封裝摘要
終端位置代碼 Q(四角)
封裝類型描述代碼 HVQFN36
封裝類型行業(yè)代碼 HVQFN36
封裝樣式描述代碼 HVQFN(熱增強(qiáng)型非常薄四角扁平封裝;無引線)
封裝主體材料類型 P(塑料)
安裝方法類型 S(表面貼裝)
發(fā)布日期 2018年3月8日
制造商封裝代碼 98ASA01212D
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封裝摘要
終端位置代碼 Q(四角)
封裝類型描述代碼 HVQFN36
封裝類型行業(yè)代碼 HVQFN36
封裝樣式描述代碼 HVQFN(熱增強(qiáng)型非常薄四角扁平封裝;無引線)
封裝主體材料類型 P(塑料)
安裝方法類型 S(表面貼裝)
發(fā)布日期 2018年3月8日
制造商封裝代碼 98ASA01212D
器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GRM55ER72A475KA01L | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 4.7uF, 100V, ±10%, X7R, 2220 (5650 mm), 0.098"T, -55o ~ +125oC, 7" Reel/Plastic Tape |
ECAD模型 下載ECAD模型 |
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$2.4 | 查看 | |
TCM1050DR | 1 | Texas Instruments | Dual transient-voltage suppressor 8-SOIC |
ECAD模型 下載ECAD模型 |
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$2.06 | 查看 | |
2N7002K-7 | 1 | Diodes Incorporated | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
ECAD模型 下載ECAD模型 |
|
$0.22 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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