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EUV光刻

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極紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。

極紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。收起

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  • 日本提出EUV光刻新方案:光源功率可降低10倍,成本將大幅降低!
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    8月7日消息,近日日本沖繩科學技術(shù)大學(OIST)的Tsumoru Shintake教授帶領(lǐng)的研究團隊提出了一項全新、大幅簡化的面向極紫外(EUV)光刻機的雙反射鏡系統(tǒng)。相比傳統(tǒng)的至少需要六面反射鏡的配置,新的光學投影系統(tǒng)僅使用了兩面反射鏡,在確保系統(tǒng)維持較高的光學性能的同時,能讓EUV光線以超過初始值10%的功率到達晶圓,相比傳統(tǒng)系統(tǒng)中僅1%的功率來說,提了高到了原來的10倍,可說是一大突破。
  • 從大型EUV光刻廠的熱炒聊起
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    最近清華的SSMB-EUV光源在網(wǎng)上傳得沸沸揚揚,大概意思是中國可以通過這個加速器來產(chǎn)生不同頻率的EUV光源,同時可以給各種芯片制程來使用,徹底解決光刻機的技術(shù)壁壘。公眾對這個話題感興趣,原因還是希望能夠早日突破美國技術(shù)封鎖,對清華的研究充滿信心,希望我國的芯片產(chǎn)業(yè)能夠盡快趕上國際領(lǐng)先水平。至于這個SSMB技術(shù)的細節(jié),我相信絕大部分公眾并無法判斷,即使在專業(yè)的半導體群中,大部分人也說不清楚。
  • 提高數(shù)值孔徑是EUV光刻技術(shù)目標之一
    光刻是大規(guī)模集成電路芯片制備的核心工藝環(huán)節(jié),其中,EUV光刻機是服務(wù)于7nm 以下制程芯片的設(shè)備。
  • ASML的未來:光明與風險并存
    很少有公司能像ASML那樣,從全球經(jīng)濟中不斷增加的半導體需求中獲益。
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    2021/12/24
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    CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊,極紫外光刻(EUV)在半導體線路的微縮化進程中極為重要,在“極紫外光刻曝光”相關(guān)工序中,日本設(shè)備廠家的存在感在逐步提升。荷蘭ASML獨霸關(guān)鍵曝光設(shè)備市場,日本企業(yè)則在檢測、感光材料涂布、成像等相關(guān)設(shè)備方面占有較高的市場份額。然而,一臺尖端的EUV相關(guān)設(shè)備價格高昂,對半導體廠家來說是較重的投資負擔。長期