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先進(jìn)制程

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  • 只見臺(tái)積笑，不見亞軍哭？
    只見臺(tái)積笑，不見亞軍哭？
    由于芯片需求增加，三星電子預(yù)計(jì)將第三季度利潤增長近三倍，但其復(fù)蘇步伐正在減弱，因?yàn)樗诶萌斯ぶ悄埽ˋI）熱潮方面進(jìn)展緩慢。通常來說，2024年作為AI發(fā)展的元年，大廠例如臺(tái)積電甚至出現(xiàn)了供不應(yīng)求，產(chǎn)能預(yù)約排隊(duì)，這股熱風(fēng)，為什么三星沒有趕上？
  • 成熟制程依然“頭大”？
    成熟制程依然“頭大”？
    如果對(duì)未來畫餅，是不是說明現(xiàn)在堪憂呢？晶圓代工先進(jìn)制程需求熱絡(luò)，引領(lǐng)整體產(chǎn)業(yè)向上發(fā)展的背后，成熟制程市況顯得相對(duì)領(lǐng)清。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技發(fā)布最新報(bào)告指出，明年成熟制程產(chǎn)能利用率雖可提升10個(gè)百分點(diǎn)，對(duì)于這個(gè)“餅”，業(yè)界表示成熟制程持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)將導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)承壓。
  • 晶圓代工，永不言棄
    晶圓代工，永不言棄
    近期，處于輿論中心的英特爾宣布重要轉(zhuǎn)型計(jì)劃，英特爾CEO帕特·基辛格發(fā)布全員信，介紹了公司正著手進(jìn)行的幾項(xiàng)變革工作，包括晶圓代工業(yè)務(wù)獨(dú)立運(yùn)營、與亞馬遜AWS合作定制芯片、相關(guān)建廠項(xiàng)目調(diào)整等。
  • 為什么要用高k材料做柵介質(zhì)層材料？
    為什么要用高k材料做柵介質(zhì)層材料？
    學(xué)員問：柵介質(zhì)層是如何發(fā)展的？為什么先進(jìn)制程用高k材料做柵介質(zhì)層？
  • 為什么晶圓先進(jìn)制程需要FinFET？
    FinFET技術(shù)在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結(jié)構(gòu)，通過增強(qiáng)柵極控制和降低漏電流，實(shí)現(xiàn)了更高效的晶體管性能。這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能的半導(dǎo)體器件是至關(guān)重要的。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，F(xiàn)inFET技術(shù)的應(yīng)用也變得越來越普遍和重要。
  • 晶圓制造為什么大馬士革(Damascene)工藝替代鋁制程工藝？
    先進(jìn)制程中金屬互連層使用銅的大馬士革(Damascene)工藝，而不是用鋁制程工藝，主要原因包括銅在電學(xué)性能、制造工藝和可靠性等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。原因分析如下：
  • 先進(jìn)制程晶圓制造工藝挑戰(zhàn)之一GAA器件模型
    3納米工藝節(jié)點(diǎn)中的GAA晶體管帶來了顯著的技術(shù)挑戰(zhàn)。提取電氣特性需要新的方法和工具，以應(yīng)對(duì)其復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和對(duì)工藝變異的敏感性。同時(shí)，新的物理失效模式也需要在設(shè)計(jì)和制造過程中加以重視，以確保晶體管的可靠性和性能。3納米晶圓制造工藝中的“Gate all-around (GAA) transistors”所帶來的新提取要求和物理失效模式是一個(gè)復(fù)雜的問題。
  • 臺(tái)積電要抄三星的后路
    臺(tái)積電要抄三星的后路
    在芯片制造領(lǐng)域，先進(jìn)制程的影響力和統(tǒng)治力越來越大，已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領(lǐng)域，拓展到最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片制造，這在臺(tái)積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當(dāng)下的3nm制程晶圓代工，臺(tái)積電的市場(chǎng)統(tǒng)治力很明顯，三星處于弱勢(shì)地位。
