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SK海力士9月26日宣布，已開始量產(chǎn)全球首款12層HBM3E，實現(xiàn)現(xiàn)有高帶寬存儲器（HBM）最大容量36GB（千兆字節(jié)）。
現(xiàn)有的HBM3E為24GB，8顆3GB DRAM芯片垂直堆疊，12層HBM3E最大容量顯著增加。
SK海力士12層HBM3E量產(chǎn)產(chǎn)品計劃年內(nèi)供貨給客戶。去年3月，SK海力士率先向NVIDIA供應(yīng)HBM3E 8層產(chǎn)品，并在短短六個月內(nèi)開始量產(chǎn)12層HBM3E產(chǎn)品。
SK海力士解釋說，其 12層HBM3E產(chǎn)品在人工智能 (AI) 內(nèi)存的所有重要領(lǐng)域（包括速度、容量和穩(wěn)定性）均符合世界最高標(biāo)準。
SK海力士將該產(chǎn)品的運行速度提高到了9.6Gbps，是現(xiàn)有內(nèi)存的最高速度。這是在運行大型語言模型（LLM）“Rama 3 70B”時，使用配備四個該產(chǎn)品的單個圖形處理單元（GPU）時，每秒可以讀取 35 次總共 700 億個參數(shù)的水平。
此外，12顆3GB DRAM芯片以與現(xiàn)有8層產(chǎn)品相同的厚度堆疊，容量增加了50%；為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，單個 DRAM 芯片比以前薄了 40%，并垂直堆疊。
此外，將更薄的芯片堆疊得更高時出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)問題也得到了解決。SK海力士將其核心技術(shù)Advanced MR-MUF工藝應(yīng)用于該產(chǎn)品，散熱性能較上一代提升10%，并通過加強彎曲控制確保產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性。
MR-MUF是一種堆疊半導(dǎo)體芯片，然后將液體保護材料注入并硬化到空間中以保護芯片之間的電路的工藝。
SK海力士計劃通過12層HBM3E的量產(chǎn)成功，保持其在AI內(nèi)存市場領(lǐng)先的地位。
SK 海力士總裁 Kim Joo-seon 表示：“我們已經(jīng)證明了我們作為無與倫比的 AI 內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)者的地位，我們將通過穩(wěn)步準備下一步，繼續(xù)保持我們作為‘全球第一大 AI 內(nèi)存提供商’的地位?！?/p>
