加入星計劃，您可以享受以下權益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

FinFET

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。其電子顯微鏡照片如左圖所示。FinFET源自于傳統(tǒng)標準的晶體管—場效應晶體管（Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET）的一項創(chuàng)新設計。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。 這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流（leakage），也可以大幅縮短晶體管的柵長。

FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。其電子顯微鏡照片如左圖所示。FinFET源自于傳統(tǒng)標準的晶體管—場效應晶體管（Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET）的一項創(chuàng)新設計。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。 這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流（leakage），也可以大幅縮短晶體管的柵長。收起

查看更多
  • 降低半導體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術
    降低半導體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術
    01 介紹 銅的電阻率由其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配決定，并隨尺寸縮小而顯著提升。通常，銅線的制作流程是用溝槽刻蝕工藝在低介電二氧化硅里刻蝕溝槽圖形，然后通過大馬士革流程用銅填充溝槽。但這種方法會生出帶有明顯晶界和空隙的多晶結(jié)構(gòu)，從而增加銅線電阻。為防止大馬士革退火工藝中的銅擴散，此工藝還使用了高電阻率的氮化鉭內(nèi)襯材料。 我們可以使用物理氣相沉積 (PVD) 以10至100電子伏特的高
  • 為什么晶圓先進制程需要FinFET？
    FinFET技術在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結(jié)構(gòu)，通過增強柵極控制和降低漏電流，實現(xiàn)了更高效的晶體管性能。這對于實現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能的半導體器件是至關重要的。隨著半導體工藝節(jié)點的不斷縮小，F(xiàn)inFET技術的應用也變得越來越普遍和重要。
  • 3D-IC中三個層次的3D
    3D-IC中三個層次的3D
    自從1958集成電路發(fā)明以來，集成電路給人類文明帶來難以估量的巨大的進步?！盀楝F(xiàn)代信息技術奠定了基礎”是2000年諾貝爾物理學獎給予杰克?基爾比發(fā)明集成電路的中肯評價。今天，我們甚至可以說：“集成電路為現(xiàn)代科技奠定了基礎”。試想，沒有集成電路，人類現(xiàn)在的科技會退回到何種地步？
  • Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片
    Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片
    這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測試芯片通過加快產(chǎn)品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設計，堅定客戶對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業(yè)領先地位。 高性能模擬、混合信號、
  • 再次講講線寬的那些事：晶體管是怎么做得越來越小的？
    再次講講線寬的那些事：晶體管是怎么做得越來越小的？
    上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實際線寬無法大幅縮小的前提下，通過改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實際尺寸來達到等效線寬的效果。那么新的問題來了：從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體的FinFET結(jié)構(gòu)，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。如下圖所示：
  • 是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程
    是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程
    綜合流程可提高設計效率，實現(xiàn)更準確的仿真，從而更快將產(chǎn)品推向市場 是德科技（NYSE: KEYS ）、新思科技公司（Nasdaq：SNPS）和 Ansys 公司（Nasdaq：ANSS）宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4PRF 制程是半導體代工企業(yè)臺積電所擁有的先進 4 納米（nm）射頻（RF）FinFET 制程技術。這個參考流程是以新思科技的定制設計產(chǎn)品系列為基礎而構(gòu)建，提供了完整的射頻設計解決方案，以滿足客戶對開放式射頻設計環(huán)境以及更高預測準確度和設計效率的需求。
