國(guó)產(chǎn)SiC多環(huán)節(jié)突破：主驅(qū)芯片/液相法/激光剝離...

“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國(guó)產(chǎn)SiC近期在粉料、主驅(qū)芯片、液相法及設(shè)備等環(huán)節(jié)均取得實(shí)質(zhì)性突破：

●?一汽紅旗：自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。

●?連科半導(dǎo)體：液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐順利驗(yàn)收。

●?匯川聯(lián)合動(dòng)力：推出Si-SiC混合模塊電機(jī)控制器，已完成A樣的開發(fā)與驗(yàn)證。

●?山西中電科：成功攻克石墨粉提純工藝關(guān)鍵難題，石墨粉純度達(dá)到6.5N。

●?通用半導(dǎo)體：自研設(shè)備8英寸碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備成功交付。

一汽紅旗：SiC功率芯片完成首次流片

10月22日，“紅旗研發(fā)新視界”官微宣布，由研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。

據(jù)介紹，這款芯片專注于整車電驅(qū)動(dòng)、智慧補(bǔ)能、車載電源、高壓配電、電動(dòng)化底盤等系統(tǒng)應(yīng)用需求，采用了創(chuàng)新的低導(dǎo)通電阻元胞結(jié)構(gòu)、高元胞密度版圖、高可靠性終端結(jié)構(gòu)及片上柵極電阻集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了超過1200V的擊穿電壓和小于15mΩ的導(dǎo)通電阻。

這一成就標(biāo)志著紅旗在高性能電動(dòng)汽車開發(fā)領(lǐng)域初步建立了碳化硅功率芯片設(shè)計(jì)能力，并且成功引入了半導(dǎo)體行業(yè)的Fabless（無晶圓廠）合作模式到汽車產(chǎn)品開發(fā)實(shí)踐中。

連科半導(dǎo)體：液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐驗(yàn)收

10月22日，“連城數(shù)控”官微宣布，公司近日在液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐領(lǐng)域取得關(guān)鍵性進(jìn)展，液相法碳化硅(感應(yīng))加熱長(zhǎng)晶爐及液相法碳化硅電阻加熱長(zhǎng)晶爐已順利在客戶現(xiàn)場(chǎng)完成驗(yàn)收。

據(jù)消息披露，連科半導(dǎo)體憑借在直拉單晶和碳化硅單晶生長(zhǎng)領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)，設(shè)計(jì)推出了具有特色的液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐。這些長(zhǎng)晶爐設(shè)計(jì)靈活，支持多種加熱方式，能夠適應(yīng)6至8英寸單晶生長(zhǎng)的需求，同時(shí)擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)提供快速響應(yīng)和專業(yè)服務(wù)，以提高生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。

連科半導(dǎo)體表示，液相法技術(shù)在細(xì)分領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，尤其適用于生長(zhǎng)P型碳化硅襯底。它不僅可以實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)低位錯(cuò)密度、高品質(zhì)的碳化硅晶片，還能顯著提升碳化硅晶片的生產(chǎn)成品率并降低成本。目前，液相法長(zhǎng)晶技術(shù)已成為技術(shù)和產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。然而，要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化落地，還需要設(shè)備制造商與襯底生產(chǎn)商的高度協(xié)作和配合，共同推動(dòng)國(guó)內(nèi)液相法技術(shù)的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

匯川聯(lián)合動(dòng)力：發(fā)布全新混碳電控

10月15日，據(jù)“匯川聯(lián)合動(dòng)力”官微消息，他們最近發(fā)布了一款新型電機(jī)控制器——PD4H混碳電控。這款產(chǎn)品采使用了英飛凌的IGBT和SiC MOSFET混合模塊，實(shí)現(xiàn)了高效率和強(qiáng)兼容性。

據(jù)悉，PD4H混碳電控的峰值功率可以覆蓋150至250kW的動(dòng)力總成系統(tǒng)，滿足從A/B/C級(jí)轎車到中大型SUV和MPV等多種車型的動(dòng)力輸出要求。目前，該產(chǎn)品已完成A樣的開發(fā)與驗(yàn)證。

這款電控的效率極高，CLTC工況下的實(shí)測(cè)效率達(dá)到98.5%，相較于Si基器件電機(jī)控制器提升了1.5%。同時(shí)，PD4H混碳電控在成本上比全SiC器件大幅降低，但僅損失0.3%的工況效率，能為整車帶來約3%的續(xù)航里程提升，有效減少電池成本。

PD4H混碳電控的設(shè)計(jì)允許直接替代升級(jí)現(xiàn)有產(chǎn)品，無需額外開發(fā)專用驅(qū)動(dòng)芯片，兼容現(xiàn)有電路設(shè)計(jì)。其性能強(qiáng)勁，峰值功率250kW，母線電壓覆蓋210~485VDC，峰值電流620Arms，且器件結(jié)溫可支持長(zhǎng)時(shí)間175℃工作。

山西中電科：石墨粉純度高達(dá)6.5N

10月12日，據(jù)“山西中電科”官微消息，日前，山西中電科新能源技術(shù)有限公司在超高純石墨粉純化領(lǐng)域取得了重大突破——

公司成功攻克了石墨粉提純工藝的關(guān)鍵難題，純度指標(biāo)達(dá)到了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。他們采用自主研發(fā)的純化設(shè)備，對(duì)原始灰分為700ppm（99.93%）的石墨粉進(jìn)行提純處理，提純后的石墨粉純度達(dá)到6.5N（99.99995%），且所有金屬元素均低于檢測(cè)極限值。

山西中電科表示，他們將繼續(xù)加強(qiáng)關(guān)鍵核心技術(shù)的研發(fā)，以提升自身的核心競(jìng)爭(zhēng)力。這一成就標(biāo)志著公司在石墨粉純化技術(shù)方面邁出了重要一步。

通用半導(dǎo)體：SiC激光剝離設(shè)備交付

10月11日，據(jù)無錫日?qǐng)?bào)消息，江蘇通用半導(dǎo)體有限公司自研設(shè)備8英寸碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備，于日前正式交付廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，并投入生產(chǎn)。

通用半導(dǎo)體董事長(zhǎng)陶為銀表示，該產(chǎn)品與傳統(tǒng)的線切割工藝相比，大幅降低了產(chǎn)品損耗，而設(shè)備售價(jià)僅僅是國(guó)外同類產(chǎn)品的三分之一，屬于國(guó)內(nèi)首套。

資料顯示，通用半導(dǎo)體的發(fā)展歷程包括多個(gè)激光微納加工領(lǐng)域的技術(shù)突破，其中，該公司在2023年成功研發(fā)出國(guó)內(nèi)首臺(tái)8英寸全自動(dòng)SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線。據(jù)悉，江蘇通用通過自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功剝離出厚度僅為130微米的超薄碳化硅晶圓片，顯著降低了生產(chǎn)成本。

陶為銀還提到，公司的設(shè)備自動(dòng)化水平不斷提高，實(shí)現(xiàn)了6英寸和8英寸晶錠的全自動(dòng)分片，提高了速度和良品率。隨著新設(shè)備的陸續(xù)推向市場(chǎng)，通用半導(dǎo)體的訂單已排至明年。公司的研發(fā)人員占比近40%，全部產(chǎn)線投入生產(chǎn)后，預(yù)計(jì)每年可剝離碳化硅襯底2萬片。此外，公司還計(jì)劃進(jìn)一步加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。