SiC是如何“拯救”降價(jià)車企的？

作者：米樂(lè)

進(jìn)入2024年，10多家車企紛紛宣布降價(jià)。車企給供應(yīng)商的降價(jià)壓力更大，普遍要求降價(jià)20%，過(guò)去一般是每年降3%-5%。有觀點(diǎn)認(rèn)為，車市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降，但從大背景來(lái)看，2月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看，成本的下降確實(shí)會(huì)緩解降價(jià)的壓力，SiC（碳化硅）會(huì)不會(huì)是出路呢？

?01、降價(jià)風(fēng)波始末

2月19日，可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的，從2月19日到3月6日，在春節(jié)假期結(jié)束后的17天里，比亞迪密集推出了13款主力車型的榮耀版新車型。以新車之名，行降價(jià)之實(shí)。2月9日當(dāng)天比亞迪宣布，旗下兩款插混車型秦PLUS榮耀版和驅(qū)逐艦05榮耀版上市，起售價(jià)為7.98萬(wàn)元，相較于上一版本冠軍版車型，兩款新版本車型價(jià)格均下降了2萬(wàn)元。其中，秦PLUS DM-i榮耀版售價(jià)區(qū)間為7.98萬(wàn)元-12.58萬(wàn)元；秦PLUS EV榮耀版售價(jià)區(qū)間為10.98萬(wàn)元-13.98萬(wàn)元。

同日，五菱星光宣布降價(jià)，五菱星光150km進(jìn)階版插混轎車降至9.98萬(wàn)元，較原價(jià)10.58萬(wàn)元降低6000元，和比亞迪驅(qū)逐艦05 120km版本價(jià)格基本一致。19日下午，據(jù)哪吒汽車官方消息，對(duì)其多款主力車型實(shí)施全系降價(jià)策略。其中，哪吒X全系降價(jià)22000元，哪吒AYA全系降價(jià)8000元，哪吒S全系降價(jià)5000元。

此外，哪吒汽車還推出了保值換購(gòu)政策，即日起至2024年3月31日，購(gòu)買哪吒S和哪吒GT車型的消費(fèi)者將享有在購(gòu)車后2年內(nèi)以開(kāi)票價(jià)7折的價(jià)格換購(gòu)哪吒汽車全系新車的權(quán)益。

同樣在2月19日，長(zhǎng)安啟源加入價(jià)格戰(zhàn)，宣布A05起售價(jià)7.89萬(wàn)元起，與原指導(dǎo)價(jià)8.99萬(wàn)元相比，降價(jià)幅度達(dá)1.1萬(wàn)元，并打出了“電比油低”的口號(hào)。長(zhǎng)安啟源A05限時(shí)促銷的主要原因是給用戶提供更具優(yōu)惠的價(jià)格，讓利用戶，讓用戶以低于油車的價(jià)格享受新能源產(chǎn)品帶來(lái)的價(jià)值。2月20日，長(zhǎng)安第二代X5 PLUS、X7 PLUS正式上市。

長(zhǎng)安對(duì)新車推出限時(shí)優(yōu)惠政策，2月19日至2月29日，享現(xiàn)金最高直降1.8萬(wàn)元、1.5萬(wàn)元，X5 PLUS、X7 PLUS優(yōu)惠后起售價(jià)分別為7.39萬(wàn)元起、8.39萬(wàn)元起。

3月以來(lái)，廣汽集團(tuán)兩大品牌埃安和傳祺接踵官宣推新、降價(jià)。3月6日，廣汽傳祺宣布其M6Pro車型與GS3車型均大幅降價(jià)。前者售價(jià)直降2萬(wàn)元，現(xiàn)價(jià)9.98萬(wàn)元起，將價(jià)格拉進(jìn)10萬(wàn)元大關(guān)。而后者則降價(jià)1.6萬(wàn)元，價(jià)格更是低至不到7萬(wàn)元，降價(jià)幅度接近兩成。

車企希望通過(guò)降價(jià)來(lái)清理庫(kù)存，加快產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度。一些庫(kù)存較高的車型，通過(guò)降價(jià)銷售可以快速回籠資金，為新產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)提供更多的資金支持。

?02、降價(jià)真的可以“輸血”嗎？

短期來(lái)看，降價(jià)是會(huì)一定程度的帶動(dòng)銷量。優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品需要優(yōu)質(zhì)的保障，而不是僅僅靠著低價(jià)格來(lái)吸引消費(fèi)者，劣幣驅(qū)逐良幣的行為在汽車市場(chǎng)會(huì)越來(lái)越難。

