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11月15日消息，綜合韓聯(lián)社、koreatimes報道顯示，全球光刻機龍頭大廠ASML首席執(zhí)行官溫寧克（Peter Wennink）于今日在韓國首爾召開的一場新聞發(fā)布會上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻機將于2024年開始發(fā)貨，每臺設(shè)備的價格將在3億至3.5億歐元之間。
持續(xù)擴大在韓國投資
去年11月，ASML與韓國華城市簽署了一份備忘錄，宣布投資2400億韓元（2.12億美元），于2024年前在當?shù)卮蛟煲蛔?6,000平方公尺的維修中心和工程師培訓(xùn)中心，可容納多達1500名員工。
根據(jù)計劃，ASML韓國維修中心和工程師培訓(xùn)中心項目將于明日（2022年11月16日）舉行開工儀式。為此，ASML CEO溫寧克也親自來到韓國，明日將與韓國政府官員及半導(dǎo)體行業(yè)人士共同參與開工儀式。在此之前，溫寧克出席了ASML于今日在韓國首爾舉行了一場新聞發(fā)布會，介紹了ASML在韓國的發(fā)展愿景。
在“技術(shù)復(fù)雜性（芯片制造）上升”之際，與韓國當?shù)乜蛻裘芮泻献?ldquo;至關(guān)重要”。ASML CEO 溫寧克補充說，“在這里設(shè)立一個培訓(xùn)中心也非常重要，因為這將有助于讓技術(shù)更貼近客戶。”
ASML正在持續(xù)增加在韓國的研發(fā)投資，目標是在未來 10 年內(nèi)在韓國再雇用1400 名員工。同時，ASML有望在未來幾年在韓國建設(shè)研發(fā)中心和制造工廠。溫寧克表示，建立韓國供應(yīng)基地是ASML進一步發(fā)展的“重要機會”。
持續(xù)擴大產(chǎn)能
雖然自今年以來，由于全球經(jīng)濟衰退，使得全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也受到較大影響，再加上中美之間的貿(mào)易摩擦，也給全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了不利的影響。
在今天的新聞發(fā)布會上，溫寧克也表示，明年半導(dǎo)體也仍將面臨全球經(jīng)濟衰退風險所帶來的困難。但是，他仍非常有信心的預(yù)測，全球半導(dǎo)體市場在未來十年內(nèi)仍將保持平均每年9%的增長。預(yù)計到2030年，全球半導(dǎo)體市場將達到1萬億至1.3萬億美元。
溫寧克還以汽車市場為例介紹到，越來越多的汽車正在實現(xiàn)數(shù)字化，這將導(dǎo)致40nm至5nm芯片在汽車中的應(yīng)用。盡管汽車行業(yè)主要使用傳統(tǒng)工藝節(jié)點制造的芯片，但預(yù)計未來也將轉(zhuǎn)向使用更先進制程的芯片。
“市場對于我們產(chǎn)品的需求仍然高于我們的生產(chǎn)能力”，溫寧克說：“我們的客戶必須相信經(jīng)濟衰退的持續(xù)時間比我們機器的平均交貨時間短。”
不久前，ASML公布了2022年第三季度財報，銷售額和利潤均超出市場預(yù)期，新的凈預(yù)訂額也創(chuàng)下了紀錄。當時，溫寧克也強調(diào)，“由于包括通貨膨脹、消費者信心在內(nèi)的一系列全球宏觀經(jīng)濟問題，市場存在不確定性和衰退的風險。雖然我們開始看到每個細分市場的需求動態(tài)不同，但對我們系統(tǒng)的整體需求仍然強勁。”
為了提升ASML的交付能力，近日，ASML也宣布了其擴產(chǎn)計劃，即在2025-2026年，將EUV光刻系統(tǒng)和DUV光刻系統(tǒng)的產(chǎn)能分別提升到90個和600個；2027-2028年將High-NA系統(tǒng)的產(chǎn)能提高到20個。
High-NA EUV預(yù)計2024年出貨，每臺價格至少3億歐元
在今天的新聞發(fā)布會上，溫寧克還介紹了ASML新一代High-NA EUV光刻機的進展，預(yù)計將于2024年開始發(fā)貨，每臺設(shè)備的價格在3億至3.5億歐元之間。
眾所周知，目前ASML是全球最大的光刻機供應(yīng)商，同時也是唯一的EUV光刻機的供應(yīng)商。
