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作者：鵬程
由三星電子于去年6月發(fā)起的MDI（多芯片集成）聯(lián)盟，正涌入更多的合作者。目前，該聯(lián)盟中包括多家存儲(chǔ)、封裝基板和測試廠商在內(nèi)的合作伙伴已增至30家，較去年的20家有所增長，僅一年時(shí)間就增加了10家。
近年來，隨著AI爆火，先進(jìn)封裝的崛起逐步成為業(yè)界共識。在算力需求與電路可容納晶體管數(shù)量雙雙接近極限之時(shí)，堆疊和組合不同的芯片便被認(rèn)為是一種更具效率的芯片制造理念。
此次合作伙伴數(shù)量的增加，也反映出三星電子在半導(dǎo)體封裝技術(shù)方面的積極態(tài)度和堅(jiān)定決心。通過與更多的合作伙伴建立緊密的合作關(guān)系，三星電子可以更好地整合資源，提升技術(shù)實(shí)力，加速產(chǎn)品研發(fā)和市場推廣。同時(shí)，這也將有助于三星電子在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域取得更大的突破和進(jìn)展。
?01、臺(tái)積電、三星先后成立兩大先進(jìn)封裝聯(lián)盟
3DFabric聯(lián)盟
在2022年的開放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)系統(tǒng)論壇上，臺(tái)積電宣布開放式創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）3D Fabric聯(lián)盟成立。3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺(tái)積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺(tái)積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也讓客戶在產(chǎn)品開發(fā)方面處于領(lǐng)先地位，及早獲得從EDA及IP到DCA / VCA、存儲(chǔ)、委外封裝測試（OSAT）、基板及測試的最高品質(zhì)與既有的解決方案及服務(wù)。
這一聯(lián)盟是臺(tái)積電第六個(gè)開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）聯(lián)盟。臺(tái)積電的3DFabric技術(shù)包括前段3D芯片堆疊或TSMC-SoIC（系統(tǒng)整合芯片），以及包括CoWoS及InFO系列封裝技術(shù)的后端技術(shù)，其能夠?qū)崿F(xiàn)更佳的效能、功耗、尺寸外觀及功能，達(dá)成系統(tǒng)級整合。
除了已經(jīng)量產(chǎn)的CoWoS及InFO之外，臺(tái)積電于2022年開始生產(chǎn)系統(tǒng)整合芯片。臺(tái)積電目前在竹南擁有全球首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠，其整合了先進(jìn)測試、臺(tái)積電的系統(tǒng)整合芯片及InFO操作，提供客戶最佳的靈活性，利用更好的生產(chǎn)周期時(shí)間與品質(zhì)管制來優(yōu)化封裝。
MDI聯(lián)盟
無獨(dú)有偶，去年6月27日在第七屆三星晶圓代工論壇（SFF）上，三星宣布了最新的芯片制造工藝路線圖和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，并成立了多芯片集成（MDI）聯(lián)盟。
目前，該聯(lián)盟中包括多家存儲(chǔ)、封裝基板和測試廠商在內(nèi)的合作伙伴已增至30家。MDI聯(lián)盟主要針對的是2.5D及3D異構(gòu)集成封裝技術(shù)，這一技術(shù)旨在將多個(gè)裸晶片，如CPU、GPU、HBM（高帶寬存儲(chǔ)）等，整合到一個(gè)封裝中，以滿足高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域日益增長的需求。
隨著晶體管縮小尺度已接近極限，業(yè)界普遍認(rèn)為，通過堆疊組合不同的小芯片是更高效的做法。因此，MDI聯(lián)盟的建立和發(fā)展，對于三星電子在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域具有重要意義。有業(yè)內(nèi)人士評論稱：“三星電子正在努力通過像i-Cube這樣的異構(gòu)集成封裝技術(shù)來打破臺(tái)積電的市場優(yōu)勢，但臺(tái)積電的可靠性和技術(shù)實(shí)力不容小覷。
