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MOS管

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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。收起

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  • 解鎖MOS管：溫度估算不再燒腦~
    解鎖MOS管：溫度估算不再燒腦~
    溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一，為防止過(guò)熱導(dǎo)致的MOS失效，使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過(guò)程中產(chǎn)生的各種損耗，能量不會(huì)憑空消失，損失的能量最終會(huì)通過(guò)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃勘幌牡?，損耗越大發(fā)熱量也隨之越大。在MOSFET開(kāi)啟的過(guò)程中隨著
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    08/08 11:40
  • 反激式電源為什么上電最容易燒MOS管？
    反激式電源為什么上電最容易燒MOS管？
    這篇文章總結(jié)一下最近在研究的反激電源RCD吸收回路和VDS尖峰問(wèn)題。這也是為什么MOS管在開(kāi)機(jī)容易被電壓應(yīng)力擊穿的原因。下圖是反激電源變壓器部分的拓?fù)洹?/div>
  • 首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽圓滿舉辦
    首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽圓滿舉辦
    無(wú)籃球，不夏天！今年夏天，「首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽」火熱開(kāi)場(chǎng)！本屆賽事是由德益會(huì)智造 SK廠BA籃球館承辦，Slkor薩科微半導(dǎo)體冠名贊助！自7月5日晚的開(kāi)幕式至7月16日晚的頒獎(jiǎng)閉幕式，這期間德益會(huì)智造隊(duì)等11支球隊(duì)奮力拼搏，秉持“友誼第一，比賽第二”的賽事精神，用汗水、激情和活力傾力奉獻(xiàn)了29場(chǎng)精彩紛呈、亮點(diǎn)不斷的賽事！Slkor薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生出席開(kāi)幕式，期間多次到場(chǎng)觀賽助戰(zhàn)，
  • 對(duì)標(biāo)學(xué)習(xí)世界級(jí)企業(yè) 薩科微Slkor半導(dǎo)體不斷微創(chuàng)新帶來(lái)大進(jìn)步！
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    我國(guó)的科學(xué)研究和先進(jìn)技術(shù)，與先進(jìn)國(guó)家相比還有差距，這一點(diǎn)還體現(xiàn)在社會(huì)生產(chǎn)效率和人均GDP上面。宋仕強(qiáng)說(shuō)，我們只有抓住科技進(jìn)步的風(fēng)口如人工智能（AI），再加上公司內(nèi)部的研發(fā)和管理等環(huán)節(jié)的微創(chuàng)新，才可以立于不敗之地。深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司近年來(lái)發(fā)展迅速，憑借碳化硅、氮化鎵等新材料、功率器件設(shè)計(jì)加工環(huán)節(jié)的先進(jìn)工藝、高效管理和快速擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，不斷降低產(chǎn)品價(jià)格、提高市場(chǎng)的占有率，受到了世界各地客戶的認(rèn)
  • AMEYA360：MOS管失效的六大原因
    功率器件在近幾年的市場(chǎng)方面發(fā)展的非?；鸨绕涫?MOS 管，他主要應(yīng)用在電源適配器，電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機(jī)控制系統(tǒng)中。而隨著計(jì)算器主板，AI 顯卡，服務(wù)器等行業(yè)的爆發(fā)，低壓功率 MOS 管將再次迎來(lái)爆發(fā)性的市場(chǎng)需求。
  • BMS 中的放電 MOS 是怎么燒毀的？
    BMS 中的放電 MOS 是怎么燒毀的？
    大多數(shù)人想到的原因要么是自己選的 MOS 耐流能力不夠大，要么就是嫌自己并的不夠多，然而當(dāng)我們換了更大的 MOS 管，或者多并聯(lián)了幾個(gè)后，還是會(huì)出現(xiàn)燒毀的情況，真是捉摸不透啊。其實(shí)并不是我們選擇 MOS 有問(wèn)題，而是我們電路的設(shè)計(jì)上沒(méi)有注意 MOS 的微觀狀態(tài)，當(dāng)然一定的降額設(shè)計(jì)和良好的散熱是必不可少的。今天聊一下 BMS 中 MOS 管的過(guò)流損壞。我認(rèn)為半導(dǎo)體器件的損壞大體上可以分為三種：機(jī)械損壞，過(guò)流燒毀，過(guò)壓擊穿。
  • 【六】BMS 的保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 MOS 管選型
    【六】BMS 的保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 MOS 管選型
    BMS 系統(tǒng)中最主要的功能，當(dāng)為保護(hù)莫屬，無(wú)論是過(guò)壓欠壓保護(hù)，還是高溫低溫保護(hù)，亦或是過(guò)流及短路保護(hù)。這其中最考驗(yàn)電路設(shè)計(jì)的地方當(dāng)屬過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)，原因在于BMS 系統(tǒng)中溫度和電壓的突變幾乎是不可能的，而對(duì)于電流，是時(shí)常出現(xiàn)突變的。
    1.6萬(wàn)
    02/19 08:44
  • 超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    MOS管在5G電源上的應(yīng)用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列，同步整流線路推薦低壓SGT MOS系列。5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的核心設(shè)備，實(shí)現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無(wú)線終端之間的無(wú)線信號(hào)傳輸，5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設(shè)備功耗大，采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義，5G電源就是指5G通訊設(shè)備專(zhuān)用電源。
  • 碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。
  • 世微 dc-dc降壓恒流 LED汽車(chē)大燈 單燈 14V5A 68W車(chē)燈驅(qū)動(dòng)方案 AP5191
    世微 dc-dc降壓恒流 LED汽車(chē)大燈 單燈 14V5A 68W車(chē)燈驅(qū)動(dòng)方案 AP5191
    AP5191是一款PWM工作模式,高效率、外圍簡(jiǎn)單、外置功率MOS管，適用于4.5-150V輸入的高精度降壓LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。輸出最大功率150W，最大電流6A。AP5191可實(shí)現(xiàn)線性調(diào)光和PWM調(diào)光，線性調(diào)光腳有效電壓范圍0.55-2.6V.AP5191 工作頻率可以通過(guò)RT 外部電阻編程來(lái)設(shè)定，同時(shí)內(nèi)置抖頻電路，可以降低對(duì)其他設(shè)備的 EMI 干擾。
  • mos管
    MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子領(lǐng)域。它具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能、高頻特性和低功耗優(yōu)勢(shì)，因此在集成電路、通信系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)硬件以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
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    02/06 15:03
  • 增強(qiáng)型和耗盡型MOS管的區(qū)別和聯(lián)系
    金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一種常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在電子學(xué)領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用。增強(qiáng)型（Enhancement-mode）MOS管和耗盡型（Depletion-mode）MOS管是兩種常見(jiàn)類(lèi)型的MOS管。
    1.4萬(wàn)
    06/27 16:58
  • mos管n溝道和p溝道的區(qū)別
    MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的半導(dǎo)體器件，被廣泛應(yīng)用于電子電路中。MOS管根據(jù)其溝道類(lèi)型可以分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型。

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