長(zhǎng)期來(lái)看，國(guó)企的競(jìng)爭(zhēng)力在逐漸被拉大，產(chǎn)品的創(chuàng)新、技術(shù)的更新、銷售的布局、影響力的發(fā)展等，都受到來(lái)自民營(yíng)企業(yè)和新勢(shì)力造車的挑戰(zhàn)。

燃油車和新能源競(jìng)相博弈，消費(fèi)者的選擇多數(shù)也是二選一，各廠降價(jià)角力競(jìng)逐在所難免，燃油車的促銷短期內(nèi)解決了庫(kù)存和周轉(zhuǎn)資金，但長(zhǎng)期來(lái)看影響了品牌和售后，而新能源在這波打壓下價(jià)格和客戶明顯會(huì)受挫，長(zhǎng)期虧損帶來(lái)的戰(zhàn)略影響至關(guān)重要，首先是活下去，跟重要的是活得久一點(diǎn)，降價(jià)顯然不能解決根本問(wèn)題。

SiC在這種情況下，更受關(guān)注。

?03、SiC為什么能帶來(lái)希望？

功率器件作為汽車電動(dòng)化的重要增量器件，近年來(lái)受益下游市場(chǎng)景氣快速增長(zhǎng)，其中，IGBT與SiC分別作為第二代、第三代功率器件的代表，兩者的上車之爭(zhēng)從未停歇，相比IGBT，SiC在寬禁帶、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率以及工作溫度等方面擁有明顯優(yōu)勢(shì)，取代IGBT似乎正成為新趨勢(shì)，部分有實(shí)力的主機(jī)廠已在同時(shí)布局IGBT與SiC車型。

業(yè)內(nèi)人士表示，現(xiàn)在SiC吃掉大部分車規(guī)IGBT模塊份額，市場(chǎng)增量巨大。

SiC為第三代半導(dǎo)體代表之一，在寬禁帶、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率以及工作溫度等4大關(guān)鍵指標(biāo)上較Si基材料具有明顯優(yōu)勢(shì)，英飛凌認(rèn)為，SiC的禁帶比Si大3倍，可轉(zhuǎn)化為10倍的擊穿電場(chǎng)；熱導(dǎo)率也是Si的3倍，支持200℃高溫工作，而Si為150℃，SiC更適于在車載等惡劣環(huán)境下工作，因此，SiC被認(rèn)為是功率器件中Si的極佳替代材料。

與IGBT相比，SiC器件體積可縮小到IGBT的1/3以上，重量也可減少40%以上，且不同工況下SiC功耗降幅達(dá)60%以上。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，IGBT換成SiC可以提高3-8%的逆變器效率，未來(lái)SiC將會(huì)替代IGBT，這是發(fā)展趨勢(shì)。

目前，已經(jīng)有多家車企實(shí)現(xiàn)了SiC主驅(qū)成本的優(yōu)化，例如：日產(chǎn)新一代SiC電驅(qū)系統(tǒng)成本降低30%、特斯拉主驅(qū)的SiC減少了75%、小鵬全新電驅(qū)的碳化硅成本減少50%等等。上游襯底、芯片產(chǎn)能和良率不斷提升，SiC模塊具備一定的降價(jià)空間。

全球 SiC 從 6英寸往 8英寸發(fā)展，有望帶動(dòng)芯片單價(jià)下降。正如硅片晶圓從 8 英寸往 12 英寸發(fā)展，目前 SiC 晶圓也正在從 6 英寸往 8 英寸發(fā)展。更大的晶圓 尺寸可以帶來(lái)單片芯片數(shù)量的提升、提高產(chǎn)出率，以及降低邊緣芯片的比例，從 而提升晶圓利用率。例如，Wolfspeed 統(tǒng)計(jì)，6 英寸 SiC 晶圓中邊緣芯片占比有 14%，而到 8 英寸中占比降低到 7%。

隨著全球 SiC 晶圓的尺寸擴(kuò)大，預(yù)計(jì)將帶 動(dòng) SiC 芯片單價(jià)降低，從而打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)。SiC 襯底售價(jià)隨著出貨量提升而逐步下行。2021 年，天岳先進(jìn)的平均銷售價(jià)格為 6767 元/片，較 2020 年同比下降 25%。考慮到目前國(guó)產(chǎn) 6 英寸襯底還未大 批量生產(chǎn)，所以預(yù)計(jì)還會(huì)有降價(jià)空間。

另一方面，半絕緣型 SiC 襯底由于市場(chǎng)供 應(yīng)商較少，且下游有部分軍事裝備應(yīng)用，所以目前售價(jià)較高。當(dāng)前 SiC 襯底售價(jià) 較高是良率水平低、晶圓尺寸小、自動(dòng)化程度低等多因素導(dǎo)致的。

