加入星計(jì)劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入

X-FAB

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論
  • X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度
    X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在其現(xiàn)有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺(tái)——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強(qiáng)化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。 2×2光電二極管排列布局示例圖 此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應(yīng)增強(qiáng)型光電二極管doafe和dobfpe，
  • X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案
    X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中
  • X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強(qiáng)CMOS傳感器性能
    X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強(qiáng)CMOS傳感器性能
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺(tái)再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺(tái)XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。 BSI工藝截面示意圖 通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強(qiáng)。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì)再被
  • X-FAB推出針對(duì)近紅外應(yīng)用的新一代增強(qiáng)性能SPAD器件
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺(tái)。得益于在制造過程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時(shí)，顯著增強(qiáng)信號(hào)，而且不會(huì)對(duì)暗計(jì)數(shù)率、后脈沖和擊穿電壓等參數(shù)產(chǎn)生負(fù)面影響。
  • X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力
    X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力
    XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器件設(shè)計(jì)中直接集成無(wú)源元件（電感器、電容器和電阻器），從而顯著節(jié)省空間及成本。借助公司在銅金屬化技術(shù)領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)，相關(guān)生產(chǎn)制造將在X-FAB位于法國(guó)科爾貝—埃索訥（Corbeil-Essonnes）的工廠進(jìn)行。