加入星計(jì)劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

同步降壓轉(zhuǎn)換器

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

電路方案

查看更多

設(shè)計(jì)資料

查看更多
  • 5.5V/3A電流模式DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器，小體積封裝
    5.5V/3A電流模式DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器，小體積封裝
    概述： PC6403和PC6403B的頻率為1.0MHz恒定頻率、電流模式降壓轉(zhuǎn)換器。它是便攜式設(shè)備的理想選擇需要高達(dá)3A的高輸出電流單節(jié)鋰離子電池。他們也可以以100%占空比運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)低損耗 操作，延長便攜式電池壽命系統(tǒng)在輕負(fù)載運(yùn)行時(shí)提供了非常低輸出紋波，適用于噪聲敏感應(yīng)用。 高開關(guān)頻率PC6403/PC6403B可以最大限度地減小外部組件，同時(shí)保持切換損失低。內(nèi)部坡度補(bǔ)償設(shè)置允許設(shè)備以較小的電
  • 替代LTC4449高速N道溝MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
    替代LTC4449高速N道溝MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
    產(chǎn)品特性 ? 15ns 典型傳播延遲 ? 5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配 ? 軌至軌柵極驅(qū)動(dòng) ? 自適應(yīng)死區(qū)和直通保護(hù) ? 3A 峰值拉電流和 4.5A 峰值灌電流 ? 驅(qū)動(dòng) 2 顆 NMOS 組成的半橋 ? 欠壓保護(hù) ? 過熱保護(hù) 功能描述 PC4449是一款專為高頻率、高效率的應(yīng)用而開發(fā)， 用于驅(qū)動(dòng)2顆NMOS組成的半橋電路專用的柵極驅(qū)動(dòng)器。其軌至軌輸出的的驅(qū)動(dòng)器可以降低高結(jié)電容MOSFE帶來的開關(guān)損
  • 600KHZ固定頻率24V/800mA同步降壓轉(zhuǎn)換器具有輕載PFM節(jié)能模式
    600KHZ固定頻率24V/800mA同步降壓轉(zhuǎn)換器具有輕載PFM節(jié)能模式
    PCD2203 是一款 3.8V-24V 的寬輸入電壓范圍同步降壓轉(zhuǎn)換器，擁有 30V 輸入過壓保護(hù)，能夠驅(qū)動(dòng) 0.8A 的負(fù)載。內(nèi)部集成兩個(gè)低 RDSON 功率管，可減小導(dǎo)通損耗，提高效率。該芯片采用峰值電流模式控制，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀動(dòng)態(tài)性能，也使得外圍補(bǔ)償電路簡單，由于開關(guān)頻率固定為 600K，可以選用小尺寸電感、電容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封裝，可以實(shí)現(xiàn)小尺寸的電源解決方案。具有15uA 靜態(tài)工作電流與 2uA 關(guān)斷電流，適用于低功耗要求的供電系統(tǒng)。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保護(hù)，輸入 OVP 以及熱關(guān)斷功能。
  • 40V/1A高性能小體積同步降壓轉(zhuǎn)換器外部只需極少元器件
    40V/1A高性能小體積同步降壓轉(zhuǎn)換器外部只需極少元器件
    PC2201是一款采用電流模式的降壓開關(guān)電源芯片。在輸入電壓范圍為4.7V~40V的情況下， PC2201可提供高達(dá)1A的輸出電流。PC2201內(nèi)部集成了兩個(gè)N溝道MOSFET和同步功率開關(guān)，可以在不使用外部肖特基二極管的情況下提高電源轉(zhuǎn)換效率。 PC2201還采用了專利的控制方案，在輕載時(shí)將芯片切換到節(jié)能模式，從而擴(kuò)展了高效率運(yùn)行的范圍。
  • 5V_6A/4A高性能低EMI同步降壓整流器
    5V_6A/4A高性能低EMI同步降壓整流器
    PCD1500 是一個(gè)非常小、高效、低噪音同步 6A 降壓直流/直流變換器，從 2.5V 到 5.5V 的輸入電源運(yùn)行。該變換器使用固定開關(guān)頻率，在 1MHz 到 10MHz 時(shí)進(jìn)行峰值電流模式控制，最小開關(guān)時(shí)間低至 22ns，通過較小的外部組件實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。低 EMI 封裝架構(gòu)可以最大限度地減少 EMI 排放。