由于EUV光刻系統(tǒng)中使用的極紫外光波長（13.5nm）相比DUV 浸入式光刻系統(tǒng)（193 nm）有著顯著降低，多圖案 DUV 步驟可以用單次曝光 EUV 步驟代替?？梢詭椭酒圃焐汤^續(xù)向7nm及以下更先進制程工藝推進的同時，進一步提升效率和降低曝光成本。
目前，EUV光刻機可以支持芯片制造商將芯片制程推進到3nm制程左右，但是如果要繼續(xù)推進到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高數(shù)值孔徑（NA）的High-NA光刻機。
相比目前的0.33數(shù)值孔徑的EUV光刻機，High-NA EUV光刻機將數(shù)值孔徑提升到0.55，可以進一步提升分辨率（根據(jù)瑞利公式，NA越大，分辨率越高），從0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通過多重曝光可支持2nm及以下制程工藝芯片的制造）。
目前，臺積電、三星、英特爾等頭部的晶圓制造廠商也正在大力投資更先進的3nm、2nm技術(shù)，以滿足高性能計算等先進芯片需求。而ASML新一代的高數(shù)值孔徑 High-NA EUV光刻機也就成為了爭奪的關(guān)鍵。
在2021年7月底的“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上，英特爾已宣布將在2024年量產(chǎn)Intel 20A工藝（相當于臺積電2nm工藝），并透露其將率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。根據(jù)英特爾披露的信息顯示，其還將于2024年量產(chǎn)更先進的Intel 18A工藝。
ASML總裁兼首席技術(shù)官Martin van den當時就表示，英特爾對ASML在High-NA EUV技術(shù)的遠見和早期承諾證明了對摩爾定律的不懈追求。
今年9月，臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰也對外表示，臺積電將在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻機，為客戶發(fā)展相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施與架構(gòu)解決方案。臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強則表示，2024年取得設(shè)備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會量產(chǎn)。具體的量產(chǎn)將會是在2025年。
而根據(jù)ASML今年4月披露的信息顯示，目前ASML在位于 Veldhoven 的新潔凈室中已經(jīng)開始集成第一個High-NA EUV光刻系統(tǒng)（EXE:5000）。今年第一季度收到了多個EXE:5200系統(tǒng)（量產(chǎn)版High-NA EUV光刻系統(tǒng)）的訂單，今年4月還收到了額外的EXE:5200 訂單。目前，ASML收到了來自三個邏輯廠商和兩個存儲廠商的 High-NA EUV訂單。顯然，這里提到的三個邏輯晶圓廠應(yīng)該是英特爾、臺積電和三星，兩個存儲晶圓廠應(yīng)該是三星和SK海力士。
△ASML首個High-NA EUV光刻系統(tǒng)
雖然，三星和SK海力士尚未公開證實這一點，但消息人士表示，他們已經(jīng)向ASML下了訂單。
在今年的三季報會議上，ASML還宣布，其第三季度的預(yù)訂量達到創(chuàng)紀錄的約 89億歐元，其中38億歐元是EUV系統(tǒng)，包括了High NA EUV系統(tǒng)。
在此次的新聞發(fā)布會上，溫寧克表示，2024年，ASML的High-NA EUV光刻系統(tǒng)將首次應(yīng)用于晶圓廠，計劃在2026年至2027年之間的某個時間點批量生產(chǎn)該設(shè)備，并將盡可能擴大其生產(chǎn)能力，預(yù)計到2027-2028年，High-NA EUV光刻系統(tǒng)的年產(chǎn)能將達到20個。
對于High-NA EUV光刻系統(tǒng)的價格，溫寧克也首次正面回應(yīng)稱，每臺設(shè)備的價格將在3億至3.5億歐元之間。顯然這個價格非常的高昂，達到了目前在售的EUV光刻機的2倍。但是對于正在先進制程領(lǐng)域激烈競爭的頭部晶圓廠來說，他們別無選擇。
編輯：芯智訊-浪客劍
