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淺談光電探測(cè)器與圖像傳感器（四）

光電探測(cè)器是能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)的器件，通常都是通過光電效應(yīng)進(jìn)行直接轉(zhuǎn)化。其也通過其他信號(hào)進(jìn)行間接轉(zhuǎn)化，比如光-熱-電，光-磁-電，光-聲-電等。光電探測(cè)器廣泛應(yīng)用于通信、成像、傳感和醫(yī)學(xué)診斷等領(lǐng)域。 1. 按照波長(zhǎng)分類光電探測(cè)器按照波長(zhǎng)可以分為可見光探測(cè)器，紅外探測(cè)器，紫外探測(cè)器，X射線探測(cè)器、高能粒子探測(cè)器等。可見光探測(cè)器其中可見光波段的范圍是400-700nm，在消費(fèi)類產(chǎn)品最為常見

Semlsee

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08/20 07:58

探測(cè)器 CMOS圖像傳感器

第四代半導(dǎo)體材料龍頭又有新突破！

近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。據(jù)了解，NCT成立于2015年6月，是一家專注研發(fā)和生產(chǎn)新一代半導(dǎo)體技術(shù)的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合資成立，公司的主要研究方向?yàn)檠趸壊牧稀?/div>

化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

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2023/12/27

半導(dǎo)體材料氧化鎵

產(chǎn)業(yè)調(diào)研：氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)狀與未來趨勢(shì)分析

引言在數(shù)字化和智能化趨勢(shì)的推動(dòng)下，半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展熱度持續(xù)攀升。特別是隨著量子信息、人工智能等高新技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體新體系及其微電子等多功能器件技術(shù)也在迅速更新迭代。為了滿足新的高性能和低成本的需求，行業(yè)內(nèi)開始關(guān)注第四代半導(dǎo)體，其中最引人矚目的就是氧化鎵。這種材料具有許多優(yōu)越的特性，被視為可能顛覆目前的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)，并讓國(guó)產(chǎn)芯片商實(shí)現(xiàn)彎道超車的材料。但氧化鎵也有不少挑戰(zhàn)需要面對(duì)和克服。

李堅(jiān)

1.2萬(wàn)

2023/08/08

SiC 碳化硅

第四代半導(dǎo)體氧化鉀，被忽略的商機(jī)

三菱電機(jī)公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下簡(jiǎn)稱“NCT”），一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借耐高溫、抗高壓、開關(guān)速度快、效率高、節(jié)能、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近年來業(yè)界熱度一路飆升。然而，在寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展勢(shì)如破竹的同時(shí)，學(xué)術(shù)界和科研界不約而同地展望下一代半導(dǎo)體材料——氧化鎵（Ga?O?），并將其視為“替代碳化硅和氮化鎵”的新一代半導(dǎo)體材料的代表。