上一篇文章我們講了如何用systemvue搭建基帶模塊,這一篇文章我們來搭建一個(gè)完整的收發(fā)系統(tǒng)測試EVM和ber。
一、搭建解調(diào)模塊
按照上篇文章的步驟,可以搭建出一個(gè)解調(diào)模塊(具體見上篇文章)
搭建好調(diào)制和解調(diào)模塊,我們就可以將射頻鏈路加入進(jìn)去仿真。
添加一個(gè)放大器和混頻器、本振就完成了一個(gè)完整的發(fā)射鏈路的搭建
添加EVM測試控件
設(shè)置如下圖所示,注意因?yàn)榘l(fā)射調(diào)制器采用的是IQ調(diào)制,所以輸出為模擬波形,model需要選擇evn,接收解調(diào)采用的是復(fù)數(shù),需要選擇CX。
仿真,先將射頻器件短路,可以測一下IQ調(diào)制輸出的EVM和頻譜。
此時(shí)的測試結(jié)果為調(diào)制器理想,鏈路理想,可以看到理想的QPSK調(diào)制輸出,信噪比為60dB,EVM為0.09%
改變調(diào)制器,一般調(diào)制器的幅度不平衡為0.2dB,相位不平衡為2°
可以根據(jù)EVM的公式計(jì)算出此時(shí)的EVM分別為1.1%,1.7%,綜合計(jì)算結(jié)果EVM為2.03%
鏈路的仿真結(jié)果為2.09%,仿真結(jié)果與計(jì)算結(jié)果基本吻合。
在發(fā)射鏈路中,影響EVM的主要來源是放大器,通過更改放大器的參數(shù)可以模擬EVM的失真情況。此時(shí)的EVM為5.7%,鄰道功率為25dBc左右
混頻也會帶來EVM的惡化,一方面來源于大信號混頻器的影響,一方面來源于本振。本振對EVM的影響主要為相位噪聲的影響。
混頻器的參數(shù),混頻器的幾個(gè)參數(shù)對超外差雜散影響較大,但是不惡化EVM,對于零中頻
來說邊帶抑制,本振抑制等會影響EVM。本仿真為超外差方式。
本振參數(shù),可以通過更改相位噪聲的功率來模擬相位噪聲對EVM的影響。
-120dBm的噪聲結(jié)果。
本仿真采用的是3.84Mbps,實(shí)際帶寬約為5MHz,一般這類鎖相環(huán)的相位噪聲在-90dBc左右,假設(shè)噪聲是均勻的??梢钥吹较辔辉肼晫VM的影響。
另:此仿真過程,本號會出systemvue系列視頻,感興趣請持續(xù)關(guān)注。
最后的話
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