EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

EPC推出采用緊湊型QFN封裝(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC轉(zhuǎn)換、快充、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能 MPPT等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。

EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。

憑借超低導(dǎo)通電阻，EPC2361可在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更高的效率，從而降低能耗和散熱。它為多種應(yīng)用諸如高功率 PSU AC/DC同步整流、數(shù)據(jù)中心的高頻 DC/DC轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)和太陽(yáng)能MPPT的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，帶來(lái)突破性的性能。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司的首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow說(shuō)：“EPC的新型1 mΩ GaN FET突破了氮化鎵技術(shù)的極限，助力客戶創(chuàng)建更高效、更小和更可靠的電力電子系統(tǒng)?！?EPC90156 開(kāi)發(fā)板是一款采用半橋EPC2361 GaN FET，專為100 V最大器件電壓和xx A最大輸出電流而設(shè)計(jì)，旨在簡(jiǎn)化功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員對(duì)氮化鎵器件的評(píng)估過(guò)程，以加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。該板的尺寸為2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)，專為實(shí)現(xiàn)最佳開(kāi)關(guān)性能而設(shè)計(jì)，而且包含所有關(guān)鍵組件以便于評(píng)估。

EPC2361以3000片為單位批量購(gòu)買，每片價(jià)格為4.60美元。EPC90156開(kāi)發(fā)板的單價(jià)為200美元。如欲訂購(gòu)EPC產(chǎn)品，您可通過(guò)EPC的授權(quán)分銷合作伙伴購(gòu)買。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設(shè)計(jì)人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具，根據(jù)您所需的特定工作條件，我們會(huì)推薦合適的替代方案。交叉參考工具可在以下網(wǎng)頁(yè)找到：交叉參考搜索 (epc-co.com)。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）、用于電動(dòng)出行、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品

系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。eGaN?是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊(cè)商標(biāo)。