目標(biāo)8英寸SiC！這兩家企業(yè)宣布聯(lián)手

就在剛剛，Soitec和Resonac宣布達(dá)成8英寸復(fù)合型SiC合作開(kāi)發(fā)協(xié)議——

9月24日下午，Resonac（原昭和電工）官網(wǎng)宣布，他們與Soitec簽訂了聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議，雙方將共同開(kāi)發(fā)8英寸SiC——Resonac將在8英寸襯底制造中采用Soitec的SmartSiC?技術(shù)，最終提高8英寸碳化硅外延的生產(chǎn)效率，并實(shí)現(xiàn)碳化硅外延片業(yè)務(wù)供應(yīng)鏈的多樣化。

目前，Resonac正在積極擴(kuò)徑，其8吋SiC外延片已開(kāi)始向客戶送樣。為確保SiC襯底產(chǎn)能供應(yīng)，Resonac最近也宣布了擴(kuò)產(chǎn)——

9月12日，Resonac在日本山形縣東根市工廠內(nèi)新建了一條專門生產(chǎn)SiC襯底的產(chǎn)線，并舉行了開(kāi)工儀式，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年第三季度竣工。

Soitec表示，通過(guò)Smart Cut?技術(shù)制造的SmartSiC?襯底，具有非常高的質(zhì)量，能夠優(yōu)化器件良率。SmartCut?工藝可提高碳化硅單晶襯底的重復(fù)利用率，實(shí)現(xiàn)高水平的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。其研究表明，SmartCut SiC可將碳化硅襯底的電阻率降低至少4倍，電阻率的顯著降低可以使SiC MOSFET尺寸縮小5-15%。

除Resonac外，Soitec還與意法半導(dǎo)體等多家企業(yè)合作，推進(jìn)SmartSiC?技術(shù)的量產(chǎn)：

●?2022年，意法半導(dǎo)體就曾與Soitec達(dá)成合作，以驗(yàn)證8吋復(fù)合型SiC襯底，并表示有望在中期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

●?今年5月23日，X-FAB和Soitec共同宣布，雙方在經(jīng)過(guò)評(píng)估階段后正式達(dá)成合作，Soite將為X-FAB位于德克薩斯州拉伯克的工廠供應(yīng)SmartSiC晶圓，用于生產(chǎn)碳化硅功率器件。

同期，Soitec還宣布與東海炭素建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，東洋炭素將利用其在多晶碳化硅（polySiC）方面的技術(shù)和制造能力去配合Soitec SmartSiC?的生產(chǎn)，以加強(qiáng) SmartSiC 生態(tài)系統(tǒng)。