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影響振蕩電路的幾個重要指標(biāo)

2022/12/27
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1,石英晶振的激勵等級DL(驅(qū)動水平、Drive Level)
石英晶振的激勵等級可以按照晶振的各種工作狀態(tài)下的消耗電力,或按照電流的等級來進(jìn)行表示。如果利用過大的電流來使晶振工作,有可能產(chǎn)生頻率不穩(wěn)定等特性的惡化,以及導(dǎo)致石英晶片可能破損的危險。在使用之前,建議進(jìn)行電路設(shè)計時,確認(rèn)一下所使用的激勵等級不超過絕對最大激勵等級。

石英晶振的等效電路如下:

石英晶振振蕩電路示例如下:

石英晶振與振蕩電路之間的關(guān)系:

2,石英晶振振蕩頻率和負(fù)載CL的關(guān)系:

*Cg,Cds,Cos表示印刷基板的布線容量以及部件的寄生容量。

頻率負(fù)載容量特性如下:

3,石英晶振振蕩寬限
為了使石英晶振在振蕩電路中可以穩(wěn)定地發(fā)生振蕩,電路的負(fù)性電阻與晶振的等效串聯(lián)電阻相比,必須具有充分大的容量(振蕩寬限要大)。建議將振蕩寬限設(shè)置為晶振的等效串聯(lián)電阻的5倍以上。

石英晶振振蕩寬限評價方法的示例:

與晶振串聯(lián)連接上純電阻Rx,確認(rèn)振蕩的開始或結(jié)束。緩慢地使Rx值逐漸變大,開始或結(jié)束振蕩時的最大申阻Rx加上晶振的有效電阻Re,就是該電路的大概負(fù)性電阻的數(shù)值。

|-R |為石英晶振的等效串聯(lián)電阻的最大值(R1 max.)的5 倍以上。
*Re 為石英晶振振蕩時的有效電阻值。

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