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昨天，英飛凌又宣布一里程碑事件——成功開發(fā)出全球首款12英寸氮化鎵晶圓，并計劃在2024年11月慕尼黑electronica貿(mào)易展上首次向公眾展示。
9月11日，英飛凌在官網(wǎng)宣布，他們在奧地利Villach功率工廠中，成功利用現(xiàn)有的 12英寸的硅基半導(dǎo)體生產(chǎn)線，在一條集成試驗線上制造出了12英寸GaN 晶圓，標(biāo)志著英飛凌在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。
英飛凌表示，12英寸晶圓上的芯片生產(chǎn)在技術(shù)上更先進(jìn)，效益更高，與8英寸晶圓相比，單片晶圓可容納 2.3 倍的芯片。
英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這一顯著的成功是我們創(chuàng)新實(shí)力和全球團(tuán)隊不懈努力的結(jié)果，展示了我們在氮化鎵和功率系統(tǒng)領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位。這項技術(shù)突破將成為行業(yè)的游戲規(guī)則改變者，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購GaN Systems近一年后，我們再次證明了我們決心成為快速增長的氮化鎵市場的領(lǐng)導(dǎo)者。作為功率系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌已掌握了所有三種相關(guān)材料：硅、碳化硅和氮化鎵?！?/p>
英飛凌進(jìn)一步介紹道，300毫米氮化鎵技術(shù)的一個顯著優(yōu)勢在于能夠與現(xiàn)有的300毫米硅制造設(shè)備兼容，這得益于氮化鎵和硅在生產(chǎn)過程中的相似性。英飛凌已經(jīng)擁有的高產(chǎn)量300毫米硅生產(chǎn)線，為測試和實(shí)施氮化鎵技術(shù)提供了理想的平臺，這不僅加快了技術(shù)的推廣速度，還提高了資本的利用效率。當(dāng)300毫米氮化鎵生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)全面規(guī)?；瘯r，將有助于在特定性能指標(biāo)（如R DS(on)）上實(shí)現(xiàn)氮化鎵與硅的成本平價，這意味著在性能相當(dāng)?shù)臈l件下，氮化鎵和硅產(chǎn)品的成本將趨于一致。
未來，英飛凌將根據(jù)市場需求進(jìn)一步擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能，300mm氮化鎵制造將使英飛凌能夠塑造不斷增長的氮化鎵市場，預(yù)計到本十年末市場規(guī)模將達(dá)到數(shù)十億美元。
實(shí)際上，除英飛凌外，全球還有4家企業(yè)也曾宣布實(shí)現(xiàn)了12英寸GaN突破，分別是信越化學(xué)、晶湛半導(dǎo)體、英特爾及IVWorks——
●?英特爾：推出12英寸GaN器件
2021年6月，英特爾展示了其首款氮化鎵(GaN)?穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器最獨(dú)特之處在于采用了5項技術(shù)，將GaN功率和GaN射頻晶體管，與硅PMOS的整合成一個片上系統(tǒng)，既可以實(shí)現(xiàn)高頻操作，又可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。而且該器件是基于12英寸硅晶圓，成本十分有優(yōu)勢。
●?信越化學(xué)：開發(fā)出面向GaN的12英寸QST?襯底
9月3日，信越化學(xué)株式會社宣布，他們推出了300 毫米（12 英寸）QST? 襯底，這是一種專用于 GaN 的生長襯底，最近開始供應(yīng)樣品。
據(jù)悉，信越化學(xué)已經(jīng)在150毫米和200毫米的QST?襯底設(shè)備上進(jìn)行了增強(qiáng)，并計劃未來進(jìn)行300毫米QST?襯底的量產(chǎn)化。
●?晶湛半導(dǎo)體：展示12英寸GaN外延
2021年9月，晶湛半導(dǎo)體向公眾展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片，為采用主流的12英寸CMOS生產(chǎn)線制造GaN HEMT晶體管鋪平了道路。
據(jù)介紹，早在2014年晶湛就推出商用的8英寸硅基GaN高壓HEMT外延片；他們將其AlGaN/GaN HEMT外延工藝轉(zhuǎn)移到12英寸硅襯底，同樣保持了出色的厚度均勻性和50μm以內(nèi)的低晶圓翹曲。
● IVWorks：建設(shè)了12英寸氮化鎵生產(chǎn)設(shè)施
IVWorks是一家韓國氮化鎵外延企業(yè)，成立于2011 年。該公司是韓國第一家實(shí)現(xiàn)8英寸硅基GaN外延片和6英寸碳化硅基GaN外延片的晶圓廠，并且有消息稱，他們已在韓國首次建設(shè)了12英寸氮化鎵生產(chǎn)設(shè)施。
