flash存儲(chǔ)器和eeprom區(qū)別

Flash存儲(chǔ)器（Flash Memory）是一種非易失性存儲(chǔ)器，可以用于輸 入輸出設(shè)備、計(jì)算機(jī)內(nèi)部以及各種電子設(shè)備的存儲(chǔ)。EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）也是一種可以重復(fù)擦寫的非易 失性存儲(chǔ)器，但是使用場(chǎng)景、特點(diǎn)和工作原理等幾個(gè)方面與Flash有所不同。

1.閃存與EEPROM的區(qū)別

首先，EEPROM的出現(xiàn)時(shí)間比Flash更早。它采用的是懸浮柵（Floating Gate） 技術(shù)，而Flash則采用了快閃記憶體（NOR Flash）和嵌入式閃存（NAND Flash） 等技術(shù)，在性能、內(nèi)部結(jié)構(gòu)和使用場(chǎng)景上都與EEPROM不同。

2.Flash和EEPROM的異同點(diǎn)

相較于EEPROM，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器具有如下優(yōu)點(diǎn)：

• 讀取速度更快
• 存儲(chǔ)密度更高
• 價(jià)格更便宜

而EEPROM則具有如下優(yōu)點(diǎn)：

• 擦寫速度更快，適用于對(duì)壽命要求較高的場(chǎng)合
• 擦寫次數(shù)更多，可擦寫存儲(chǔ)單元數(shù)量也更少，因此壽命更長(zhǎng)
• 更低的功耗，適用于絕大部分以節(jié)能為目標(biāo)的電子設(shè)備中

3.Flash與EEPROM的應(yīng)用場(chǎng)景

Flash存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于各類嵌入式系統(tǒng)、移動(dòng)智能終端、網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng) 域。EEPROM則主要用于一些對(duì)壽命要求較高、數(shù)據(jù)更新比較頻繁的場(chǎng)合， 比如車載電子控制單元（ECU）和工業(yè)控制系統(tǒng)等。