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BJT

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雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)合在一起的器件，有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu)

雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)合在一起的器件，有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu)收起

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  • ??Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT?
    ??Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT?
    Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴(kuò)展，推出采用DFN2020D-3封裝的十款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和十款汽車級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V，支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍，進(jìn)一步鞏固了Nexperia作為市場領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。通過此次發(fā)布，Nexperia通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT，可滿足設(shè)計(jì)人員對節(jié)省空間和能源的封裝的
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    簡述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機(jī)制
    在電力電子行業(yè)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）無疑是廣為人知的明星器件。然而，當(dāng)我們面對基于GaN（氮化鎵）材料的HEMT（高電子遷移率晶體管）技術(shù)時(shí)，可能會感到些許陌生。為了更全面地了解這一領(lǐng)域，讓我們對晶體管家族的譜系進(jìn)行一次詳盡的梳理，如圖1所示，這樣我們能更清晰地把握它們之間的關(guān)系與差異。
  • ADALM2000實(shí)驗(yàn)：BJT多諧振蕩器
    ADALM2000實(shí)驗(yàn)：BJT多諧振蕩器
    背景知識 本文解釋三種主要類型的多諧振蕩器電路以及如何構(gòu)建每種電路。多諧振蕩器電路一般由兩個(gè)反相放大級組成。兩個(gè)放大器串聯(lián)或級聯(lián)，反饋路徑從第二放大器的輸出接回到第一放大器的輸入。由于每一級都將信號反相，因此環(huán)路整體的反饋是正的。 多諧振蕩器主要分為三種類型：非穩(wěn)態(tài)、單穩(wěn)態(tài)和雙穩(wěn)態(tài)。非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器使用電容耦合兩個(gè)放大器級并提供反饋路徑。電容會阻隔任何從一級傳送到下一級的直流信號，因此非穩(wěn)態(tài)多諧振
  • ADALM2000實(shí)驗(yàn)：穩(wěn)定電流源
    本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
  • 雙極性與單極性晶體管有什么區(qū)別
    在電子學(xué)領(lǐng)域，雙極性晶體管（BJT）和單極性晶體管（MOSFET）是兩種常見的半導(dǎo)體器件，用于放大、開關(guān)和控制電流。