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英飛凌亮相2024 PCIM 以創(chuàng)新半導體解決方案推動低碳化和數(shù)字化

08/30 07:02
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8月28-30日,英飛凌Infineon)亮相于深圳舉辦的 “2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)”,圍繞“數(shù)字低碳,共創(chuàng)未來”的品牌愿景,展示了其涵蓋范圍廣泛的硅(Si)、碳化硅SiC)和氮化鎵GaN)功率電子產(chǎn)品組合,其中多款應用于可再生能源、電動交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。

這個夏天,全球多地出現(xiàn)超50度高溫,創(chuàng)歷史新高,氣候變暖趨勢日益嚴峻。因此,由傳統(tǒng)的化石能源向新能源轉換刻不容緩,半導體尤其是以SiC和GaN為代表的第三代半導體材料扮演著重要角色。

英飛凌亮相2024 PCIM

此次PCIM,通過設立“綠色能源與工業(yè)”、 “高能效與智能家居”、 “電動交通和電動出行”共三大主題展區(qū),英飛凌多維度、全方位地展示了其涵蓋電力電子全產(chǎn)業(yè)鏈的眾多創(chuàng)新產(chǎn)品、高能效解決方案和本土客戶應用案例。

綠色能源與工業(yè)

在綠色能源與工業(yè)展區(qū),英飛凌攜多款新品亮相,涵蓋最新的CoolSiC? MOSFET G2,全新的4.5kV XHP? 3 IGBT功率模塊以及1200V CIPOS? Maxi IPM和固態(tài)隔離器等,首次展示了英飛凌在風能、光伏、儲能、充電樁、工業(yè)驅動和自動化以及采暖通風等應用領域的完整產(chǎn)品解決方案。

與硅基產(chǎn)品相比,碳化硅可將快速充電站的效率提升2%,從而將充電時間縮短25%左右。英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V G2技術,與上一代產(chǎn)品相比,在確保質量和可靠性的前提下,MOSFET的主要性能指標(e.g.能量損耗和存儲電荷)優(yōu)化了20%。結合屢獲殊榮的.XT封裝技術,使芯片的瞬態(tài)熱阻降低了25%甚至更高,使用壽命延長了80%,進一步提升了基于CoolSiC? G2的設計潛力,從而實現(xiàn)更高效率、更低功耗

今天,許多應用都出現(xiàn)了采用更小IGBT模塊,將復雜設計轉移給產(chǎn)業(yè)鏈上游的明顯趨勢。為了順應小型化和集成化的全球趨勢,英飛凌推出了4.5kV XHP? 3 IGBT模塊,旨在改變目前采用兩電平和三電平拓撲結構且使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器(MVD)與交通運輸?shù)膽檬袌觥T诓唤档托实那闆r下讓驅動器實現(xiàn)尺寸小型化和效率最大化,給大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、工程和農(nóng)用車輛(CAV)諸多應用帶來裨益。

英飛凌“綠色能源與工業(yè)”展區(qū)重點展示的解決方案

此外,英飛凌最新推出的高性能1200V CIPOS? Maxi 智能功率模塊系列首次亮相,產(chǎn)品組合包括三款新產(chǎn)品 IM12B10CC1、IM12B15CC1和 IM12B20EC1,電流規(guī)格從10A到20A不等,輸出功率最高可達4.0kW,適用于電機驅動、泵、風扇以及供暖、通風和空調用室外風扇等中低功率驅動器應用,堪稱最小封裝、最高功率密度的性價比之選。

高能效與智能家居

隨著人形機器人的快速發(fā)展,基于傳統(tǒng)的硅基半導體開關器件所設計的馬達驅動,在提高功率密度方面面臨較大挑戰(zhàn)。英飛凌最新推出的中壓氮化鎵產(chǎn)品及基于中壓氮化鎵的2kW馬達驅動解決方案將開關頻率從20kHz提高到100kHz,大幅提升功率密度,同時進一步提高了整機的系統(tǒng)效率。

