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X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)，進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長(zhǎng)期合作關(guān)系。

與非網(wǎng)編輯

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2022/09/13

晶圓代工 X-FAB
BICMOS工藝的工作原理 BICMOS注意事項(xiàng)

BICMOS工藝是一種集成了雙極型和MOS型晶體管的混合模擬數(shù)字集成電路工藝。它將MOSFET和BJT兩種不同類型的晶體管結(jié)合起來，融合了MOSFET的高速度、低功耗和可靠性以及BJT的高增益、高帶寬和低噪聲等特點(diǎn)，成為一種能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)模擬和數(shù)字信號(hào)處理的先進(jìn)集成電路工藝。

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2023/06/07

BiCMOS
BICMOS工藝的工作原理 BICMOS的作用

BICMOS工藝是指將Bipolar(雙極)器件集成在CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)器件內(nèi)部，以利用它們的優(yōu)點(diǎn)。Bipolar傳輸可提供較高的運(yùn)算速度，而CMOS傳輸具有較低的功耗和電壓噪聲。由于兩者結(jié)合了各自的優(yōu)點(diǎn)，因此BICMOS被廣泛用于集成電路制造中。

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2022/04/26

BiCMOS
bicmos和cmos的區(qū)別

這篇科普文章將討論bicmos和cmos的不同之處。

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2022/01/23

CMOS BiCMOS
BICMOS工藝的工作原理 Bipolar工藝和BiCMOS工藝的區(qū)別與關(guān)系

BICMOS（Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor）工藝是將雙極型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)合在一起，形成混合式集成電路制造工藝。BICMOS工藝既有N-MOSFET、P-MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，又能夠利用高速度、高電流增益因子以及功放電路中所需要的高電流驅(qū)動(dòng)特性等BJT元件的特點(diǎn)。BICMOS芯片可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路、模擬電路和混合信號(hào)電路的功能。

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3165

2022/01/23

BiCMOS

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