加入星計劃,您可以享受以下權益:

  • 創(chuàng)作內容快速變現
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

碳化硅MOSFET

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,另由于其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性。

在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,另由于其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性。收起

查看更多
  • 2個晶圓廠新進度:正式投片;車規(guī)SiC MOS亮相
    2個晶圓廠新進度:正式投片;車規(guī)SiC MOS亮相
    近日,國內2家碳化硅IDM廠商實現了晶圓廠和車規(guī)級SiC MOS產品方面的突破:9月20日,昕感科技官微宣布,他們于當日順利完成晶圓廠首批投片,標志著昕感晶圓廠正式進入全面營運階段。
  • 58.97億元!芯聯集成并購碳化硅相關業(yè)務子公司
    58.97億元!芯聯集成并購碳化硅相關業(yè)務子公司
    今年6月20日晚間,芯聯集成曾發(fā)布公告稱,其擬收購控股子公司芯聯越州集成電路制造(紹興)有限公司(以下簡稱:芯聯越州)剩余72.33%股權。歷時2個多月后,芯聯集成收購芯聯越州剩余72.33%股權的并購案迎來了最新進展。9月4日晚間,芯聯集成發(fā)布公告稱,其收購芯聯越州剩余72.33%股權的重組草案通過了董事會決議。
  • 國家隊加持,芯片制造關鍵技術首次突破
    國家隊加持,芯片制造關鍵技術首次突破
    據南京發(fā)布近日消息,國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京)歷時4年自主研發(fā),成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術,打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據悉這是我國在這一領域的首次突破。
  • 國產SiC實現3大技術突破:溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產
    國產SiC實現3大技術突破:溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產
    近期國內多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術突破,涉及溝槽技術、大尺寸制備等:●?青禾晶元:實現了高質量晶圓級SiCOI(6寸,SiC膜厚1μm±100nm)的規(guī)?;a。●?國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京):成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術●?上海漢虹:使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質8英寸碳化硅晶體。
  • 4家SiC相關企業(yè)獲融資
    4家SiC相關企業(yè)獲融資
    近日,“行家說三代半”發(fā)現,國內又有4家SiC相關企業(yè)獲得融資:新瀝半導體:完成A輪融資,已量產1200V 80毫歐碳化硅MOS;矽迪半導體:完成數千萬天使輪融資,將新建試產線工廠;盈鑫半導體:完成天使輪投資,加速CMP進口替代;蓋澤科技:完成數千萬融資,SiC設備已量產交付。