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EUV

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極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠(yuǎn)鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。

極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠(yuǎn)鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。收起

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  • ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會面臨中國公司的競爭！
    ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會面臨中國公司的競爭！
    6月6日消息，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen近日在 Jefferies證券主持的投資者電話會議上表示，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計在第二季度或第三季度開始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。同時，Jefferies報告稱臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV光刻機(jī)。
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    06/07 11:25
  • EUV光刻機(jī)“忙瘋了”
    EUV光刻機(jī)“忙瘋了”
    據(jù)市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機(jī)僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無法滿足市場對先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。
  • EUV光刻機(jī)變數(shù)陡增
    EUV光刻機(jī)變數(shù)陡增
    最近，關(guān)于EUV光刻機(jī)，又有勁爆消息傳出。據(jù)外媒報道，有消息人士透露，由于美國施壓，ASML向荷蘭政府官員保證，在特殊情況下，該公司有能力遠(yuǎn)程癱瘓（remotely disable）臺積電使用的EUV光刻機(jī)。知情人士稱，ASML擁有“鎖死開關(guān)”（kill switch），可以遠(yuǎn)端強(qiáng)制關(guān)閉EUV。
  • 英特爾在可擴(kuò)展硅基量子處理器領(lǐng)域取得突破，向量子實用性更進(jìn)一步
    英特爾在可擴(kuò)展硅基量子處理器領(lǐng)域取得突破，向量子實用性更進(jìn)一步
    英特爾在《自然》雜志發(fā)表題為《檢測300毫米自旋量子比特晶圓上的單電子器件》的研究論文，展示了領(lǐng)先的自旋量子比特均勻性、保真度和測量數(shù)據(jù)。這項研究為硅基量子處理器的量產(chǎn)和持續(xù)擴(kuò)展（構(gòu)建容錯量子計算機(jī)的必要條件）奠定了基礎(chǔ)。 英特爾打造的300毫米自旋量子比特晶圓 英特爾的量子硬件研究人員開發(fā)了一種300毫米低溫檢測工藝，使用互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造技術(shù)，在整個晶圓上收集有關(guān)自旋量子比特
  • 高NA EUV迎來制程的岔路口
    高NA EUV迎來制程的岔路口
    半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)正努力爭取進(jìn)入所謂的“埃時代”（Angstrom era）。在所謂的3nm工藝節(jié)點附近的節(jié)點上，以“?！倍皇且浴凹{米”來命名技術(shù)節(jié)點成為了一種時尚，因此不是1.5nm，而是15埃。正是在這一點上，對晶圓上更精細(xì)圖案的要求超出了當(dāng)今EUV光刻系統(tǒng)和程序的能力。
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    04/23 10:40
  • 美國，為什么愛盯著荷蘭的光刻機(jī)？
    美國，為什么愛盯著荷蘭的光刻機(jī)？
    全球光刻機(jī)巨頭ASML（阿斯麥）的新年開篇頗有些鬧心。新年首日，ASML發(fā)布公告稱，荷蘭政府最近吊銷部分了2023年發(fā)貨的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統(tǒng)的許可證，影響了少數(shù)中國客戶。吊銷舉措比荷蘭出口管制新規(guī)原定生效的日期提前了數(shù)星期。當(dāng)然，這背后少不了美國政府的施壓?！霸诿绹莸钦囊笙隆?，彭博社如此形容道。
