倘若格芯在法律過(guò)程中有所損失，相信會(huì)縮小領(lǐng)先聯(lián)電差距，甚或有被聯(lián)電超越的機(jī)會(huì)。
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