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DDR

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ddr是一個(gè)內(nèi)存名稱，意思即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器，是內(nèi)存的其中一種。 ddr，Data Direction Register的簡稱，是一種數(shù)據(jù)方向寄存器，用來設(shè)置端口的方向。

ddr是一個(gè)內(nèi)存名稱，意思即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器，是內(nèi)存的其中一種。 ddr，Data Direction Register的簡稱，是一種數(shù)據(jù)方向寄存器，用來設(shè)置端口的方向。收起

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  • 【PSIJ測試應(yīng)用方案】探索PSIJ之謎—由電源引起的高速信號抖動(dòng)
    【PSIJ測試應(yīng)用方案】探索PSIJ之謎—由電源引起的高速信號抖動(dòng)
    PSIJ，那是一場無聲的風(fēng)暴 在高速信號傳輸?shù)氖澜缋?，每一個(gè)細(xì)微的“波動(dòng)”都可能引發(fā)巨大的影響。而如今，一個(gè)隱匿的“殺手”正悄然威脅著高速信號的穩(wěn)定性——那就是電源引起的高速信號抖動(dòng)PSIJ（Power Supply Induced Jitter）。這個(gè)看似陌生的術(shù)語，卻在電子領(lǐng)域掀起了一場無聲的風(fēng)暴。當(dāng)高速信號供電電源受到挑戰(zhàn)，高速信號便如同在波濤洶涌的大海中航行的船只，搖擺不定，失去了精準(zhǔn)的方
  • Bourns 推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級薄膜片狀電阻
    Bourns 推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級薄膜片狀電阻
    Bourns? CRT-A 系列滿足了汽車、手機(jī)、SD卡、DDR內(nèi)存和相機(jī)模塊等應(yīng)用需求對小型、高精度電阻的日益增長。 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，全新推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)的車規(guī)級薄膜片狀電阻系列。Bourns? CRT-A系列相較于傳統(tǒng)的通孔型電阻，提供更高的電阻公差精度和溫度系數(shù) (TCR)。該系列不僅強(qiáng)化了信號質(zhì)量，還采用表貼式
  • 信號匹配的等長與等時(shí)
    信號匹配的等長與等時(shí)
    在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過程中，等長匹配是需要關(guān)注的一項(xiàng)工作。串行信號常見的規(guī)則為+/-5mil，有的資料會給出＜1ps的匹配要求。并行信號的規(guī)則就比較復(fù)雜一點(diǎn)。下面以常見的DDR為例，來進(jìn)行相關(guān)的說明。
  • HBM革新浪潮下，AMD加速卡定義內(nèi)存與計(jì)算融合新方向
    在AMD Alveo V80加速卡中，Versal HBM 自適應(yīng) SoC 的支持是一大亮點(diǎn)。Alveo V80作為一個(gè)網(wǎng)絡(luò)附接的加速器卡，可以和存儲驅(qū)動(dòng)器連接，應(yīng)對非常廣泛的工作負(fù)載和需求。
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    06/17 07:48
  • NUC980_NuWriter 燒寫或者重啟報(bào)錯(cuò)Err-DDR
    在調(diào)試新唐的nuc980時(shí)，遇到一個(gè)問題，燒寫或者重啟時(shí)，有時(shí)會出現(xiàn)內(nèi)存錯(cuò)誤：Err-DDR 這個(gè)問題在網(wǎng)上查到的信息不多，有一篇Issues在新唐的官方github上面：?NUC980_NuWriter 燒寫報(bào)錯(cuò)Err-DDR · Issue #6 · OpenNuvoton/NUC980_NuWriter · GitHub[1]?從上面的討論中可以看出來可能是電源芯片的時(shí)序不匹配問題。
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  • Hybrid Memory Cube Technology （下）
    2015/11/19
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  • Hybrid Memory Cube Technology （上）
    2015/11/18
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  • DDR內(nèi)存接口檢驗(yàn)和調(diào)試
    2015/11/18
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  • DDR電接口檢驗(yàn)和內(nèi)存系統(tǒng)調(diào)試
    2015/11/18
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