  • 為了阻擊臺積電和日本半導(dǎo)體，韓國也是拼了
    為了阻擊臺積電和日本半導(dǎo)體，韓國也是拼了
    12月中旬，韓國總統(tǒng)尹錫悅與荷蘭首相馬克·呂特發(fā)表聯(lián)合聲明，雙方構(gòu)建“半導(dǎo)體同盟”。雙方一致認(rèn)為，兩國在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中有著特殊的互補關(guān)系，并重申構(gòu)建覆蓋政府、企業(yè)、高校的半導(dǎo)體同盟的決心。為此，雙方商定新設(shè)經(jīng)貿(mào)部門之間的半導(dǎo)體對話協(xié)商機(jī)制，同時推進(jìn)半導(dǎo)體專業(yè)人才培養(yǎng)項目。
  • 英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn)，“四年五個制程節(jié)點”計劃又進(jìn)一步
    英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn)，“四年五個制程節(jié)點”計劃又進(jìn)一步
    近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實現(xiàn)，再次證明了英特爾正以強(qiáng)大的執(zhí)行力推進(jìn)“四年五個制程節(jié)點”計劃，并將其應(yīng)用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品，滿足AI推動下“芯經(jīng)濟(jì)”指數(shù)級增長的算力需求。
  • 美國官方報告：深度解析EUV光刻的現(xiàn)狀、需求和發(fā)展
    美國官方報告：深度解析EUV光刻的現(xiàn)狀、需求和發(fā)展
    2022年，半導(dǎo)體市場規(guī)模約為0.6萬億美元，商業(yè)分析師預(yù)計到2030年將翻一番1.0萬億美元至1.3萬億美元。半導(dǎo)體制造業(yè)的大幅增長可以在光刻工藝中體現(xiàn)出。光刻是一種圖案化過程，將平面設(shè)計轉(zhuǎn)移到晶圓基板的表面，創(chuàng)造復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，如晶體管和線互連。這是通過通過復(fù)雜的多步過程選擇性地將光敏聚合物或光刻膠暴露于特定波長的光下來完成的。最近，光刻技術(shù)的進(jìn)步在生產(chǎn)最先進(jìn)的半導(dǎo)體方面創(chuàng)造了競爭優(yōu)勢，使人工智能（AI）、5G電信和超級計算等最先進(jìn)的技術(shù)成為可能。因此，先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)會影響國家安全和經(jīng)濟(jì)繁榮。
  • 深度丨當(dāng)EUV薄膜成為“高精尖”芯片良率的關(guān)鍵
    深度丨當(dāng)EUV薄膜成為“高精尖”芯片良率的關(guān)鍵
    近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。近幾年來，隨著EUV光源的不斷進(jìn)展，EUV掩模開始位居三大技術(shù)挑戰(zhàn)之首，而EUV掩模最困難的環(huán)節(jié)之一就是EUV薄膜。
  • 線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進(jìn)節(jié)點上半導(dǎo)體的性能
    線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進(jìn)節(jié)點上半導(dǎo)體的性能
    介紹 由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔，這會導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對此進(jìn)行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關(guān)鍵尺寸之間的關(guān)系。即使沒有線邊緣粗糙度(LER)，該圖也顯示電阻會隨著線寬縮小呈指數(shù)級增長[2]。為緩解此問題，需要在更小的節(jié)點上對金屬線關(guān)鍵尺寸進(jìn)
  • 王炸，英特爾PowerVia芯片背面供電即將量產(chǎn)，遙遙領(lǐng)先三星和臺積電
    王炸，英特爾PowerVia芯片背面供電即將量產(chǎn)，遙遙領(lǐng)先三星和臺積電
    在下周的VLSI會議上，英特爾將發(fā)布兩篇論文，介紹即將推出的PowerVia芯片制造技術(shù)的進(jìn)展。而在第三篇論文中，英特爾技術(shù)專家Mauro Kobrinsky還將闡述英特爾對PowerVia更先進(jìn)部署方法的研究成果，如同時在晶圓正面和背面實現(xiàn)信號傳輸和供電。 PowerVia將于2024年上半年在Intel 20A制程節(jié)點上推出。 作為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)，英特爾將PowerVia技術(shù)和Ribb
