巨磁電阻(GMR)是一種利用材料微觀結構及狀態(tài)變化所帶來的電阻變化現(xiàn)象實現(xiàn)傳感、存儲等應用的技術,可廣泛應用于計算機硬盤、讀卡器、傳感器等領域。下面將分別介紹巨磁電阻的定義以及結構組成。
1.什么是巨磁電阻
巨磁電阻是一種由美國物理學家阿爾弗雷德·費爾德在1988年發(fā)現(xiàn)的物理現(xiàn)象。它是指在兩個磁性層之間夾雜著一層非磁性金屬或者合金材料時,在外加磁場的作用下,磁性層的磁矩產生旋轉,導致層間自旋耦合形成不同的電阻狀態(tài),從而實現(xiàn)電阻率的變化。
2.巨磁電阻結構組成有何特點
巨磁電阻器件大致由四個部分組成:上磁性層、非磁性層、下磁性層和底部引線。其中,上下兩個磁性層將被外加磁場作用,產生不同的磁矩方向。非磁性層被夾在中間,決定了兩側磁性層磁矩的相對位置,從而控制整個器件的電阻率。底部引線則提供了電力連接。
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