到了28nm以下,業(yè)界出現(xiàn)了一種一邊倒的態(tài)勢(shì),即工藝廠商紛紛擁抱FinFET工藝,一時(shí)間,“下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)將出現(xiàn)大一統(tǒng)的局面”似乎已成定勢(shì)。但事實(shí)并非如此,“英特爾一再推遲FinFET工藝的時(shí)間點(diǎn),每年因延遲造成的損失達(dá)30億美元;綜合比較,F(xiàn)D-SOI工藝在28nm和16nm/14nm節(jié)點(diǎn)上更具優(yōu)勢(shì)?!苯眨?014上海FD-SOI論