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  • RF功率市場(chǎng)擺脫低潮，GaN技術(shù)接班LDMOS
    市研機(jī)構(gòu)Yole于7月發(fā)布「2017年RF功率市場(chǎng)與科技報(bào)告」指出，RF功率市場(chǎng)近期可望由衰轉(zhuǎn)盛，并以將近二位數(shù)的年復(fù)合成長(zhǎng)率（GAGR）迅速成長(zhǎng)；同時(shí)，氮化鎵（GaN）將逐漸取代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS），成為市場(chǎng)主流技術(shù)。