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絕緣柵雙極晶體管

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絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。收起

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    絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它集成了雙極晶體管（BJT）和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的優(yōu)點，在高壓、高電流和高頻率條件下工作。IGBT具有可靠性高、開關(guān)速度快和低功耗等特點，因此被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電機驅(qū)動、變頻器、逆變器、電子焊接和電源系統(tǒng)等。