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芯片成品測試（FT）的技術(shù)難點主要體現(xiàn)在測試工藝流程、測試方案開發(fā)方面：
1、測試工藝流程：大功率成品測試溫度管控要求；數(shù)據(jù)及時監(jiān)控及混料防控；低溫測試溫差與防結(jié)霜控制；靜電防護與控制。
2、測試方案開發(fā)：測試程序開發(fā)要求多、設(shè)計難度大；測試板方案設(shè)計難度高；超大、超小尺寸產(chǎn)品治具設(shè)計要求。
具體分析如下：
1、測試工藝流程
1.1大功率成品測試溫度管控要求
1）成品測試中大電流項目的功耗大，一般在200瓦以上，發(fā)熱功率有數(shù)十瓦，如果無法在毫秒級時間內(nèi)消散熱量，會造成芯片的結(jié)溫急劇升高數(shù)十度，對測試帶來不利影響，因此測試過程中需要控制芯片溫度波動在±1度內(nèi)，控制難度高；
2）大功率產(chǎn)品測試中治具的熱傳導(dǎo)效率是溫度穩(wěn)定控制的關(guān)鍵，因此治具的結(jié)構(gòu)設(shè)計要求高，選材難度大。
1.2數(shù)據(jù)及時監(jiān)控及混料防控
1）由于待測產(chǎn)品體積小、數(shù)量多，芯片成品測試過程中存在混料疊料等風(fēng)險，可能導(dǎo)致誤測，測試作業(yè)管控難度高；
2）在測試過程中需要對數(shù)據(jù)進行實時解析和分析，實現(xiàn)對作業(yè)過程的實時監(jiān)控和預(yù)警，從而及時發(fā)現(xiàn)并消除混料疊料風(fēng)險。此過程中需要處理的數(shù)據(jù)量大、算法邏輯與硬件交互情況復(fù)雜，整體監(jiān)控方案設(shè)計難度高。
1.3低溫測試溫差與防結(jié)霜控制
1）由于芯片測試過程中會自身發(fā)熱，引起芯片結(jié)溫的升高，造成芯片測試的實際結(jié)溫高于其低溫測試溫度設(shè)定規(guī)格形成溫差。此外，測試座和測試板存在物理連接，會造成測試座溫度被傳遞到測試板上產(chǎn)生損耗，從而導(dǎo)致測試座和產(chǎn)品的測試溫度不符合低溫測試溫度設(shè)定規(guī)格，形成溫差。這些溫差影響產(chǎn)品低溫測試品質(zhì)，相應(yīng)的溫控解決方案設(shè)計難度大；
2）測試過程中測試板正面在低溫環(huán)境，背面在常溫環(huán)境。測試板兩面的溫差會導(dǎo)致背面的溫度低于環(huán)境溫度，引起測試環(huán)境中水汽在測試板背面結(jié)霜，從而影響測試板的電氣性能，進而影響測試結(jié)果，預(yù)防測試板結(jié)霜的治具設(shè)計難度高。
1.4靜電防護與控制
1、芯片成品測試過程中，移動部件的高頻率運動容易產(chǎn)生靜電，其電壓通常高達上千伏，靜電會對芯片造成不同程度的傷害，影響芯片的功能和可靠性，控制靜電產(chǎn)生的難度高；
2、針對作業(yè)中移動部件不斷產(chǎn)生的電荷積累，需要設(shè)計適配的、高穩(wěn)定的消散裝置以控制靜電，該等裝置的設(shè)計有一定難度。
2、測試方案開發(fā)
2.1測試程序開發(fā)要求多、設(shè)計難度大
1）每個產(chǎn)品除需要正常量產(chǎn)的測試程序外，還需要質(zhì)量抽檢、產(chǎn)品特性分析等多個測試程序的開發(fā)，所需的開發(fā)周期較長；
2）面對終端客戶產(chǎn)品分級的要求，需要設(shè)計測試程序以識別及劃分產(chǎn)品的相關(guān)等級，測試程序的開發(fā)難度大；
3）產(chǎn)品測試完成后直接面向終端客戶，測試程序開發(fā)的驗證和驗收環(huán)節(jié)復(fù)雜、難度大。
2.2測試板方案設(shè)計難度高
1）成品測試的電路板觸點因測試過程中需要頻繁接觸，故易磨損，對電路布局設(shè)計的要求高；
2）成品測試需要對測試板和治具進行組合，限制了電路設(shè)計的元器件擺放和走線，增加了電路設(shè)計難度；
3）成品測試需要設(shè)計復(fù)雜的外圍電路模擬產(chǎn)品實際使用環(huán)境，并需要考慮消除測試環(huán)境的干擾和影響，電路板設(shè)計難度高。
2.3超大、超小尺寸產(chǎn)品治具設(shè)計要求
1、超大尺寸治具需要考慮產(chǎn)品受力結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品承重的影響，并與芯片本身的封裝形式匹配，設(shè)計難度高；
2、超小產(chǎn)品的治具設(shè)計需要考慮產(chǎn)品測試過程中的運動穩(wěn)定性，設(shè)計難度高。
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