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在半導體制造中會使用很多英文詞匯，而英文詞匯在翻譯為漢語的過程中，意思往往會出現(xiàn)偏差，后面的幾期，Tom會針對幾大工序中常見的半導體術語做一個歸納總結，有些術語會做必要的解釋。
1，alignment：對準
2，ARC：抗反射層，其中BARC是底部抗反射層，TARC是頂部抗反射層，見文章：芯片制造中的抗反射層（TRAC&BRAC）
3，bake，oven：烘烤，soft bake是軟烘，勻膠之后，hard bake是后烘，顯影之后，PEB是曝光后烘烤
4，CCD：charge coupled device，電荷耦合陣列成像探測器
5，CD：critical dimension，特征尺寸，即線寬，芯片上最小尺寸
6，contrast：對比度
7，developer dispense：噴淋式顯影
8，DI water：去離子水
9，DOF：Depth of Focus，焦深
10，DUV：deep ultraviolet，深紫外線
11，EBR：edge bead removal，邊緣膠去除
12，EUV：extremely ultra-violet，極紫外
13，Exposure：曝光
14，gap：間隙
15，G/H/i line：G線，H線，i線，波長分別為436nm，405nm，365nm
16，HMDS：六甲基二硅氮烷，見文章：氣相 HMDS工序介紹
17，hydrophobicity：疏水性
18，LWR：線寬粗糙度
19，leveling：找平
20，MEF：mask error factor，掩膜板誤差因子，在硅片上曝出的線寬對掩膜板線寬的偏導數(shù)
21，metrology：量測
22，NA：Numerical Aperture，數(shù)值孔徑，
23，Overlay Accuracy：套刻精度
24，PAG：光酸產生劑
25，pellicle：掩膜板保護膜
26，Photolithography：光刻
27，photoresist，resist：光刻膠
28，puddle：顯影液在晶圓表面停留
29，reticle，mask，photomask：掩膜版，光罩
30，resolution：光刻的分辨率
31，rinse：清洗
32，shot：曝光區(qū)域
33，sidewall angle：側墻傾斜度
34，slit：狹縫
35，standing wave：駐波
36，step-and-repeat：步進分塊曝光
37，step-and-scan：步進分塊掃描曝光
38，spin dry：甩干
39，thickness：厚度
40，undercut：內切
41，UV：紫外線（光）
42，wave length：波長
由于篇幅有限，今天先總結到這里，下期繼續(xù)總結。
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