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EUV

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極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長(zhǎng)在124nm到10nm之間的電磁輻射，對(duì)應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會(huì)產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對(duì)日EUV成像望遠(yuǎn)鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。

極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長(zhǎng)在124nm到10nm之間的電磁輻射，對(duì)應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會(huì)產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對(duì)日EUV成像望遠(yuǎn)鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。收起

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  • ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會(huì)面臨中國(guó)公司的競(jìng)爭(zhēng)！
    ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會(huì)面臨中國(guó)公司的競(jìng)爭(zhēng)！
    6月6日消息，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen近日在 Jefferies證券主持的投資者電話(huà)會(huì)議上表示，ASML與臺(tái)積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計(jì)在第二季度或第三季度開(kāi)始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。同時(shí)，Jefferies報(bào)告稱(chēng)臺(tái)積電已經(jīng)訂購(gòu)了High NA EUV光刻機(jī)。
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    06/07 11:25
  • EUV光刻機(jī)“忙瘋了”
    EUV光刻機(jī)“忙瘋了”
    據(jù)市場(chǎng)消息，目前，ASML High NA EUV光刻機(jī)僅有兩臺(tái)，如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。
  • EUV光刻機(jī)變數(shù)陡增
    EUV光刻機(jī)變數(shù)陡增
    最近，關(guān)于EUV光刻機(jī)，又有勁爆消息傳出。據(jù)外媒報(bào)道，有消息人士透露，由于美國(guó)施壓，ASML向荷蘭政府官員保證，在特殊情況下，該公司有能力遠(yuǎn)程癱瘓（remotely disable）臺(tái)積電使用的EUV光刻機(jī)。知情人士稱(chēng)，ASML擁有“鎖死開(kāi)關(guān)”（kill switch），可以遠(yuǎn)端強(qiáng)制關(guān)閉EUV。
  • 英特爾在可擴(kuò)展硅基量子處理器領(lǐng)域取得突破，向量子實(shí)用性更進(jìn)一步
    英特爾在可擴(kuò)展硅基量子處理器領(lǐng)域取得突破，向量子實(shí)用性更進(jìn)一步
    英特爾在《自然》雜志發(fā)表題為《檢測(cè)300毫米自旋量子比特晶圓上的單電子器件》的研究論文，展示了領(lǐng)先的自旋量子比特均勻性、保真度和測(cè)量數(shù)據(jù)。這項(xiàng)研究為硅基量子處理器的量產(chǎn)和持續(xù)擴(kuò)展（構(gòu)建容錯(cuò)量子計(jì)算機(jī)的必要條件）奠定了基礎(chǔ)。 英特爾打造的300毫米自旋量子比特晶圓 英特爾的量子硬件研究人員開(kāi)發(fā)了一種300毫米低溫檢測(cè)工藝，使用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造技術(shù)，在整個(gè)晶圓上收集有關(guān)自旋量子比特
  • 高NA EUV迎來(lái)制程的岔路口
    高NA EUV迎來(lái)制程的岔路口
    半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)正努力爭(zhēng)取進(jìn)入所謂的“埃時(shí)代”（Angstrom era）。在所謂的3nm工藝節(jié)點(diǎn)附近的節(jié)點(diǎn)上，以“?！倍皇且浴凹{米”來(lái)命名技術(shù)節(jié)點(diǎn)成為了一種時(shí)尚，因此不是1.5nm，而是15埃。正是在這一點(diǎn)上，對(duì)晶圓上更精細(xì)圖案的要求超出了當(dāng)今EUV光刻系統(tǒng)和程序的能力。
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    04/23 10:40