三星代工只有通過接受像MDI聯(lián)盟這樣的開放生態(tài)系統(tǒng)，才能迎頭趕上。”CPU和GPU在制造過程中采取不同的設(shè)計(jì)理念，盡管三星電子擁有將代工、HBM 和封裝作為“一站式”解決方案的優(yōu)勢，但仍需設(shè)計(jì)、后處理公司和 EDA工具公司等的支持。
作為全球最大的代工芯片制造商，臺(tái)積電在先進(jìn)封裝技術(shù)方面一直處于領(lǐng)先地位。三星成立MDI聯(lián)盟，通過加強(qiáng)在2.5D和3D封裝技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)和應(yīng)用，旨在縮小與臺(tái)積電在封裝技術(shù)方面的差距。通過與更多合作伙伴的緊密合作，三星可以共享技術(shù)資源、降低研發(fā)成本、加速產(chǎn)品上市時(shí)間。
?02先進(jìn)封裝漸成產(chǎn)業(yè)共識
2008年，臺(tái)積電開始布局先進(jìn)封裝，首先成立集成互連與封裝技術(shù)整合部門。2009年開始戰(zhàn)略布局三維集成電路系統(tǒng)整合平臺(tái)，在新竹、臺(tái)南、桃園、臺(tái)中建有4座先進(jìn)封測廠，這為其后續(xù)的先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。2010年，臺(tái)積電開始2.5D Interposer的研發(fā)。次年推出2.5D Interposer技術(shù)CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）。
第一代CoWoS采用65納米工藝，線寬可以達(dá)到0.25 μm，實(shí)現(xiàn)4層布線，為FPGA、GPU等高性能產(chǎn)品的集成提供解決方案。賽靈思（Xilinx）型號為“Virtex-7 2000T FPGA”的產(chǎn)品是最具代表性的CoWoS產(chǎn)品之一。
目前CoWoS已經(jīng)獲得賽靈思、英偉達(dá)、AMD、富士通、谷歌等高端HPC芯片訂單。2019年第三季CoWoS技術(shù)已經(jīng)擴(kuò)展至7納米，能夠在尺寸達(dá)二倍光罩大小的硅基板（Silicon Interposer）上異質(zhì)整合多顆7納米系統(tǒng)單晶片與第二代高頻寬存儲(chǔ)器（High Bandwidth Memory 2，HBM2）。
2020年，臺(tái)積電公布3D Fabric先進(jìn)封裝技術(shù)系列，包括2D和3D前端和后端互連技術(shù)。前端技術(shù)TSMC-SoIC（整合芯片系統(tǒng)）使用3D硅堆棧所需，包括CoW和WoW堆棧技術(shù)；后端工藝包括CoWoS（Chip on Wafer on Substrate，晶圓基底封裝）和InFO系列的封裝技術(shù)。臺(tái)積電的CoWoS、InFO、SoIC及其他封裝技術(shù)能對10納米或以下的制程進(jìn)行晶圓級的鍵合技術(shù)，極大地強(qiáng)化了臺(tái)積電在先進(jìn)工藝制程的競爭力。
臺(tái)積電希望通過發(fā)揮異質(zhì)整合的優(yōu)勢，將系統(tǒng)中的晶體管數(shù)量提高5倍，甚至更多。2023年，臺(tái)積電宣布先進(jìn)后端六廠（Advanced Backend Fab 6）正式啟用，采用3DFabric技術(shù)，為系統(tǒng)集成技術(shù)的量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。
在先進(jìn)封裝技術(shù)方面，三星也不甘落后，一直保持積極的研發(fā)態(tài)度。2015年失去蘋果訂單后，三星開始加大在先進(jìn)封裝技術(shù)上的研發(fā)力度，特別是FOPLP技術(shù)。2018年，F(xiàn)OPLP技術(shù)實(shí)現(xiàn)商用，并成功應(yīng)用于Galaxy Watch的處理器封裝應(yīng)用中。2018年，三星電子的3D封裝技術(shù)“X-Cube”開發(fā)完成。