  • 英特爾PowerVia技術(shù)率先實現(xiàn)芯片背面供電，突破互連瓶頸
    英特爾PowerVia技術(shù)率先實現(xiàn)芯片背面供電，突破互連瓶頸
    英特爾率先在產(chǎn)品級芯片上實現(xiàn)背面供電技術(shù)，使單元利用率超過90%，同時也在其它維度展現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的性能。 英特爾宣布在業(yè)內(nèi)率先在產(chǎn)品級測試芯片上實現(xiàn)背面供電（backside power delivery）技術(shù)，滿足邁向下一個計算時代的性能需求。作為英特爾業(yè)界領(lǐng)先的背面供電解決方案，PowerVia將于2024年上半年在Intel 20A制程節(jié)點上推出。通過將電源線移至晶圓背面，PowerVia解
  • ASML發(fā)布2023年第一季度財報 | 凈銷售額67億歐元，凈利潤為20億歐元
    阿斯麥（ASML）今日發(fā)布了2023年第一季度財報。2023年第一季度，ASML實現(xiàn)了凈銷售額67億歐元，毛利率為50.6%，凈利潤達(dá)20億歐元。今年第一季度的新增訂單金額為38億2歐元，其中16億歐元為EUV光刻機(jī)訂單。ASML預(yù)計2023年第二季度的凈銷售額約為65億~70億歐元，毛利率約為50%~51%。相比2022年，今年ASML的凈銷售額有望增長25%以上。 (1)累計裝機(jī)管理銷售額等于
  • 美日荷神秘芯片協(xié)議曝光，中國半導(dǎo)體被鎖死？
    美日荷神秘芯片協(xié)議曝光，中國半導(dǎo)體被鎖死？
    中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展道路上，已橫亙著美國、日本、荷蘭三國架起重重高墻。 本周，世界貿(mào)易組織貨物貿(mào)易理事會舉行會議，中國在此次會議上對"美國、日本和荷蘭之間關(guān)于芯片出口限制的協(xié)議"提出關(guān)切。 目前，美日荷官方還未對這份媒體廣泛曝光的芯片協(xié)議作出回應(yīng)。不過中國代表已經(jīng)指出，相關(guān)成員可能清楚地意識到該協(xié)議違反了世貿(mào)組織的規(guī)則，因此故意對該協(xié)議的內(nèi)容保持低調(diào)。中國認(rèn)為該協(xié)議違背了世貿(mào)組織的公開透明原則，破壞
  • 日本斷供光刻膠：韓國順利著陸，本土半導(dǎo)體制造呢？
    日本斷供光刻膠：韓國順利著陸，本土半導(dǎo)體制造呢？
    對中國電子半導(dǎo)體發(fā)展的抑制還有什么漏洞？這是二月中下旬Digital Asia的熱門主題文章。該文直言，在光刻膠持續(xù)供應(yīng)的前提下，中國本土仍可推進(jìn)晶圓制造與創(chuàng)新，最終在7nm及以下制程上取得突破。隨后，有關(guān)日本對中國斷供光刻膠的傳聞開始發(fā)酵。最終是否斷供仍未知，但包括容大感光在內(nèi)的本土光刻膠相關(guān)廠商，股價大漲，也算是一種焦慮的體現(xiàn)。 至于光刻膠的工作原理，首先將其涂抹在襯底上，在光照或輻射作用下溶
    5138
    2023/03/23
  • ASML：下一代EUV光刻機(jī)將于2025年首次部署
    2月15日，ASML發(fā)布2022年度財報。報告顯示，ASML在2022年銷售額達(dá)到212億歐元，與2021年相比增長了13.8%，毛利率為49.7%。
    603
    2023/02/17
  • ASML于投資者日會議介紹有關(guān)需求展望、產(chǎn)能計劃和商業(yè)模式的最新情況
    ASML Holding N.V.（ASML）將于11月11日舉辦的投資者日會議上向其投資者及主要利益相關(guān)方介紹有關(guān)需求展望的最新情況，該會議將采用線上與線下相結(jié)合的方式在位于荷蘭菲爾德霍芬的公司總部舉行。
  • EUV 光刻技術(shù)的工作過程
    EUV 光刻是以波長為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡單來說，就是以極紫外光作“刀”，對芯片上的晶圓進(jìn)行雕刻，讓芯片上的電路變成人們想要的圖案。如今，世界上最先進(jìn)的 EUV 光刻機(jī)可以做到的“雕刻精度”在 7nm 以下，比一根頭發(fā)的萬分之一還要細(xì)。
  • 泛林集團(tuán)、Entegris 和 Gelest 攜手推進(jìn) EUV 干膜光刻膠技術(shù) 生態(tài)系統(tǒng)
    泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. (NASDAQ: ENTG) 和三菱化學(xué)集團(tuán)旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項戰(zhàn)略合作，將為全球半導(dǎo)體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。

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