當前越來越多的拓撲結構需要一個理想的開關——即兩邊都能關斷并且打開,同時開關速度還要特別快。英飛凌650V 雙向開關(BDS)氮化鎵產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款雙向開關概念器件,在拓撲等應用領域,通過一顆CoolGaNTM BDS就可以實現(xiàn)之前四顆芯片才能完成的功能,簡化客戶傳統(tǒng)的雙邊開關復雜電路設計,大幅提升性能和優(yōu)化成本。該產(chǎn)品可應用于包括服務器中的母板和UPS、消費電子中的OVP和USB-OTG、電動工具中的電池管理等。

英飛凌“高能效與智能家居”展區(qū)重點展示的解決方案

基于人工智能技術的飛速發(fā)展和GPU算力的顯著增強,供電芯片面臨著提供更高功率密度的挑戰(zhàn)。英飛凌先進的16相數(shù)字控制器和高效、高可靠兩相功率模塊在有限的板載空間內(nèi)提供更高的功率密度,同時確保更準確的電流精度、動態(tài)響應的迅捷以及電源轉換效率的提升。這些解決方案還融入了多重保護機制,如過溫、過流保護等,為GPU/CPU/FPGA/ASIC等核心芯片的穩(wěn)定運行提供了可靠保障。

此外,針對AI服務器54V輸出平臺,英飛凌開發(fā)的3.3kW PSU專用Demo板,采用了英飛凌的CoolGaNTM、CoolSiCTM、CoolMOSTM設計,以及英飛凌自有的控制芯片XMC系列等完整的解決方案,可實現(xiàn)整機基準效率97.5%,功率密度高達96W每英寸立方,解決數(shù)據(jù)中心PSU高功率需求。同時,本次展會也展示了針對充電器適配器相關的應用方案,140W PD3.1 平板變壓器高密度 ACDC 適配器采用了數(shù)字控制XDPS2221 Combo IC CrM PFC 加混合反激HFB + GaN技術,展示了英飛凌高功率、高頻率、單端口的數(shù)字電源解決方案,可為客戶提供高輸出功率、高功率密度、高效率、小尺寸的產(chǎn)品。

電動交通和電動出行

在電動交通和電動出行展區(qū),英飛凌首次向國內(nèi)市場展示了旗下汽車半導體領域的HybridPACK? Drive G2 Fusion模塊和Chip Embedding功率器件,其中HybridPACK? Drive G2 Fusion模塊融合了IGBT和SiC芯片,在有效減少SiC模塊成本的情況下同時顯著提升了模塊的應用效率,而Chip Embedding則可以直接集成在PCB板中,做到極致小的雜散和極致高集成度的融合。

英飛凌“電動交通和電動出行”展區(qū)重點展示的解決方案

針對汽車電控,英飛凌電控系統(tǒng)解決方案采用第二代HybridPACK? Drive碳化硅功率模塊的電機控制器系統(tǒng)進行演示,該系統(tǒng)集成了AURIX? TC4系列產(chǎn)品、第二代1200V SiC HybridPACK? Drive模塊、第三代EiceDRIVER?驅動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等,讓現(xiàn)場觀眾身臨其境地體驗了英飛凌產(chǎn)品的卓越功能、創(chuàng)新特性及其在緩解電動汽車里程焦慮應用中所展現(xiàn)的獨特價值。

針對OBC(車載充電器)/DCDC應用,英飛凌展示了其完整的頂部散熱方案:7.2kW磁集成Tiny Box頂部散熱解決方案,實現(xiàn)了高功率密度的電氣以及高集成結構方案的有效融合;同時展示的OBC/DCDC Demo Kit囊括了英飛凌在OBC/DCDC應用里的所有相關產(chǎn)品以及不同封裝技術。

此外,英飛凌還展示了應用在商用車領域的Econodual? 250kW電源套件、碳化硅主逆變器套件(MSK)、單管焊接方案套件等。

展會期間,英飛凌還參加了由PCIM Asia主辦的相關專題研討會、“展商論壇”、“工業(yè)論壇”,與行業(yè)領袖、專家學者就AI數(shù)據(jù)中心高能效電源解決方案、寬禁帶半導體應用、飛控輕量化電控解決方案等熱點話題進行了深入交流與探討,并結合不同行業(yè)的挑戰(zhàn)與機遇,分享創(chuàng)新探索和應用成果。不僅展現(xiàn)了英飛凌在半導體技術領域的深厚底蘊與前瞻視野,更為推動低碳化與數(shù)字化進程貢獻自己的力量。

 

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