不同于以往多個(gè)芯片平行封裝，全新的X-Cube3D封裝允許多枚芯片堆疊封裝，使得成品芯片結(jié)構(gòu)更加緊湊。而芯片之間的通信連接采用了TSV技術(shù)，而不是傳統(tǒng)的導(dǎo)線。
據(jù)三星介紹，目前該技術(shù)已經(jīng)可以將SRAM存儲(chǔ)芯片堆疊到主芯片上方，以騰出更多的空間用于堆疊其他組件，目前該技術(shù)已經(jīng)可以用于7nm甚至5nm制程工藝的產(chǎn)品線，也就是說離大規(guī)模投產(chǎn)已經(jīng)十分接近。2020年8月，三星宣布推出3D先進(jìn)封裝技術(shù)“X-Cube”。該技術(shù)基于TSV硅穿孔技術(shù)，可以將不同芯片垂直堆疊，釋放空間堆疊更多內(nèi)存芯片。X-Cube技術(shù)已經(jīng)可以用于7nm及5nm工藝，滿足5G、AI、AR、VR、HPC和移動(dòng)芯片等領(lǐng)域的性能要求。2021年5月，三星宣布其下一代2.5D封裝技術(shù)“I-Cube4”即將上市。“I-Cube4”全稱為“Interposer-Cube4”。
作為一個(gè)三星的2.5D封裝技術(shù)品牌，它是使用硅中介層的方法，將多個(gè)芯片排列封裝在一個(gè)芯片上的新一代封裝技術(shù)。該技術(shù)集成1顆邏輯芯片和4顆高帶寬內(nèi)存（HBM），大幅提升邏輯器件和內(nèi)存之間的通信效率。盡管有專家指出該技術(shù)存在寄生參數(shù)缺陷及過薄等問題，但三星仍在持續(xù)優(yōu)化和改進(jìn)。
此外，三星還在2021年還推出了其 2.5D 封裝解決方案H-Cube。該方案通過整合兩種具有不同特點(diǎn)的基板，包括精細(xì)化的 ABF（Ajinomoto Build-up Film）基板以及 HDI（High Density Interconnection，高密度互連）基板，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更大的 2.5D 封裝。為了與臺(tái)積電競爭，三星計(jì)劃2024年推出先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
三星SAINT將被用來制定各種不同的解決方案，可提供三種類型的封裝技術(shù)。三星電子下代 3D 芯片堆疊技術(shù)的分支之一 SAINT-D 目前正處于概念驗(yàn)證階段，即將以芯片形式推出，將實(shí)現(xiàn) HBM 內(nèi)存的垂直集成。三星電子還計(jì)劃在 2027 年推出集成 CPO 共封裝光學(xué)模塊的全新一體化 AI 解決方案，旨在為客戶提供高速度低功耗的互聯(lián)選擇。
此外，三星還計(jì)劃整合其存儲(chǔ)芯片、代工和芯片封裝服務(wù)，為客戶提供一站式解決方案，以更快地制造他們的人工智能（AI）芯片，駕馭AI熱潮。
根據(jù)Market.us的數(shù)據(jù)，全球Chiplet市場規(guī)模預(yù)計(jì)將從2023年的31億美元增至2033年的1070億美元左右，2024年至2033年的預(yù)測期間復(fù)合年增長率為42.5%。越來越多的企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)及行業(yè)協(xié)會(huì)開始重視先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。先進(jìn)封裝技術(shù)已成為推動(dòng)電子產(chǎn)業(yè)不斷向前發(fā)展的重要力量，其市場規(guī)?？焖僭鲩L、產(chǎn)業(yè)共識逐漸形成、投資前景看好，都表明先進(jìn)封裝漸成產(chǎn)業(yè)共識。
?03晶圓廠爭做先進(jìn)封裝，“中道”概念火熱
在傳統(tǒng)封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝演進(jìn)的過程中，曾有人提出“中道工藝”的概念，使傳統(tǒng)上前段晶圓制造工藝與后段封裝工藝的界線逐漸模糊。而臺(tái)積電將其封裝平臺(tái)“3DFabric”劃分為 “前端”和“后端”封裝技術(shù)之后，這種劃分將進(jìn)一步打破晶圓制造與封裝的界線，對于原有設(shè)計(jì)、制造、封測的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生新的影響。
近年來，隨著AI爆火，先進(jìn)封裝的崛起逐步成為業(yè)界共識。在算力需求與電路可容納晶體管數(shù)量雙雙接近極限之時(shí)，堆疊和組合不同的芯片便被認(rèn)為是一種更具效率的芯片制造理念。