隨著各廠商提 升工藝、往更大尺寸 SiC 晶圓發(fā)展，預(yù)計(jì) SiC 襯底售價(jià)將逐步下行。因?yàn)镾iC 成本下降依賴于尺寸增加、可用厚度增加和缺陷密度下降。伴隨大直徑襯底占比不斷提高，襯底單位面積生長(zhǎng)成本下降。單晶可用厚度在不斷增加。以直徑 100mm 單晶為例，2015 年前大部分單晶廠商制備單晶平均可用厚度在15mm 左右，2017 年底已經(jīng)達(dá)到 20mm 左右。

伴隨襯底結(jié)晶缺陷密度下降的同時(shí)，工藝復(fù)雜程度增加。在大部分襯底提供商完成低缺陷密度單晶生長(zhǎng)工藝及厚單晶生長(zhǎng)工藝研發(fā)后，襯底單位面積價(jià)格會(huì)迎來(lái)相對(duì)快速的降低。

?04、可以通過(guò)新技術(shù)，降低電驅(qū)的SiC芯片用量和成本

SiC 電力電子器件價(jià)格進(jìn)一步下降，與同類型 Si 器件價(jià)差縮小。

根據(jù) CASA，Mouser，從公開(kāi)報(bào)價(jià)來(lái)看，2020 年底 650V SiC SBD 均價(jià)為1.58 元/A，同比下降 13.2%，與 Si器件的價(jià)差約 3.8 倍；1200V SiC SBD 均價(jià)為3.83 元/A，同比下降8.6%，與 Si 器件的差距約 4.5 倍。

根據(jù)CASA 調(diào)研，實(shí)際成交價(jià)低于公開(kāi)報(bào)價(jià)，650V SiC SBD 實(shí)際成交價(jià)格約 0.7 元/A，1200V SiC SBD 價(jià)格約 1.2 元/A，約為公開(kāi)報(bào)價(jià)的 60%-70%，同比則下降了 20%-30%，實(shí)際成交價(jià)與 Si 器件價(jià)差已經(jīng)縮小至 2-2.5 倍之間，已經(jīng)達(dá)到了甜蜜點(diǎn)。根據(jù)這個(gè)趨勢(shì)，未來(lái)SiC的價(jià)格會(huì)再次下降。

有市場(chǎng)消息稱，國(guó)內(nèi)主流6寸碳化硅(SiC)襯底報(bào)價(jià)參照國(guó)際市場(chǎng)每片750-800美元的價(jià)格，快速下殺，價(jià)格跌幅直逼三成。甚至有供應(yīng)鏈從業(yè)者表示，由于國(guó)內(nèi)SiC長(zhǎng)晶、襯底參與者眾多，在一線廠率先掀起降價(jià)模式的情況下，恐將迫使二、三線廠商被動(dòng)跟進(jìn)，碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)開(kāi)啟。對(duì)于一線SiC廠商掀起“價(jià)格戰(zhàn)”、SiC襯底降價(jià)近三成等說(shuō)法，業(yè)內(nèi)持有不同觀點(diǎn)。

著國(guó)內(nèi)各大廠商SiC產(chǎn)能的提升，SiC襯底的價(jià)格一直處于緩慢下行區(qū)間，平均每年的降速在5%-10%上下。比如，現(xiàn)階段，國(guó)產(chǎn)6寸SiC襯底在4000元/片-5000元/片左右，預(yù)計(jì)到2025年價(jià)格將進(jìn)一步下降，有望降至4000元/片。

惡意降價(jià)并不符合當(dāng)下行業(yè)發(fā)展規(guī)律。對(duì)于碳化硅行業(yè)新進(jìn)入者來(lái)說(shuō)，現(xiàn)階段制約行業(yè)發(fā)展的因素有兩方面，一個(gè)是產(chǎn)能跟不上；另一個(gè)是良率無(wú)法提升，這也導(dǎo)致中小廠商在面對(duì)頭部大廠商競(jìng)爭(zhēng)時(shí)，通過(guò)降價(jià)的方式，換取市場(chǎng)份額；相反，對(duì)于已經(jīng)接入英飛凌、博世等全球大客戶的碳化硅頭部碳化硅上游廠商來(lái)說(shuō)，穩(wěn)定的產(chǎn)品性能以及批量供應(yīng)能力，才是立足市場(chǎng)的根本，而并非通過(guò)降價(jià)的手段，“出清”市場(chǎng)跟隨者。

隨著技術(shù)的進(jìn)步，成本下降，SiC襯底的應(yīng)用會(huì)越來(lái)越廣泛，有利于促進(jìn)下游應(yīng)用端的快速發(fā)展。當(dāng)SiC襯底產(chǎn)能提升后，大幅降價(jià)是有可能的。