閃存邁入280層時代？這遠遠不是終點

又一存儲大廠閃存層數(shù)迎來新突破！近期外媒報道，在今年2月即將召開的國際固態(tài)電路峰會ISSCC上，三星電子將推出下一代 V9 QLC NAND解決方案，閃存層數(shù)將達到280層。

三星280層NAND來了，層數(shù)之戰(zhàn)尚未結束

據(jù)悉，三星V9 QLC存儲密度每平方毫米達到28.5Gb，最大傳輸率可達3.2 Gbps，比目前最好的QLC產(chǎn)品（2.4 Gbps）高出了一截，甚至可以滿足未來PCIe 6.0方案的需求。

同時，業(yè)界認為，三星V9 QLC也將是迄今為止閃存密度最高的解決方案。

在三星之前，包括美光、SK海力士等在內(nèi)的存儲大廠閃存層數(shù)均已突破200層，其中美光達到232層，存儲密度為每平方毫米19.5Gb，SK海力士達到238層，存儲密度每平方毫米為14.4Gb。

當然，280層并不是存儲大廠層數(shù)較量的終點，未來將有更高層數(shù)的突破。

2023年8月，SK海力士對外展示全球最高層321層NAND閃存樣品，一躍成為業(yè)界首家正在開發(fā)300層以上NAND閃存的公司，計劃于2025年量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士321層1Tb TLC NAND的效率比上一代238層512Gb提高了59%。這是由于數(shù)據(jù)存儲的單元可以以更多的單片數(shù)量堆棧至更高，在相同芯片上實現(xiàn)更大存儲容量，進而增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。

其他廠商方面，美光計劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品。三星雄心壯志計劃2030年V-NAND可以疊加到1000多層。鎧俠和西部數(shù)據(jù)在162層之后，2023年對外展示了218層技術，之后也將研發(fā)300層以上的3D NAND產(chǎn)品。

存儲器市況反彈，NAND Flash價格走勢如何？

受經(jīng)濟逆風、消費電子市場需求低迷影響，存儲器產(chǎn)業(yè)迎來了較為漫長的調(diào)整時期。直到2023年第四季度存儲器市況迎來反彈，相關存儲大廠業(yè)績也實現(xiàn)扭虧為盈。

全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，NAND Flash產(chǎn)品合約價格自2022年第三季開始連續(xù)四個季度下跌，直到2023年第三季開始起漲。在面對2024年市場需求展望仍保守的前提下，NAND Flash價格走勢取決于供應商產(chǎn)能利用率情況。

集邦咨詢認為第一季NAND Flash合約價將上漲18~23%，第二季合約價季漲幅將收斂至3~8%。第三季進入傳統(tǒng)旺季，合約價季漲幅有機會同步擴大至8~13%。第四季在供應商能夠維持有效的控產(chǎn)策略的前提下，漲勢應能延續(xù)，NAND Flash合約價季漲幅預估0~5%。