采用EPC新型車規(guī)級(jí)GaN FET設(shè)計(jì)更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng) 以實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng)

EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)計(jì)人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換和低電感電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

作為增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN?) FET 和 IC 的全球領(lǐng)導(dǎo)者，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）進(jìn)一步擴(kuò)大已有現(xiàn)貨供應(yīng)的車規(guī)級(jí)氮化鎵晶體管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封裝內(nèi)提供 75 A 脈沖電流的EPC2252，比硅MOSFET更小和更高效，適用于自動(dòng)駕駛和其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換和低電感電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

在高頻工作時(shí)，氮化鎵晶體管具有更低的開關(guān)損耗、更低的傳導(dǎo)損耗、零反向恢復(fù)損耗和更低的驅(qū)動(dòng)功率，可實(shí)現(xiàn)高效率。結(jié)合極小的占板面積，這些優(yōu)勢可實(shí)現(xiàn)最高功率密度。

氮化鎵晶體管具備快速開關(guān)、亞納秒級(jí)轉(zhuǎn)換和在短于3 ns 時(shí)間內(nèi)可生成大電流脈沖的優(yōu)勢，使激光雷達(dá)在自動(dòng)駕駛、停泊車輛和防撞方面看得更遠(yuǎn)和分辨率更高。

EPC聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Alex Lidow 說:“EPC2252是車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、低電感電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和 48 V DC/DC轉(zhuǎn)換的理想開關(guān)。我們致力于為汽車市場擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品系列，以實(shí)現(xiàn)高效、低成本的汽車電氣化和自動(dòng)駕駛?！?/p>

EPC2252以1000片為單位批量購買，每片價(jià)格為0.91美元，可從Digi-Key立即發(fā)貨。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設(shè)計(jì)人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具，根據(jù)您所需的特定工作條件，我們會(huì)推薦合適的替代方案。