功率器件

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

近日，一家GaN企業(yè)宣布了其在高壓氮化鎵功率器件領(lǐng)域的突破，電壓等級(jí)達(dá)3300V——10月18日，據(jù)“泰克科技”官微消息，近日，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并送往泰克科技進(jìn)行了測(cè)試。

氮化鎵功率器件因其高速開(kāi)關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場(chǎng)的熱門(mén)選擇。然而，由于工作電壓和長(zhǎng)期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們?cè)诟鼜V泛市場(chǎng)應(yīng)用中的潛力。 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了詳盡的測(cè)試，這些測(cè)試結(jié)果為我們提供了對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件性能的全面

是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的 4881HV 高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其半導(dǎo)體測(cè)試產(chǎn)品組合。該解決方案通過(guò)在一次性測(cè)試中高效完成高達(dá)3kV的高低壓參數(shù)測(cè)試，從而顯著提升了功率半導(dǎo)體制造商的生產(chǎn)效率。 是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的3kV高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng) 傳統(tǒng)上，制造商一直采用分別針對(duì)高壓和低壓的測(cè)試設(shè)備來(lái)測(cè)量晶圓。然而，隨著多功能性、高性能的

芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（下稱(chēng)“芯聯(lián)集成”）（688469，SH）舉辦了2024年半年報(bào)電話(huà)說(shuō)明會(huì)。公司董事、總經(jīng)理趙奇，財(cái)務(wù)負(fù)責(zé)人、董事會(huì)秘書(shū)王韋，副總經(jīng)理張霞，芯聯(lián)動(dòng)力董事長(zhǎng)袁鋒出席說(shuō)明會(huì)。總經(jīng)理趙奇在會(huì)上作了業(yè)績(jī)發(fā)布報(bào)告，對(duì)2024年上半年經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)進(jìn)行全面解讀，研判行業(yè)趨勢(shì)，并介紹下半年工作重點(diǎn)。我們整理出大家最關(guān)注的5個(gè)問(wèn)題，與大家交流分享。 01 芯聯(lián)集成收入增長(zhǎng)主要來(lái)自哪些領(lǐng)域的需