  • 【了不起的芯片】硅片上打造“鯊魚鰭”，芯片的世界已經(jīng)變成這樣了嗎？
    【了不起的芯片】硅片上打造“鯊魚鰭”，芯片的世界已經(jīng)變成這樣了嗎？
    新思科技一直致力于打造“人人都能懂”的行業(yè)科普視頻，傳播更多芯片相關小知識，解答各類科技小問題。每周3分鐘，多一些“芯”知識。這一期，我們聊一聊集成電路上晶體管結(jié)構(gòu)的那些事兒。在解釋集成電路上晶體管的工作原理之前，我們得先來聊聊最常用的硅（和它元素家族）的特點。
  • 全球梭哈2nm，讓電子“不亂跑”有多難？
    全球梭哈2nm，讓電子“不亂跑”有多難？
    300億新臺幣（67億人民幣），放到中國互聯(lián)網(wǎng)公司歷史融資排名中能擠入前十位置。然而這些錢，僅是ASML為中國臺灣企業(yè)臺積電發(fā)展2nm工藝制程的第一期投資金額。 據(jù)中國臺灣媒體報道，半導體設備制造商ASML在中國臺灣投入巨資，向中國臺灣“經(jīng)濟部”申請A+企業(yè)創(chuàng)新研發(fā)淬煉計劃，研發(fā)制造2nm晶圓光量測設備（前道量/檢測設備的一種）。經(jīng)濟部表示，將以多個方面進行審查，包括如何協(xié)助供應鏈技術升級以及國產(chǎn)
  • 英飛凌主導并協(xié)調(diào)大型研究項目，為高度自動化聯(lián)網(wǎng)汽車開發(fā)超級計算機
    英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）表示，內(nèi)置在汽車中的高性能計算機，能夠盡可能快速、可靠地處理所有可用的數(shù)據(jù)和信息，以便車輛能夠安全地行駛，這是自動化聯(lián)網(wǎng)汽車的關鍵所在。曼海姆-CeCaS研究項目的宗旨就是要開發(fā)相應的車用超級計算平臺。該項目由來自業(yè)內(nèi)和高校的 30 家研究合作伙伴共同參與，并且已被德國聯(lián)邦政府納入旨在推動汽車與移動出行行業(yè)實現(xiàn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的
  • 臺積電官宣向?qū)W界開放業(yè)界最成功的 16nm FinFET 技術使用
    近日，臺積電官網(wǎng)宣布推出大學 FinFET 專案，目的在于培育未來半導體芯片設計人才并推動全球?qū)W術創(chuàng)新。此專案開放大學院校師生與學術研究人員使用業(yè)界最成功的鰭式場效應晶體管（FinFET）技術之制程設計套件 (PDK)，將其芯片設計學習經(jīng)驗提升至先進的 16nm FinFET 技術。 據(jù)了解，此專案也提供大學院校領先的芯片研究人員使用 16nm (N16) 及 7nm (N7) 制程之多專案晶圓（
  • Arasan與Testmetrix攜手合作
    領先的半導體IP核提供商Arasan Chip Systems今天宣布，其MIPI DSI-2、CSI-2和C-PHY/D-PHY Combo IP已在Testmetrix C/D-PHY HDK和符合性測試平臺上成功實施。
    1087
    2022/10/20
  • Finwave期待以首個FinFET-on-GaN顛覆RF市場
    雖然運營商試圖推出5G承諾的超高速毫米波，但他們一直受到手機發(fā)熱和耗電的上行技術的阻礙。
    1802
    2022/09/18
  • 什么是FD-SOI，為什么歐洲執(zhí)著于此？
    FD-SOI（fully depleted silicon-on-insulator）解決了芯片制造商的漏電問題，但該技術落后于更傳統(tǒng)的FinFET工藝。
    1.3萬
    2022/08/17
  • 別了FinFET
    當晶圓代工還在推進3nm時，2nm已經(jīng)橫空出世。一個曾經(jīng)遙遠的目標，隨著摩爾定律的發(fā)展正在被臺積電、英特爾、三星等巨頭競相追逐。
  • FinFET即將謝幕？
    自2012年出現(xiàn)以來，F(xiàn)inFET接近超期服役。在繼續(xù)追求摩爾定律的道路上，F(xiàn)inFET漸漸顯示出疲態(tài)。
  • SRII重磅推出兩款ALD新品，滿足泛半導體應用多功能性和靈活性的需求
    過去20年，ALD工藝及設備已經(jīng)廣泛應用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進與創(chuàng)新。
  • Arasan推出超低功耗D-PHY IP
    面向當今片上系統(tǒng)（SoC）市場的領先Total IP?解決方案提供商Arasan Chip Systems宣布，其重新設計的第二代MIPI D-PHYSM IP核立即可用于格羅方德（GlobalFoundries）12nm FinFET工藝節(jié)點。
    224
    2021/12/13
  • 一文讀懂 | 集成電路制造技術
    集成電路的歷史從1958年TI的第一顆Flip-Flop電路開始，那時候只有兩個晶體管組成一個反相器而已。發(fā)展至今已有十億個晶體管的CPU了，而這些都不得不來自于半導體制造業(yè)的技術推進得以持續(xù)scalable。
    4480
    2021/08/25
  • 什么是FinFET？一文帶你全方位認識FinFET
    今天我們一起來學習一下：什么是FinFET？它到底有多牛？它為什么這么牛？
    4823
    2021/08/13
  • 【科研】FinFET老兵不死？臺積電N3節(jié)點技術展望
    摩爾定律幾大領頭羊都已公布了未來技術節(jié)點的規(guī)劃，與三星不同的是，臺積電在N3節(jié)點繼續(xù)采用FinFET結(jié)構(gòu)。在2021年VLSI-TSA會議上，莊紹勛教授所領銜的中國臺灣多機構(gòu)聯(lián)合研究團隊發(fā)表了關于FinFET器件在N3節(jié)點的應用可行性研究。

正在努力加載...