MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 寬帶射頻功率LDMOS晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

2023/04/25

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射頻功率LDMOS 晶體管高韌性N溝道增強(qiáng)型橫向MOSFET?這些高韌性器件設(shè)計(jì)用于高駐波比的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動(dòng)無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計(jì)允許從1.8到600 MHz的廣泛頻率范圍使用。

特點(diǎn)

無與倫比的輸入和輸出，可實(shí)現(xiàn)廣泛頻率范圍的利用
設(shè)備可單端使用或采用推挽配置
最大50 VDD操作的合格化
在30到50 V范圍內(nèi)進(jìn)行特性化，以擴(kuò)展功率范圍
適用于具有適當(dāng)偏置的線性應(yīng)用
集成ESD保護(hù)，具有更大的負(fù)柵源電壓范圍，以改善C類操作
使用系列等效大信號(hào)阻抗參數(shù)進(jìn)行特性化
推薦驅(qū)動(dòng)器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

推薦器件

更多器件

器件型號(hào)	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價(jià)格	更多信息
12110192	1	Delphi Automotive LLP	Combination Line Connector		暫無數(shù)據(jù)	查看
770854-1	1	TE Connectivity	CONTACT, AMPSEAL SN/LP	ECAD模型下載ECAD模型	$0.17	查看
LQW18AN33NG00D	1	Murata Manufacturing Co Ltd	General Purpose Inductor, 0.033uH, 2%, 1 Element, Air-Core, SMD, 0603, CHIP, 0603	ECAD模型下載ECAD模型	$0.15	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。