  • 產(chǎn)能滿載及需求躍升，晶圓代工漲聲四起？
    產(chǎn)能滿載及需求躍升，晶圓代工漲聲四起？
    近期關(guān)于晶圓代工漲價(jià)的消息絡(luò)繹不絕，其中以臺(tái)積電先進(jìn)制程漲價(jià)最為火熱。對(duì)此臺(tái)積電方并沒有進(jìn)行回應(yīng)。觀察產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)，自去年下半年至今，各頭部晶圓廠產(chǎn)能利用率明顯提升，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，2023年四季度是全球主流晶圓代工廠的主流工藝產(chǎn)能利用率提升的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
  • 臺(tái)積電先進(jìn)制程/CoWoS先進(jìn)封裝漲價(jià)？
    臺(tái)積電先進(jìn)制程/CoWoS先進(jìn)封裝漲價(jià)？
    近日，臺(tái)積電在嘉義科學(xué)園區(qū)新建的第一座CoWoS廠突然暫停施工，原因是6月初工地發(fā)現(xiàn)疑似文物遺跡。臺(tái)積電方表示，P1廠暫時(shí)停工，同時(shí)啟動(dòng)P2廠工程先行建設(shè)。另外，近期行業(yè)消息顯示，臺(tái)積電擬調(diào)漲先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝報(bào)價(jià)。
  • 破解芯片產(chǎn)能和毛利率困局
    破解芯片產(chǎn)能和毛利率困局
    當(dāng)下的晶圓代工業(yè)，已經(jīng)不像兩年前那么光鮮，即使是看起來很風(fēng)光的大廠，也有前所未有的苦惱。全球排名前六的廠商，家家有本難念的經(jīng)。
  • 成本太高，臺(tái)積電也撐不住了
    成本太高，臺(tái)積電也撐不住了
    4月下旬，臺(tái)積電發(fā)布了一種新版本4nm制程工藝——N4C，計(jì)劃在2025年上線量產(chǎn)。這款工藝產(chǎn)品的核心價(jià)值是降低了成本。雖然臺(tái)積電的大部分精力都集中在其領(lǐng)先的制程節(jié)點(diǎn)上，如N3E和N2，但在未來幾年，大量芯片仍將繼續(xù)使用5nm和4nm制程。N4C屬于該公司5nm制程系列，為了進(jìn)一步降低制造成本，N4C進(jìn)行了一些修改，包括重新構(gòu)建其標(biāo)準(zhǔn)單元和SRAM，更改一些設(shè)計(jì)規(guī)則，以及減少掩膜層數(shù)量。通過以上改進(jìn)措施，N4C能實(shí)現(xiàn)更小的芯片尺寸并降低生產(chǎn)復(fù)雜性，從而將芯片成本降低8.5%左右。
  • 臺(tái)積電瘋狂招聘的背后
    臺(tái)積電瘋狂招聘的背后
    據(jù)臺(tái)積電人力資源高級(jí)副總裁Laura透露，該晶圓代工龍頭計(jì)劃在未來幾年內(nèi)招聘新員工23000人。目前，臺(tái)積電的員工人數(shù)已經(jīng)從2020年底的56000增至77000人，按照上述計(jì)劃，該公司在未來幾年內(nèi)的員工隊(duì)伍將增加到100000人。那么，臺(tái)積電為何要大規(guī)模擴(kuò)員呢？綜合來看，原因主要有兩個(gè)：一、全球范圍內(nèi)，最先進(jìn)制程幾無對(duì)手；二、全球擴(kuò)建產(chǎn)線，特別是在美國、日本和德國。
  • 抗衡臺(tái)積電，曙光乍現(xiàn)
    抗衡臺(tái)積電，曙光乍現(xiàn)
    在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)，IDM的發(fā)展勢(shì)頭和行業(yè)影響力似乎越來越弱，而晶圓代工業(yè)務(wù)模式的行業(yè)地位卻在持續(xù)提升。從行業(yè)龍頭廠商的發(fā)展現(xiàn)狀，也可以看出這種發(fā)展態(tài)勢(shì)，眼下，市值最高的兩大半導(dǎo)體企業(yè)，一個(gè)是英偉達(dá)，市值已經(jīng)超過2萬億美元，火爆異常，另一個(gè)是臺(tái)積電，在2022和2023年，英偉達(dá)股價(jià)暴漲之前，臺(tái)積電的市值是半導(dǎo)體企業(yè)里最高的，一度超過7000億美元，后來有所下滑，但現(xiàn)在又恢復(fù)到7000億美元以上。
