加入星計(jì)劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專(zhuān)業(yè)用戶(hù)
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入

CMOS電路

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)管（見(jiàn)P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路）構(gòu)成，以推挽形式工作,能實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路,簡(jiǎn)稱(chēng)CMOS。單元電路如圖1。CMOS電路的特點(diǎn)是：①靜態(tài)功耗低,每門(mén)功耗為納瓦級(jí)；②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口；⑤速度快，門(mén)延遲時(shí)間達(dá)納秒級(jí)；⑥在模擬電路中應(yīng)用，其性能比NMOS電路好；⑦與NMOS電路相比，集成度稍低；⑧有“自鎖效應(yīng)”，影響電路正常工作。

基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)管（見(jiàn)P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路）構(gòu)成，以推挽形式工作,能實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路,簡(jiǎn)稱(chēng)CMOS。單元電路如圖1。CMOS電路的特點(diǎn)是：①靜態(tài)功耗低,每門(mén)功耗為納瓦級(jí)；②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口；⑤速度快，門(mén)延遲時(shí)間達(dá)納秒級(jí)；⑥在模擬電路中應(yīng)用，其性能比NMOS電路好；⑦與NMOS電路相比，集成度稍低；⑧有“自鎖效應(yīng)”，影響電路正常工作。收起

查看更多
空空如也，您可以發(fā)布內(nèi)容賺銀子！以下是推薦內(nèi)容

正在努力加載...