先進(jìn)封裝技術(shù)是從最新芯片設(shè)計(jì)中榨取最大馬力的關(guān)鍵技術(shù)，對于芯片代工制造商爭奪業(yè)務(wù)至關(guān)重要。這也使得晶圓廠開始介入先進(jìn)封裝技術(shù)。作為IDM和晶圓代工大廠，英特爾也在積極布局2.5D/3D封裝，挑戰(zhàn)臺(tái)積電。通過多年技術(shù)探索，英特爾相繼推出了EMIB、Foveros和Co-EMIB等多種先進(jìn)封裝技術(shù)，力圖通過2.5D、3D和埋入式等多種異構(gòu)集成形式實(shí)現(xiàn)互連帶寬倍增與功耗減半的目標(biāo)。
EMIB是英特爾在2.5D IC上的嘗試，其全稱是“Embedded Multi-Die Interconnect Bridge”。因?yàn)闆]有引入額外的硅中介層，而是只在兩枚裸片邊緣連接處加入了一條硅橋接層（Silicon Bridge），并重新定制化裸片邊緣的I/O引腳以配合橋接標(biāo)準(zhǔn)。
2018年12月，英特爾展示了名為“Foveros”的全新3D封裝技術(shù)，這是繼2018年英特爾推出突破性的EMIB封裝技術(shù)之后，英特爾在先進(jìn)封裝技術(shù)上的又一個(gè)飛躍。2019年，英特爾再次推出了一項(xiàng)新的封裝技術(shù)Co-EMIB，這是一個(gè)將EMIB和Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用。它能夠讓兩個(gè)或多個(gè)Foveros元件互連，并且基本達(dá)到單芯片的性能水準(zhǔn)。
2020年，英特爾展示了其在3D封裝技術(shù)領(lǐng)域中的新進(jìn)展，英特爾稱其為“混合鍵合（Hybrid bonding）”技術(shù)，旨在替代傳統(tǒng)的“熱壓鍵合”技術(shù)，實(shí)現(xiàn)10微米及以下的凸點(diǎn)間距，提供更高的互連密度、帶寬和更低的功率。今年上半年，國際投行大摩消息稱，英偉達(dá)GB200采用的先進(jìn)封裝工藝將使用玻璃基板；此外，英特爾、三星、AMD、蘋果等大廠此前均表示將導(dǎo)入或探索玻璃基板芯片封裝技術(shù)。這一消息再次引爆先進(jìn)封裝市場。
臺(tái)積電目前已建成 6 家先進(jìn)封測廠。應(yīng)眾多客戶要求，臺(tái)積電于 2023 年 Q2 開始緊急為 CoWoS 購進(jìn)設(shè)備、配置產(chǎn)能。2023年底臺(tái)積電 CoWoS 月產(chǎn)能約為 15000 片晶圓，追加設(shè)備進(jìn)駐后，月產(chǎn)能預(yù)計(jì)可達(dá) 20000 片以上，并逐季增加。
英特爾目前在美國奧勒岡州和新墨西哥州建成 2 座先進(jìn)封裝廠，2021 年 5 月宣布斥資 35 億美元擴(kuò)充新墨西哥州先進(jìn)封裝產(chǎn)能。2023 年 8 月宣布在馬來西亞檳城建立先進(jìn)封裝新廠，預(yù)計(jì) 2024 年底到 2025 年完工投產(chǎn)，該廠將成為英特爾最大的 3D 先進(jìn)封裝基地。英特爾規(guī)劃 2025 年 3DFoveros 封裝產(chǎn)能達(dá) 2023 年水平的 4 倍。
三星2023 年計(jì)劃在韓國天安廠區(qū)建立一條 HBM 所需的新封裝線，用于供應(yīng)高性能芯片廠商，并計(jì)劃于 2024 年將 HBM 產(chǎn)能提升為當(dāng)前的 2.5 倍。三星的 HBM3 已通過英偉達(dá)和 AMD 的質(zhì)量檢測，即將成為供應(yīng)商。
英特爾、臺(tái)積電等為晶圓廠主要代表，其在前道制造環(huán)節(jié)經(jīng)驗(yàn)更豐富，能深入發(fā)展需要刻蝕等前道步驟 TSV 技術(shù)，因而在 2.5D/3D 封裝技術(shù)方面較為領(lǐng)先。先進(jìn)封裝已成為半導(dǎo)體創(chuàng)新、增強(qiáng)功能、性能和成本效益的關(guān)鍵而其工藝偏向于前道工藝，使得晶圓代工廠與IDM 廠商在該領(lǐng)域具有天然先發(fā)優(yōu)勢。目前，索尼、力成、德州儀器（TI）、SK海力士、聯(lián)電等也積極布局先進(jìn)封裝產(chǎn)能，進(jìn)一步加劇先進(jìn)封裝市場競爭格局。
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