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這是關(guān)于LDMOS技術(shù)的兩篇系列論文的第二部分（請(qǐng)參閱《了解LDMOS器件基礎(chǔ)知識(shí)》AN1226），將通過(guò)MOS本征器件特性來(lái)解釋LDMOS電路級(jí)性能。理解電流橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)對(duì)于在高功率射頻電路中最佳使用這些器件是必要的。射頻電路設(shè)計(jì)師必須了解電路性能與器件特性之間的關(guān)系，超出一階近似。這些高階器件關(guān)系可以提供關(guān)于許多常見(jiàn)器件參數(shù)及其相互依賴性的見(jiàn)解，并更重要的是，使設(shè)計(jì)工程師能夠更有效地監(jiān)控半導(dǎo)體制造過(guò)程。
通常情況下，對(duì)于LDMOS器件和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），通道是首要重要的。通道是在器件體內(nèi)創(chuàng)建的倒置層，它在電氣上連接源極和漏極，就像這個(gè)系列的第一部分所描述的那樣。通道的尺寸和摻雜情況確定了正向跨導(dǎo)（gfs），并對(duì)最終影響射頻功率增益和頻率響應(yīng)的與體有關(guān)的電容做出貢獻(xiàn)。體摻雜剖面對(duì)于器件的耐用性和可靠性至關(guān)重要。自從引入LDMOS器件用于高壓商業(yè)射頻應(yīng)用以來(lái)，器件尺寸從超微米逐漸發(fā)展到亞微米，僅在短短幾年內(nèi)取得了進(jìn)展。
這一進(jìn)展預(yù)示著未來(lái)LDMOS的發(fā)展，并且值得注意的是，在一微米以下的器件尺寸縮小并沒(méi)有必然遵循傳統(tǒng)的縮放規(guī)律。
射頻MOSFET的規(guī)格表中包含許多參數(shù)，這些參數(shù)將在電路設(shè)計(jì)和性能標(biāo)準(zhǔn)的背景下解釋。這里所列出的設(shè)備參數(shù)的順序并不表示相對(duì)重要性。
下載ECAD模型
