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干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時,它具備兩個特點:一方面等離子體中的這些氣體化學(xué)活性比常態(tài)下時要強(qiáng)很多,根據(jù)被刻蝕材料的不同,選擇合適的氣體,就可以更快地與材料進(jìn)行反應(yīng),實現(xiàn)刻蝕去除的目的;另一方面,還可以利用電場對等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速,使其具備一定能量,當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時,會將被刻蝕物材料的原子擊出,從而達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來實現(xiàn)刻蝕的目的。因此,干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學(xué)兩種過程平衡的結(jié)果。
干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時,它具備兩個特點:一方面等離子體中的這些氣體化學(xué)活性比常態(tài)下時要強(qiáng)很多,根據(jù)被刻蝕材料的不同,選擇合適的氣體,就可以更快地與材料進(jìn)行反應(yīng),實現(xiàn)刻蝕去除的目的;另一方面,還可以利用電場對等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速,使其具備一定能量,當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時,會將被刻蝕物材料的原子擊出,從而達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來實現(xiàn)刻蝕的目的。因此,干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學(xué)兩種過程平衡的結(jié)果。收起
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