  • 2納米先進(jìn)制程已近在咫尺！
    2納米先進(jìn)制程已近在咫尺！
    近日，IC設(shè)計(jì)大廠美滿電子（Marvell）宣布與臺(tái)積電的長期合作關(guān)系將擴(kuò)大至2納米，并開發(fā)業(yè)界首見針對(duì)加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的2納米半導(dǎo)體生產(chǎn)平臺(tái)。目前，行業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的先進(jìn)制程量產(chǎn)技術(shù)是3納米工藝，由三星電子和臺(tái)積電制造。隨著英特爾拿下ASML的首臺(tái)光刻機(jī)并更新最新代工版圖，以及Rapidus與IBM合作日益密切，目前2納米先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)者以明顯擴(kuò)大為臺(tái)積電、英特爾、三星、Rapidus、Marvell五家。
  • 先進(jìn)制程三巨頭將掀起3D封裝排位賽
    先進(jìn)制程三巨頭將掀起3D封裝排位賽
    近日，英特爾宣布其首個(gè)3D封裝技術(shù)Foveros已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也在積極開發(fā)其3D封裝技術(shù)X-Cube，并表示將在2024年量產(chǎn)。3D封裝的理論已經(jīng)提出多年，但是由于技術(shù)難度比較大，能量產(chǎn)3D封裝的企業(yè)并不多。
  • 芯片產(chǎn)能利用率提升下的冰火兩重天
    芯片產(chǎn)能利用率提升下的冰火兩重天
    芯片市場(chǎng)已經(jīng)出現(xiàn)回暖信號(hào)，但寒意并未退去。眼下，能夠?qū)⑦@兩點(diǎn)“完美統(tǒng)一”的，非產(chǎn)能利用率莫屬了。2023年第四季度，全球主要晶圓代工廠的平均產(chǎn)能利用率約為74%，環(huán)比下降約16個(gè)百分點(diǎn)。不過，據(jù)群智咨詢預(yù)測(cè)，2024年第一季度，全行業(yè)的產(chǎn)能利用率有望達(dá)到75%~76%，這主要得益于先進(jìn)制程市場(chǎng)較為強(qiáng)勁的需求增長，特別是以臺(tái)積電為代表的3nm和5nm制程。但是，成熟制程的狀況就沒那么好了。
  • 先進(jìn)制程推進(jìn)下你必須要了解的晶圓激光切割術(shù)
    先進(jìn)制程推進(jìn)下你必須要了解的晶圓激光切割術(shù)
    本期我們邀請(qǐng)到了無錫光導(dǎo)精密科技有限公司副總經(jīng)理何建錫。我們將聊一聊從奢侈品到必需品，激光開槽走過了怎樣的發(fā)展路徑？
  • 為了阻擊臺(tái)積電和日本半導(dǎo)體，韓國也是拼了
    為了阻擊臺(tái)積電和日本半導(dǎo)體，韓國也是拼了
    12月中旬，韓國總統(tǒng)尹錫悅與荷蘭首相馬克·呂特發(fā)表聯(lián)合聲明，雙方構(gòu)建“半導(dǎo)體同盟”。雙方一致認(rèn)為，兩國在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中有著特殊的互補(bǔ)關(guān)系，并重申構(gòu)建覆蓋政府、企業(yè)、高校的半導(dǎo)體同盟的決心。為此，雙方商定新設(shè)經(jīng)貿(mào)部門之間的半導(dǎo)體對(duì)話協(xié)商機(jī)制，同時(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體專業(yè)人才培養(yǎng)項(xiàng)目。
  • 芯片訂單有逆轉(zhuǎn)之勢(shì)，臺(tái)積電拉響警報(bào)
    芯片訂單有逆轉(zhuǎn)之勢(shì)，臺(tái)積電拉響警報(bào)
    近日，三星晶圓代工業(yè)務(wù)陸續(xù)傳來好消息，首先，AMD正在認(rèn)真考慮使用三星4nm制程產(chǎn)線量產(chǎn)新一代CPU，這表明三星4nm工藝的技術(shù)和良率水平達(dá)到了一個(gè)新的高度，完全可以與臺(tái)積電4nm制程匹敵了。之前這些年，AMD最新CPU產(chǎn)品從來沒有走出過臺(tái)積電的制程產(chǎn)線，三星4nm制程的提升，進(jìn)一步縮小了與臺(tái)積電的差距，也給后者增添了壓力。

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