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HBM3E時代到來,三星電子依然焦慮
進入8月,有傳聞稱,韓國存儲芯片巨頭三星電子(以下簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(高帶寬內(nèi)存新一代產(chǎn)品)已通過英偉達測試。對此,三星回應:與事實相距甚遠。其相關人員表示:“我們不能證實與我們客戶相關的傳聞,但這個報道不是真的。正如我們上個月電話會議上所說的,質(zhì)量測試還在進行中,在那之后還沒有取得更多進展?!边@番解釋中,依然能看到HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品是三星打入英偉達產(chǎn)品鏈的“敲門磚”。
中國電子報
889
08/22 10:40
三星電子
HBM3
HBM新戰(zhàn)局,半導體存儲廠商們準備好了嗎?
在半導體存儲領域,參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光,三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日,行業(yè)標準制定組織固態(tài)技術協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關注,這似乎也預示著HBM領域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...
全球半導體觀察
889
07/16 12:50
HBM
存儲廠商
SK海力士官宣:HBM3E良率已達80%!
SK海力士宣布,其第五代高帶寬存儲器HBM3E的良率已達到80%。這遠遠超出了業(yè)界預期的60~70%。良品率是正常產(chǎn)品減去不良品的比率,“80%的良品率”意味著生產(chǎn)的100個產(chǎn)品中有80個是正常的。
芯片說 IC TIME
1656
05/23 16:30
SK海力士
HBM3
這一次,三星被臺積電卡脖子了
在晶圓代工領域,三星與臺積電是純粹的競爭關系,但在存儲芯片市場,作為行業(yè)霸主,三星卻不得不尋求與臺積電深入合作,這都是英偉達惹的禍。
半導體產(chǎn)業(yè)縱橫
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05/21 09:10
臺積電
三星電子
三星成立HBM3E特別工作組,搶500億大單
三星電子為了向英偉達提供新一代高帶寬存儲器(HBM),投入了400多名半導體ACE(最高水平的)員工。“三星電子為打通特定客戶公司投入這么多人力,實屬史無前例。”有分析認為,只有抓住“英偉達”才能掌握市場主導權,所以三星動員了公司的全部力量。
芯片說 IC TIME
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05/13 08:43
HBM
HBM3
HBM3E起飛,沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響
HBM即高帶寬內(nèi)存,是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片。如果說傳統(tǒng)的DDR就是采用的"平房設計"方式,那么HBM則是采用"樓房設計"方式。目前,HBM產(chǎn)品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā)。
半導體產(chǎn)業(yè)縱橫
4508
04/01 10:20
HBM
HBM3
價格暴漲500%,HBM市場徹底被引爆
內(nèi)存技術作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分,其性能的提升對于整體計算能力的提升至關重要。在這個背景下,高帶寬內(nèi)存(HBM)以其卓越的性能表現(xiàn),正逐漸在內(nèi)存技術領域嶄露頭角,成為推動計算領域進入全新時代的關鍵力量。
半導體產(chǎn)業(yè)縱橫
2426
02/23 09:40
內(nèi)存
HBM
Rambus推9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP,直擊AI訓練內(nèi)存墻痛點
oe Salvador認為:“確實,當前市場上幾家主流的內(nèi)存廠商都宣稱有HBM3e內(nèi)存,但從規(guī)格的角度上來講,目前所說的HBM3e還不是正式的行業(yè)標準,它是在HBM3基礎上的拓展,比較HBM3E和HBM3,可以發(fā)現(xiàn)其實堆棧的厚度沒有變化,支持的DRAM容量也沒有變化,變化的知識總帶寬。”
夏珍
3680
2023/12/18
與非觀察
Rambus
各原廠預期2024年第一季于NVIDIA完成HBM3e產(chǎn)品驗證;而HBM4預計2026年推出
為了更妥善且健全的供應鏈管理,NVIDIA也規(guī)劃加入更多的HBM供應商,其中三星(Samsung)的HBM3(24GB)預期于今年12月在NVIDIA完成驗證。而HBM3e進度依據(jù)時間軸排列如下表所示,美光(Micron)已于今年7月底提供8hi(24GB)NVIDIA樣品、SK海力士(SK hynix)已于今年8月中提供8hi(24GB)樣品、三星則于今年10月初提供8hi(24GB)樣品。
與非網(wǎng)編輯
2052
2023/11/27
AI芯片
NVIDIA
英偉達H200帶寬狂飆!HBM3e/HBM3時代即將來臨
當?shù)貢r間11月13日,英偉達(NVIDIA)宣布推出NVIDIA HGX? H200,旨為世界領先的AI計算平臺提供強大動力,將于2024年第二季度開始在全球系統(tǒng)制造商和云服務提供商處提供。
全球半導體觀察
2470
2023/11/15
存儲器
HBM3
受AI加速芯片新品帶動,HBM3與HBM3e將成為2024年HBM市場主流
2023年HBM(High Bandwidth Memory)市場主流為HBM2e,包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設計。同時,為順應AI加速器芯片需求演進,各原廠計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e,預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。
與非網(wǎng)編輯
2786
2023/08/01
NVIDIA
HBM
美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新
業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3,帶寬超過1.2TB/s,先進的1β制程節(jié)點提供卓越能效 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存,其帶寬超過1.2TB/s,引腳速率超過9.2Gb/s,比當前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案性能可提升最高50%。美光第二代HBM3產(chǎn)品
與非網(wǎng)編輯
2968
2023/07/27
人工智能
臺積電
高帶寬內(nèi)存HBM需求猛漲,原因還是……
ChatGPT已經(jīng)從下游AI應用“火”到了上游芯片領域,在將GPU等AI芯片推向高峰之外,也極大帶動了市場對新一代內(nèi)存芯片HBM(高帶寬內(nèi)存)的需求。據(jù)悉,2023年開年以來三星、SK海力士的HBM訂單就快速增加,價格也水漲船高。有市場人士透露近期HBM3規(guī)格DRAM價格上漲了5倍。這也為寒冬中的存儲器市場帶來了一抹春色。
中國電子報
1484
2023/02/27
存儲芯片
HBM
深度丨巨頭領跑,HBM3時代來臨
·聚焦:人工智能、芯片等行業(yè)
AI芯天下
1713
2023/01/12
存儲器
HBM3
數(shù)據(jù)中心即將進入HBM3時代
SK海力士宣布公司已經(jīng)量產(chǎn)了HBM3 DRAM芯片,并將供貨英偉達。因此英偉達的Tensor Core GPU將成為首先配備HBM3 DRAM的GPU。
半導體產(chǎn)業(yè)縱橫
442
2022/07/05
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HBM3
SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
美通社
217
2021/10/20
美通社
dram
Rambus推出支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng),速率可達8.4Gbps,助力AI/ML性能提升
作為業(yè)界領先的芯片和IP核供應商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布推出支持HBM3的內(nèi)存接口子系統(tǒng),內(nèi)含完全集成的PHY和數(shù)字控制器。
與非網(wǎng)編輯
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2021/08/25
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