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硬件型號：Teclast/臺電TF32GBU1G
系統(tǒng)版本：內(nèi)存卡系統(tǒng)
DDR2和DDR3的插槽是不一樣的，DDR3比DDR2頻率高，速度快，容量大，性能高。
既支持DDR2內(nèi)存卡還支持DDR3內(nèi)存卡的主板，其中2個(gè)是DDR2內(nèi)存卡的插槽，另外2個(gè)是DDR3內(nèi)存卡的插槽，但是不能同時(shí)使用2種類型的，只能選擇1種。
DDR3 SDRAM（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一種電腦存儲器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲器產(chǎn)品，提供相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的后繼者（增加至八倍）。
DDR2內(nèi)存卡與DDR3內(nèi)存卡的區(qū)別如下：
1、防呆缺口不一樣：
DDR2內(nèi)存單面金手指120個(gè)（雙面240個(gè)），缺口左邊為64個(gè)針腳，缺口右邊為56個(gè)針腳。
DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(gè)（雙面240個(gè)），缺口左邊為72個(gè)針腳，缺口右邊為48個(gè)針腳。
2、讀取數(shù)據(jù)的速度不一樣：
DDR2內(nèi)存卡預(yù)讀取能力為4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取。
DDR3內(nèi)存卡預(yù)讀取能力為16bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取。
3、使用電壓不同：
DDR2內(nèi)存卡的使用電壓為1.8V。
DDR3內(nèi)存卡的使用電壓為1.5V。
