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MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。收起

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  • MRAM，新興的黑馬
    MRAM，新興的黑馬
    1956 年，IBM推出世界上第一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器——RAMAC 305，可以存儲(chǔ) 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺(tái)冰箱，重量超過一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤存儲(chǔ)時(shí)代的開始。
  • 北京航空航天大學(xué)副校長趙巍勝：MRAM最新進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢
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    近日，北京航空航天大學(xué)黨委常委、副校長趙巍勝，分享了MRAM最新進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢。MRAM的前身是磁存儲(chǔ)，其是人工智能時(shí)代的根技術(shù)，如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認(rèn)為未來磁存儲(chǔ)將被SSD完全取代，然而十年后，磁存儲(chǔ)依舊是最重要的存儲(chǔ)技術(shù)。
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    下一個(gè)“黑馬”賽道，MRAM存儲(chǔ)器市場蠢蠢欲動(dòng)
    據(jù)日經(jīng)新聞網(wǎng)報(bào)道，近期晶圓代工廠商力積電（PSMC）傳出將和日本新創(chuàng)企業(yè)合作，目標(biāo)在2029年量產(chǎn)MRAM，將利用力積電計(jì)劃在日本興建的晶圓廠第2期工程產(chǎn)線進(jìn)行量產(chǎn)。根據(jù)報(bào)道，東北大學(xué)長年來持續(xù)研究MRAM，而PowerSpin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動(dòng)研究、試產(chǎn)后，目標(biāo)在2029年開始進(jìn)行量產(chǎn)，期待可應(yīng)用于生成式AI數(shù)據(jù)中心。
  • 巨頭押注，MRAM開始爆發(fā)
    巨頭押注，MRAM開始爆發(fā)
    存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展更迭50年，逐漸形成了SRAM、DRAM及Flash這三大主要領(lǐng)域。但是隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)持續(xù)朝更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，傳統(tǒng)的DRAM和NAND Flash開始面臨越來越嚴(yán)峻的微縮挑戰(zhàn)；再加上由于這些存儲(chǔ)技術(shù)與邏輯計(jì)算單元之間發(fā)展速度的失配，嚴(yán)重制約了計(jì)算性能和能效的進(jìn)一步提升。
  • MRAM：RAM和NAND再遇強(qiáng)敵
    MRAM：RAM和NAND再遇強(qiáng)敵
    MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，通過磁致電阻的變化來表示二進(jìn)制中的0和1，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于DRAM內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠(yuǎn)低于DRAM。